全文获取类型
收费全文 | 40131篇 |
免费 | 4618篇 |
国内免费 | 2646篇 |
专业分类
电工技术 | 9346篇 |
技术理论 | 2篇 |
综合类 | 3564篇 |
化学工业 | 2393篇 |
金属工艺 | 1554篇 |
机械仪表 | 2645篇 |
建筑科学 | 3215篇 |
矿业工程 | 1352篇 |
能源动力 | 886篇 |
轻工业 | 1434篇 |
水利工程 | 1270篇 |
石油天然气 | 1262篇 |
武器工业 | 263篇 |
无线电 | 4545篇 |
一般工业技术 | 2482篇 |
冶金工业 | 1637篇 |
原子能技术 | 276篇 |
自动化技术 | 9269篇 |
出版年
2024年 | 164篇 |
2023年 | 453篇 |
2022年 | 946篇 |
2021年 | 1064篇 |
2020年 | 1226篇 |
2019年 | 939篇 |
2018年 | 943篇 |
2017年 | 1171篇 |
2016年 | 1262篇 |
2015年 | 1600篇 |
2014年 | 2832篇 |
2013年 | 2505篇 |
2012年 | 3331篇 |
2011年 | 3464篇 |
2010年 | 2683篇 |
2009年 | 2656篇 |
2008年 | 2598篇 |
2007年 | 2868篇 |
2006年 | 2427篇 |
2005年 | 2094篇 |
2004年 | 1718篇 |
2003年 | 1553篇 |
2002年 | 1323篇 |
2001年 | 1150篇 |
2000年 | 865篇 |
1999年 | 764篇 |
1998年 | 522篇 |
1997年 | 438篇 |
1996年 | 391篇 |
1995年 | 292篇 |
1994年 | 219篇 |
1993年 | 170篇 |
1992年 | 142篇 |
1991年 | 102篇 |
1990年 | 80篇 |
1989年 | 79篇 |
1988年 | 59篇 |
1987年 | 30篇 |
1986年 | 31篇 |
1985年 | 41篇 |
1984年 | 22篇 |
1983年 | 22篇 |
1982年 | 16篇 |
1981年 | 14篇 |
1980年 | 11篇 |
1979年 | 9篇 |
1965年 | 13篇 |
1963年 | 11篇 |
1959年 | 7篇 |
1955年 | 11篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作 总被引:5,自引:1,他引:4
随着器件尺寸的缩小,细线条的制作成为很关键的工艺,普通光学光刻已接近其分辨率的极限,而电子束光刻和X射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究,并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作,在普通光学光刻机上制作出宽度小于0.25μm细线条。我们已将此工艺成功地应用在深亚微米MOSFET的制作中。 相似文献
22.
23.
The causes of lightning outage are subdivided into direct lightning strokes and induced lightning strokes, which are identified by the characteristics of the lightning overvoltage. In the past, lightning protection devices were directed mainly toward the latter, and attention has been focused on the installation of lightning protection devices, ground wires, and reinforcement of insulators. However, lightning outages continue to occur. Thus it is extremely important to clarify the fault characteristics of lightning surges and to study the effectiveness of various lightning protection devices by considering both direct lightning stroke and induced lightning stroke in order to prevent lightning outage in the future. In this research, the electromagnetic transients program (EMTP) has been applied to the direct lightning stroke, and the induced lightning outage analysis program for multiple conductor systems has been applied to the induced lightning stroke to study the effectiveness of lightning protection devices provided by combination of various lightning protection devices. The most effective lightning protection schemes are analyzed and evaluated based on verification tests on the full scale models as well as economic considerations. 相似文献
24.
本文对CIMS装配线和拆卸线的可靠性问题进行研究。文中分析了它们的运行状况,求出了两种生产线的稳态可用度,并用一个例子加以说明。 相似文献
25.
26.
Results from applying the model on a sample of contractors, the majority of whom were international and operating in Egypt, reinforces the credibility of the developed methodology, claim the authors. 相似文献
27.
本文利用等效工作站理论和工件流平衡原理,推导出非串行离散事件生产线可以等价于串联系统,并归结为装配和拆卸两条定理,解决了系统的建模、分析与设计问题。 相似文献
28.
29.
Mulcahy Nicholas J.; Call Josep; Dunbar Robin I. M. 《Canadian Metallurgical Quarterly》2005,119(1):23
Two important elements in problem solving are the abilities to encode relevant task features and to combine multiple actions to achieve the goal. The authors investigated these 2 elements in a task in which gorillas (Gorilla gorilla) and orangutans (Pongo pygmaeus) had to use a tool to retrieve an out-of-reach reward. Subjects were able to select tools of an appropriate length to reach the reward even when the position of the reward and tools were not simultaneously visible. When presented with tools that were too short to retrieve the reward, subjects were more likely to refuse to use them than when tools were the appropriate length. Subjects were proficient at using tools in sequence to retrieve the reward. (PsycINFO Database Record (c) 2010 APA, all rights reserved) 相似文献
30.
中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀 总被引:2,自引:2,他引:0
多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时,应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺,如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺,存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工,做了大量实验、质谱分析和多项测试研究,成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀,做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。 相似文献