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21.
硬件教学实验必须由验证性向设计性转变,才能达到培养学生设计能力和处理问题的能力。而逻辑分析仪是数字系统设计的常用工具.对于实验和教学都起着不可忽视的作用。 相似文献
22.
23.
对微波陶瓷基印制板的制造工艺流程进行了简单的介绍,对所采用的工艺技术的有效性进行了较为详细的论述。 相似文献
24.
一种基于PWM的电压输出DAC电路设计 总被引:16,自引:1,他引:15
对实际应用中的脉宽调制(PWM)波形的频谱进行了理论分析.指出通过一个低通滤波器可以把PWM调制的数模转换信号解调出来.实现从PWM到DAC的转换。论文还对转换误差产生的因素进行了分析,指出了减少误差的方法,论文给出了两种从PWM到0~5V电压输出的电路实现方法,第2种电路具有很高的转换精度。 相似文献
25.
基于对地观测激光回波特征的目标特性研究 总被引:5,自引:0,他引:5
本文研究了对地观测激光回波特征与地面目标特征之间的关系模型,分析了分类地面目标的激光回波特征,提出一种基于查表法的目标特性计算方法并给出了仿真结果。 相似文献
26.
Effect of Stoichiometry on Properties of Rare-Earth-Based Hydrogen Storage Alloy for Nickel-Metal Hydride Secondary Battery 总被引:2,自引:0,他引:2
Effect of stoichiometry on microstructures, electrochemical properties and PCT characteristics of the alloys MI(Ni0.71Co0.15-Al0.06Mn0.08)x (MI=Lanthanum-rich Michmetal, x=4.6~5.2) have been investigated. The lattice constants a, c, and cellvolumes of non-stoichiometric alloys are bigger than those of the stoichiometric alloy. With the increasing stoichiometry x,the value of a decreases, and the value of c and cell volume increases except for those of the stoichiometric alloy; the plateaupressure of PCT curve, discharge capacity and cycling stability all increase. The alloy with x=5.2 shows the highest dischargecapacity and the best cycling stability among the studied alloys. 相似文献
27.
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。 相似文献
28.
介绍数字正交上变频器AD9857的原理、功能和基本使用方法以及如何通过单片机8051实现对它的编程控制。 相似文献
29.
30.
三相全控桥式整流电路实验装置的研制 总被引:2,自引:1,他引:1
介绍了开发三相全控桥式整流电路实验装置的背景;叙述了TC787芯片的内部结构、工作原理、特点及芯片的各个管脚的功能;详细介绍了该实验装置的触发电路的设计思路、设计结果和工作原理;介绍了该实验装置的主电路部分的结构和特点。该实验装置性能可靠,符合本科生实验要求。 相似文献