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设计了以80C552单片微机为核心、接口和爱德万Q8384误码测试仪匹配的环路控制器,实现了信号注入时间、环长、传输环数和测试控制的动态可调。以此环路控制器为基础,搭建了一个4路CSRZ码、单环传输光纤长度为240km的10Gb/s的WDM光纤环路传输系统,进行了传输560km功率代价小于1dBm的传输实验。以此传输系统为对象,分析研究了环路控制器各个控制信号误差对环路系统性能的影响。结果发现,当测试时间对信号前端留出足够余量后,可以有效避免系统瞬态效应对测试的影响。 相似文献
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用0.35μm CMOS工艺实现存储接口单元中的数模混合DLL 总被引:1,自引:0,他引:1
论述了一种利用0.35mm、双阱、双层金属、双层多晶硅的CMOS工艺所实现的延迟锁定环(DLL)。该DLL用于RISC处理器中存储接口部件的时钟同步。本文介绍了其应用背景,给出了DLL的系统结构,接着分别介绍了鉴相器、电荷泵以及压控延迟线的电路结构,最后给出相关仿真结果。 相似文献
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Mikko Waltari Lauri Sumanen Tuomas Korhonen Kari A. I. Halonen 《Analog Integrated Circuits and Signal Processing》2003,37(3):201-213
A 13-bit, 50-MS/s pipeline ADC with IF-sampling capability is presented. A high sampling linearity is obtained through the use of bootstrapped switches. A digital self-calibration algorithm with modified capacitor measurement scheme is employed to improve the accuracy of the first two pipeline stages. The prototype, implemented with a 0.35-m BiCMOS (SiGe) technology, shows a 76.5-dB SFDR at a 194.2-MHz signal frequency and dissipates 715 mW power from a 2.9-V supply. 相似文献
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Woo-Seok Cheong 《Journal of Electronic Materials》2003,32(4):249-253
For the lowest resistance, it is required to have the epitaxial silicon contact between the silicon plug and the substrate
and good step coverage at the high aspect-ratio contact holes, simultaneously. In this work, a double polysilicon (DPS) deposition
technique was proposed for the requirements. The first, thin silicon layer is deposited in a single-wafer process chamber
with an in-situ H2-RTP (rapid thermal process) treatment for the epitaxial contact, and the second silicon layer is formed in a batch-type furnace
for good step coverage. From chain resistance, Kelvin Rc, and current-voltage (I–V) measurement, the DPS process meets both low resistance and good uniformity, so that it suggests
a breakthrough in the small-sized, semiconductor device application. 相似文献
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一种新型电荷泵电路的设计 总被引:4,自引:1,他引:4
文章提出了一种新的全差分电荷泵结构,与传统电荷泵电路相比,这个电路具有输出范围大和无跳跃现象的优点,同时还可以有效地解决电荷泄漏和充放电失配等问题。 相似文献
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