带p埋层表面注入硅基LDMOS模型与优化

提出一种带p埋层的表面注入硅基LDMOS高压器件新结构,称为BSI LDMOS(surface implanted LDMOS with p buried layer).通过表面注入n+薄层降低导通电阻,p埋层不但改善横向表面电场分布,提高击穿电压,而且增大漂移区优化浓度.求解电势的二维Poisson方程,获得表面电场和击穿电压的解析式,研究结构参数对表面电场和击穿电压的影响,数值与解析结果吻合较好.结果表明:与常规结构相比较,BSI LDMOS大大改善了击穿电压和导通电阻的折衷关系.     

The Dynamic Emission Zone in Sandwich Polymer Light‐Emitting Electrochemical Cells

In light‐emitting electrochemical cells (LECs), the position of the emission zone (EZ) is not predefined via a multilayer architecture design, but governed by a complex motion of electrical and ionic charges. As a result of the evolution of doped charge transport layers that enclose a dynamic intrinsic region until steady state is reached, the EZ is often dynamic during turn‐on. For thick sandwich polymer LECs, a continuous change of the emission color provides a direct visual indication of a moving EZ. Results from an optical and electrical analysis indicate that the intrinsic zone is narrow at early times, but starts to widen during operation, notably well before the electrical device optimum is reached. Results from numerical simulations demonstrate that the only precondition for this event to occur is that the mobilities of anions (μ_a) and cations (μ_c) are not equal, and the direction of the EZ shift dictates μ_c > μ_a. Quantitative ion profiles reveal that the displacement of ions stops when the intrinsic zone stabilizes, confirming the relation between ion movement and EZ shift. Finally, simulations indicate that the experimental current peak for constant‐voltage operation is intrinsic and the subsequent decay does not result from degradation, as commonly stated.     

激光深熔焊等离子体电信号振荡特征与焊缝熔深的特征关系

针对激光深熔焊接过程的监控问题,基于小孔内部压力平衡条件分析了小孔振荡和小孔深度的关系。在此基础上基于小孔行为与等离子体行为的耦合性,以及等离子体振荡特征与等离子体电信号波动特征的一致性,利用短时自相关分析方法分析了A304不锈钢和Q235碳钢在激光深熔焊接过程中等离子体电信号振荡周期与焊缝熔深之间的关系。结果表明,等离子体电信号振荡周期随焊缝熔深的增加而增大,并且不同焊接材料的等离子体电信号振荡周期与焊缝熔深之间的关系不同。最后,在可变热输入连续焊接验证实验中,在焊接过程稳定的条件下,等离子体电信号的短时自相关分析结果与焊缝熔深之间有比较好的对应关系,与所分析的小孔振荡特征方程具有一致性。     

自适应光电混合互连分流结构建模与性能分析

针对片上光电混合互连网络(hybrid optoelect ronic network-on-chip,HONoC)拥 塞控制与自适应能力差、无法实现光电联合仿真等问题,提出一种适用于可重构阵列处理器 的自适应光电混合互连分流结构,在此结构上设计了自适应分流路由算法与一种低损耗无阻 塞的5端口光路由器,并搭建了基于System verilog与Verilog的光电混合互连功能仿真与 性能统计模型。实验结果表明,在边缘节点阻塞的情况下所设计的路由算法避免拥塞能力平 均提升了17.5%,光路由器所需交叉波导与微环谐振器数量大幅减少,平均光路由器级插入 损耗仅为0.522 dB,所设计的光电混合互连性能统计模型具有支持 设计拓扑、结构和路由策 略等功能,并且可以对资源使用、功耗开销、插入损耗等性能进行统计分析。     

新形势下电气工程及其自动化专业人才培养模式与知识体系框架

在分析了当前高等教育培养基本模式的基础上，根据科学技术和社会经济发展的要求，提出了人才培养的模式和要求。特别针对电气工程及其自动化领域的发展趋势以及对人才的需求，提出了该专业人才的知识框架体系。     

中高温熔点金属材料固–液相变点导热系数测量

设计了一种中、高温熔点金属材料固-液相变点温度附近热物性动态测算方法,并与计算机实时数据采集和测控技术结合起来,研制了相应的动态测试仪。通过实验测定相界面的移动速率与相变导热反问题的数值计算相结合的办法来确定被测材料的热物性。分别对相变室、炉体、相界面探测器、温度在线检测与控制系统、测试过程进行了设计,对测试系统的测量误差进行了定量分析,发现采用此方法测试的系统误差不超过3%。用已知热物性的锌、铝金属对此方法进行了检定,得到了较为满意的测试结果。     

CeO_2掺杂引起SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应

研究了掺CeO2对SnO2Co2O3Ta2O5压敏电阻器性能的影响。研究发现:随着x(CeO2)从0增加到1%,压敏电压从190 V/mm增加到205 V/mm,相对介电常数从3 317减小到2 243,晶粒平均尺寸从12.16 mm减小到6.23 mm,在晶界上的Ce4+阻碍了SnO2晶粒的生长。为了解释样品电学非线性性质的起源,笔者提出了SnO2Co2O3Ta2O5CeO2晶界缺陷势垒模型。同时,对该压敏电阻器进行了等效电路分析,试验测量与等效电路分析结果相符。     

Thermal conductivity of ultra low-k dielectrics

The so-called 3ω measurement technique (transient hot wire method) was established to determine the thermal conductivity of thin films. Measurements of standard substrates and films validate the found thermal conductivity values and agree with published, commonly accepted values. The method was successfully applied to determine the thermal conductivity of porous low-k dielectric materials using special test structure fabrication. The thermal conductivity of the porous low-k dielectrics thus measured is only between 7 and 13% of the thermal conductivity of thermally grown silicon dioxide.     

高功率脉冲水中放电的应用及其发展

首先介绍了高功率脉冲水下放电的机理，然后综合论述了其应用和研究的状况，从较为成熟的脉冲水处理技术到医疗领域的ESWL应用技术，以及在脉冲电场食品杀菌和水下目标探测方面的最新发展和研究，最后指出了高功率脉冲电技术应用前景以及进行更系统和深入研究的必要性。     

雷达电视监控CCD摄像系统与天线座系统光电标校合成

在介绍CCD摄像机和镜头的基础上，根据某雷达型号产品的实际设计，利用雷达对天线座光电匹配精度要求和基础知识，探讨雷达电视监控CCD摄像系统与天线座系统光轴合成。