基于GLM的多模光纤放大器模式控制研究

为了提高多模光纤放大器输出光束质量,基于多模纤芯中各个模式的传输和放大机理,提出了一种新的模式控制方法——增益-损耗控制,通过变化纤芯中掺杂的浓度、形状和材料,实现对高阶模式的抑制。根据多模纤芯双包层掺镱光纤放大器模型,对基于增益-损耗控制的选模特性进行了数值模拟和实例分析,得到了优化设计方法。结果表明,该方法可以有效抑制放大器中的高阶模,输出基模功率百分比可达90%以上。     

基于FPGA的内网安全防护系统关键技术研究

鉴于目前交换网络中安全防范的不足,提出了基于FPGA硬件的内网安全防护系统。该系统针对交换网络中流行的攻击手段及潜在的安全威胁,实时监听网络流量,发现并终止攻击,同时修复网络,以保障安全。测试结果表明：该系统对局域网内的主要攻击具有检测和防御功能,可以应用在通常的交换网络中实现安全防护。     

一维缺陷光子晶体多个禁带中的窄带缺陷模

用特征矩阵法研究了一维缺陷光子晶体的透射谱。结果发现:在一维缺陷光子晶体的透射谱中的多个禁带内都有窄带缺陷模,窄带缺陷模的波长越大,其宽度越大;当入射角增大后,波长越长的窄带缺陷模的强度变化越小,位置向短波方向移动越多,且S偏振光与P偏振光的窄带缺陷模的分离越大;增大一维缺陷光子晶体中周期性介质的厚度,窄带缺陷模的波长和移动的范围都增大。本研究对一维缺陷光子晶体的窄带缺陷模的选择使用具有重要意义。     

一种适应于高性能嵌入式闪存的低压灵敏放大器

本文提出了一种适应于高性能嵌入式闪存的低压灵敏放大器,通过采用电流比较技术和自动消失调技术,该灵敏放大器在低电源电压下获得了很好的性能,改善了低电流阈值窗口存储器的读取速度。基于上海宏力半导体制造公司130nm的嵌入式闪存工艺,该灵敏放大器的感应时间在1.5V的电源电压下达到了0.43ns,其感应速度比传统的灵敏放大器提高了46%     

同类2FSK混合信号中微弱信号提取方法研究

针对光传输系统的特点与要求, 基于有限域提出了一种新颖的扩展非规则重复累积准循环低密度奇偶校验码(eIRA-QC-LDPC)构造方法, 该构造方法可根据实际需要灵活地调整码长码率, 利用此方法构造了一种码率为0.937的novel-eIRA-QC-LDPC(4599,4307)码。仿真结果表明: 在误码率(BER)为10-7且码率均为0.937的情况下, 该novel-eIRA-QC-LDPC(4599,4307)码比ITU-T G.975中RS(255,239)码和ITU-T G.975.1中LDPC(32640,30592)码的净编码增益(NCG)分别改善了约2.13和1.33dB, 比用SCG构造方法构造的SCG-eIRA-LDPC(3717,3481)码和基于阵列码构造方法构造的Array-eIRA-QC-LDPC(4560,4275)码的净编码增益分别提高了约0.24和0.41dB, 距离香农限约1.07dB。因而该构造方法所构造的eIRA-QC-LDPC码具有更好的纠错性能, 更适合高速长距离的光传输系统。     

一种新型SiGe-OI脊形光波导的模式分析及结构参数优化

The mode of a novel SiGe-OI optical waveguide is analyzed, and its single-mode conditions are derived. The Ge content and structure parameters of SiGe-OI optical waveguides are respectively optimized. Under an operation wavelength of 1300 nm, the structures of SiGe-OI rib optical waveguides are built and analyzed with Optiwave software, and the optical field and transmission losses of the SiGe-OI rib optical waveguides are analyzed. The optimization results show that when the structure parameters H, h, W are respectively 500 nm, 250 nm, 500 nm and the Ge content is 5%, the total power loss of SiGe-OI rib waveguides is 0.3683 dB/cm considering the loss of radiation outside the waveguides and materials, which is less than the traditional value of 0.5 dB/cm. The analytical technique for SiGe-OI optical waveguides and structure parameters computed by this paper are proved to be accurate and computationally efficient compared with the beam propagation method （BPM） and the experimental results.     

相控阵天线系统散射分析

该文采用S参数分析了有源相控阵天线单元馈电系统模型的接收机负载反射系数.将该反射系数代入阵列天线散射场基础理论公式分析了有源相控阵天线的散射场,将有源相控阵天线的天线模式项散射场分为天线模式反射散射场和天线模式相控散射场进行分析.最后通过一维线阵验证了理论分析结果.该分析方法和分析结果为相控阵天线RCS计算和控制提供了理论指导.     

矩形波导到高功率过模圆波导模式转换器的设计

矩形波导到高功率过模圆波导模式转换器是高功率微波测试系统中的关键组件.针对这一问题,本文首先建立了模式转换器的N端口波导结全波分析模型,然后计算了模式转换器的反射系数.给出一种优化设计方法.最后,优化设计了一个X波段的矩形波导到高功率过模圆波导模式转换器,其结构紧凑,反射系数小且电场极化为垂直方向.测量结果与仿真结果吻合良好,证明了设计方法的可行性.     

Performance of Hybrid Laser Diodes Consisting of Silicon Slab and InP/InGaAsP Deep‐Ridge Waveguides

The fundamental transverse mode lasing of a hybrid laser diode is a prerequisite for efficient coupling to a single‐mode silicon waveguide, which is necessary for a wavelength‐division multiplexing silicon interconnection. We investigate the lasing mode profile for a hybrid laser diode consisting of silicon slab and InP/InGaAsP deep ridge waveguides. When the thickness of the top silicon is 220 nm, the fundamental transverse mode is lasing in spite of the wide waveguide width of 3.7µm. The threshold current is 40 mA, and the maximum output power is 5 mW under CW current operation. In the case of a thick top silicon layer (1 µm), the higher modes are lasing. There is no significant difference in the thermal resistance of the two devices.     

单相短柱型直线超声电机的设计

提出了一种单相驱动的立式短柱型压电直线超声电机,论述了该电机的动作原理和设计过程。该电机利用纵向振动和横向振动的耦合模态工作。为获得同一驱动频率的一致的双向运动特性,该电机采用对称结构,利用压电陶瓷在短路和开路时弹性模量存在差异的特性,用单相驱动信号实现了纵向和弯曲耦合模态的有效激发。以增大电机弯曲振动模态前后振幅比为目标,利用三自由度集中质量的简化模型,优化了定子的结构。制作了电机的原理样机,对其进行了输出性能测试。实验结果表明,电机的输出性能良好。电机定子长22 mm,自重3.3 g,0.3 N输出推力下最大速度达140 mm/s,5 N预压力下最大输出推力近1 N。