应用于离子注入的RFQ加速器

射频四极场(Radio frequency quodrupole,RFQ)加速器是一种非常适于用作MeV级能量离子注入的加速器.它具有束流强、体积小、使用方便、离子源处在地电位,还可同时加速正、负两种离子等优点.本文介绍了RFQ加速器在国际上的发展状况及其基本原理、北京大学研制的1 MeV RFQ加速器的具体结构、性能以及一种新型RFQ-SFRFQ组合加速器的特点.     

一种有效的多关键词词频统计方法

针对词频统计的特点，设计了一种多关键词词频统计方法。该方法以一种树形的数据结构来存储待处理关键词集合的信息。实现了多关键词的高效匹配，扫描一次文档就可统计出全部关健词词频信息。通过理论分析与实验表明，其性能比传统的关键词词频统计方法有较大的提高。     

The beat goes on: Rhythmic modulation of cortical potentials by imagined tapping.

A frequency analysis was used to tag cortical activity from imagined rhythmic movements. Participants synchronized overt and imagined taps with brief visual stimuli presented at a constant rate, alternating between left and right index fingers. Brain potentials were recorded from across the scalp and topographic maps made of their power at the alternation frequency between left and right taps. Two prominent power foci occurred in each hemisphere for both overt and imagined taps, one over sensorimotor cortex and the other over posterior parietal cortex, with homologous foci in opposite hemispheres arising from oscillations 180° out of phase. These findings demonstrate temporal isomorphism at a neural level between overt and imagined movements and illustrate a new approach to studying covert actions. (PsycINFO Database Record (c) 2011 APA, all rights reserved)     

4.5MV静电加速器离子聚束电路的设计

在加速器中产生脉冲中子源需要对离子源脉冲化。采用10MHz聚束和2.5MHz扫描频率，通过在交叉场分析器设置直流偏置电压和变频切割电压，改变离子束脉冲频率，使之从2.5MHz到39KHz可调。本文介绍了脉冲频率可调，幅度可调的脉冲化电路的改进设计及初步实验结果，并给出功放热设计参考。     

多维小波函数中g_n的分析

通过对多分辨分析的研究,给出了多维小波函数中gn与频率响应hn之间的关系,使得多维小波的构造更进一步,不必对具体维数来分析gn与hn的关系。     

用频障法设计高效FIR滤波器

介绍了多载波通信中一种设计高效宽带锐截止FIR(有限冲击响应)滤波器的新方法———频障法。通过选择特定的原型滤波器来降低实现宽带锐截止FIR滤波器的复杂度。首先设计一个合适的宽带低通原型FIR滤波器Ha(z),然后得到其互补滤波器Hc(z)。再对它们进行L倍内插,得到两个互补的多带滤波器Ha(zL)、Hc(zL),然后用合适的频障滤波器HMa(z)和HM c(z)分别去消除Ha(zL)、Hc(zL)中不需要的频带,相应的输出加在一起就是所要设计的滤波器H(z)。详细研究了该方法的实现结构和设计方法,并通过设计实例证明了实现同样的性能时频障法比其他方法能节省很大的运算量,因而具有较高的应用价值。     

An Ultra-Low-Power Embedded EEPROM for Passive RFID Tags

采用Chartered 0.35μm EEPROM工艺设计并实现了一个适用于无源射频电子标签的256位超低功耗EEPROM存储器.芯片实现了块编程和擦写功能,并通过优化敏感放大器和控制逻辑的结构,实现了读存储器时间和功耗的最优化.最后给出了芯片在编程/擦写/读操作情况下的功耗测试结果.在电源电压为1.8V,数据率为640kHz时,EEPROM编程/擦写的平均功耗约为68μA,读操作平均功耗约为0.6μA.     

DFB-LD在不同温度下的频响测量

利用脉冲注入法测量了分布反馈激光器(DFB-LD)芯片温度与激射波长的关系.基于此关系测量了不同芯片温度下分布反馈激光器的小信号响应曲线、传输眼图和误码率,并讨论了温度、偏置电流对响应曲线、传输眼图和误码率的影响.     

高频大功率SiGe/Si HBT的设计

详细地阐述了高频大功率SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)设计中的一些主要问题,主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等.并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议.     

多点输入反应谱中相关系数ρ_(ijkl)的简化

对多点输入反应谱计算公式中的相关系数进行了简化,简化从频响函数和积分的特性两方面进行。首先将Hi(ω)Hj(ω)*写成实部与虚部和的形式,然后根据积分的特性,将相关系数中的积分次数由原来的i×j×k×l次(i、j为结构的振型个数;k、l为结构的支承点个数)减少到5×j×k×l次,仍为精确解,且计算时间大大缩短,使多点输入反应谱法的推广应用成为可能。