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水平井直井联合布井方式越来越多地应用到油田的实际开发中,但是井网的选择与优化方面的研究比较少,特别是没有根据不同开发阶段变化的生产动态对水平井井网进行优化。应用人工神经网络技术,在进行数值模拟计算的基础上,制作样本并训练网络,可预测任意面积、任意水平井长度下的五点法水平井井网在不同开发阶段的生产动态,优化出不同生产时间和不同井网面积条件下最优井网穿透比,即生产10a时最优井网穿透比为0.55~0.8。与数值模拟结果进行对比,最大误差在1%以内,表明这种方法既快速简便又具有较高的精确性,可以有效地指导五点法水平井井网优化设计。 相似文献
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大庆油田水平井分流压裂技术 总被引:3,自引:0,他引:3
水平井分流压裂的技术原理是将水平井的水平段分成若干个单元,在每个单元的最佳部位进行射孔,每段的射孔数由孔径、单元数、设计施工排量等参数决定,射孔方案为压裂方案的有机组成部分。大庆油田已有5口水平井实施分流压裂,根据油层厚度分为两类:裂缝限制在油层内和裂缝穿透隔层贯穿多个薄油层。通过肇57-平35井和肇57-平33井进行的分流压裂贯穿多个油层现场试验,介绍了大庆油田水平井分流压裂的设计方法、压裂液体系、现场施工控制方法和效果分析方法。微地震裂缝监测结果表明,在最大施工排量7.5m^3/mim条件下,一次施工形成3~4条裂缝,加砂量最大达到75m^3(陶粒),平均砂比达到35%以上。水平井采用分流压裂技术施工后,初期产能可达到相邻直井压裂后产能的2.0倍以上。如何检测裂缝是否穿透了隔层并贯穿多个油层,是指导水平井分流压裂技术的选井选层,提高压裂效果的关键技术。图8表2参2。 相似文献
64.
65.
小井眼侧钻短半径水平井钻井技术 总被引:3,自引:0,他引:3
侧钻短半径水平井与常规中、长半径水平井相比较除具有提高油气采收率共性外,还具有成本低、周期短、见效快等特点。从侧钻短半径水平井施工特点、剖面设计、开窗工具及开窗方式的选择、轨迹控制、测量方式及测量工具的选择以及钻井液设计等方面对小井眼侧钻水平井技术进行了介绍,并结合实钻经验给出了各阶段相应的钻具结构和技术措施及注意事项等,采用小井眼侧钻短半径水平井钻井技术,对塔河油田奥陶系油藏进行了勘探开发并取得圆满成功,取得了较好的效果。对今后同类型井的钻井设计、施工有一定的指导和借鉴意义。 相似文献
66.
射孔水平井中地层流体的流动是符合达西定律的,但水平井射孔工艺、完井方式以及井位等因素的影响,比垂直井复杂。本文将射孔后的流动看成线源,根据Newman乘积原理,用Green函数的方法得到井底压力解析解。在此基础上,将射孔时的地层压实和井壁污染用表皮来表示,并考虑井筒存储,得Laplace空间上的表达,最后用Laplace数值反演得到时空间上的解,利用该解可以有效预测水平井的产能。 相似文献
67.
云2-平1多台阶变方位水平井钻井液技术 总被引:1,自引:0,他引:1
云2-平1井是位于复杂断块油气田上的一口中曲率半径水平井,水平段长820.86 m,水平段多台阶、方位角变化幅度大(29.6°),井下摩阻大,钻井液的携砂、润滑及防卡能力是该井钻井成功的关键。该井选用有机正电胶-聚合物钻井液体系,用高分子量聚合物胶液进行维护,以提高体系的悬浮携岩及防塌能力,通过加入液体磺化沥青、原油及与之相配伍的固体乳化剂来提高润滑性,配合良好的四级固控设备及时清除有害固相,使钻井液性能稳定且易于调整,增强了泥饼的韧度和强度,完全达到了充分悬浮携带岩屑、润滑防卡、稳定井壁的要求。在钻进过程中仔细观察钻井液的动切力、动塑比、静切力初终值、固相含量、含油量、膨润土含量等性能参数的变化,“细化、超前、配套”是该井钻井液性能稳定、效果良好的主要维护处理经验。下套管、钻杆输送测井顺利,井下摩阻始终小于10 kN,全井安全无事故,仅用45d8 h钻完3200 m的进尺。 相似文献
68.
大坝水平位移监控指标拟定的混合法 总被引:2,自引:0,他引:2
用混合法拟定了大坝水平位移的监控指标,即通过结构分析和建立数值 模型,计算大坝水平位移的水压分量和给定概率水平下的温度分量极值,进而拟定水平位移 监控指标,并给出了实例。 相似文献
69.
Nucleation kinetics during the growth of InxGa1−xN on a GaN substrate have been studied. The behavior of nonequilibrium between the InxGa1−xN and the GaN substrate has been analyzed, and hence, the expression derived for the stress-induced supercooling/superheating
has been numerically evaluated. The maximum amount of stress-induced supercooling is found to be 1.017 K at x=0.12. These
values are incorporated in the classical heterogeneous nucleation theory. Using the regular solution model, the interfacial
tension between the nucleus and substrate and, hence, the interfacial tension between nucleus and mother phase and thermodynamical
potential of the compounds have been calculated. The amount of driving force available for the nucleation has been determined
for different compositions and degrees of supercooling. It has been shown that the value of the interaction parameter of InN-GaN
plays a dominant role in nucleation and growth kinetics of InxGa1−xN on a GaN substrate. These values have been used to evaluate the nucleation parameters. It is shown that the nucleation barrier
for the formation of a InxGa1−xN nucleus on a GaN substrate is minimum in the range of x=0.12 to x=0.17, and it has been qualitatively proved that good quality
InxGa1−xN on GaN can be grown only in the range 0<x≤0.2. 相似文献
70.