现役水工钢闸门结构可靠性鉴定时荷载取值分析

采用类比法确定现役水工钢闸门结构的荷载评估基准期。以静水压力为例，得了其在荷载评估基准期内的统计参数，讨论了闸门主梁受弯碱坏时可靠指标随继续使用期的变化。     

线性调频的脉冲压缩雷达视频信号仿真

利用数字方法实现线性调频的脉冲压缩雷达视频目标模拟信号具有诸多优点：信号模拟的精度高，灵活性好，幅度、相位补偿方便，可以模拟复杂情况，系统结构简单，可靠性高，可扩展性强。详细介绍了基于FPGA设计线性调频的脉冲压缩雷达视频目标模拟信号的原理、结构、具体实现以及简要的性能分析。结果表明该方案性能良好，具有现实可实现性。     

网络安全中的防火墙技术

介绍了防火墙的原理、分类及其应用     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

古洞口水利水电工程泄洪洞工作弧门安装工艺

介绍了古洞口工程泄洪洞工作弧门在特定地形下采用固定卷扬式启闭机和汽车吊配合闸室的预埋件进行闸门安装的施工工艺。对闸门的吊装、调整及焊接工艺的具体措施作了详细分析,解决了该工作弧门在洞内安装的关键施工技术问题。     

永定新河治理工程几个关键问题的研究

永定新河是天津市防洪的北部防线。由于受海相来沙淤积 ,河道行洪能力大幅度下降。针对永定新河治理工程设计中涉及到的河道淤积治理方案、闸位比选、防潮闸结构型式及施工方法、闸下减淤清淤措施等诸多问题进行了分析和研究 ,提出了相应的措施和建议     

基于B/S与C/S相结合的闸门自动调度系统

以上海市淀北片河网闸门为例,开发了以基于Web的B/S结构为主、B/S与C/S相结合的河网闸门自动调度系统,介绍了该系统的整体框架和各子系统的功能。经实践检验,基于B/S与C/S相结合的闸门自动调度系统发挥了B/S与C/S各自的优点,提高了防洪决策的及时性和准确性。     

西霞院水利枢纽工程泄洪闸振冲碎石桩基础处理

通过西霞院水利枢纽工程泄洪闸振冲碎石桩基础处理施工方法论述,给出了加砂层振冲碎石桩施工造孔水压、水量、成孔速度、填料级配、填料方法以及振密电流值、留振时间等施工控制参数。     

板栅模具设计中的几个问题

通过对板栅模具设计中遇到的几个实际问题的分析提出处理意见 ,从而达到科学合理地设计板栅模具。     

Electrochemically induced asymmetrical etching in InAlAs/InGaAs heterostructures for MODFET gate-groove fabrication

We have achieved a self-controlled asymmetrical etching in metalorganic chemical vapor deposition-grown InAlAs/InGaAs heterostructures, which can be suitable for fabricating modulation-doped field-effect transistors (MODFETs) with gate-groove profiles for improved performance. The technology is based on electrochemical etching phenomena, which can be effectively controlled by using different surface metals for ohmic electrodes. When surface metals of Pt and Ni are deposited on the source and the drain, respectively, the higher electrode potential of Pt results in slower etching on the source side than on the drain side. Thus, asymmetry of gate grooves can be formed by wet-chemical etching with citric-acid-based etchant. This represents a new possibility to conduct “recess engineering” for InAlAs/InGaAs MODFETs.