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971.
研究了复合纳滤膜制备过程中影响复合牢度和纳滤膜截留性能的几种力学因素:涂层液和基膜的表面张力控制,基膜表面的弯曲程度对涂敷的影响,复合过程中的Marangoni效应和以亲水材料为表层的纳滤膜所展示的"荷叶效应". 相似文献
972.
973.
新旧混凝土植筋结合面剪切性能试验对比 总被引:4,自引:1,他引:3
通过对加固工程中常用的膨胀水泥粘结植筋、环氧树脂粘结植筋和预埋钢筋三种不同植筋方式新旧混凝土植筋粘结试件剪切性能的试验,得出不同植筋率和不同植筋粘结剂对结合面抗剪能力的影响规律,并对不同植筋方式的效果进行比较分析。 相似文献
974.
975.
介绍了基于OPC DX规范的双机热备份控制系统的设计和实现.着重讨论了系统结构设计以及主从服务器通信机制,分析了主从服务器数据同步的实现方案. 相似文献
976.
为寻求制备性能良好的纳米厚度氮化硅(SiN_x)薄膜的方法,采用NH_3等离子体氮化、SiH_4/NH_3等离子增强化学淀积法及先氮化后淀积的方法制备了三种SiN_x薄膜,研究比较了三种薄膜的性质。用X射线光电子谱检测了NH_3等离子体氮化Si片得到的SiN_x薄膜的组分,利用椭圆偏振光谱仪测量薄膜厚度,估算了氮化速率。用NH_3和SiH_4作为反应气,分别在原始硅片和经过NH_3预氮化后的硅片上淀积厚度为5 nm、10 nm和50 nm的SiN_x薄膜。用电容-电压法研究了薄膜样品的电学性质,发现单纯用NH_3等离子体氮化的薄膜不适合做介质膜,而先用NH_3氮化再淀积SiN_x的样品比直接淀积SiN_x的样品界面性能明显改善,界面态密度降低到1~2×10~(11)eV~(-1) cm~(-2)。 相似文献
977.
本文提出了一种价位低廉、体积小巧的高性能PCI任意波发生器解决方案.通过一片EP1C3来实现32位DDS内核波形发生控制逻辑,采用Altera公司的PCI IP core来实现PCI接口逻辑,再辅以高性能的信号调理电路使得该波形发生器采样率达到100 MSPS、40 MHz正弦波输出、64 k任意波存储深度.同时,在Labwindows/CVI环境下开发了PCI接口程序和软面板,该系统广泛应用于工控、医疗等领域. 相似文献
978.
SiCp/Al复合材料的自发熔渗机理 总被引:1,自引:0,他引:1
以Mg为助渗剂,采用液态铝自发熔渗经氧化处理的SiC粉体压坯的方法,制备出高增强体含量的SiCp/Al复合材料.通过考察铝液在SiC粉体压坯中的渗入高度与温度、时间的关系来研究铝液的熔渗机理,并对SiCp/Al复合材料进行X射线衍射、能量散射谱和金相分析.结果表明:在熔渗前沿发生的液-固界面化学反应促进两相润湿,毛细管力导致铝液自发渗入到SiC多孔陶瓷中;熔渗高度与时间呈抛物线关系.熔渗激活能为166 kJ/mol,这表明渗透过程受界面反应控制.经氧化处理的SiC粉体均匀地分布在金属基体中,其轮廓清晰.在SiCp/Al复合材料中未发现Al4C3的存在. 相似文献
979.
980.
80C196KB的串行接口设计在锅炉控制系统中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了某造汽锅炉控制系统中的组态功能参数存储器与80C196KB接口的设计。在本系统中采用了24LC64串行E2PROM存储器,不仅减少了80C196KB的口线资源,也能完成在线参数设置和修改。 相似文献