GaN基LED与Si键合技术的研究

采用金属键合技术结合激光剥离技术将GaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上。利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN扩散所起的阻挡作用,确定键合所需的金属过渡层。利用多层金属过渡层,在真空、温度400℃和加压300 N下实现GaN基LED和Si的键合,通过激光剥离技术将蓝宝石衬底从键合结构上剥离下来,形成GaN基LED/金属层/Si结构。用金相显微镜及原子力显微镜(AFM)观察结构的表面形貌,测得表面粗糙度(RMS)为12.1 nm。X射线衍射(XRD)和Raman测试结果表明,衬底转移后,GaN基LED的结构及其晶体质量没有发生明显变化,而且GaN与蓝宝石衬底间的压应力得到了释放,使得Si衬底上GaN基LED的电致发光(EL)波长发生红移现象。     

一种增加LED照明时序彩色投影系统亮度的方法

基于微型投影显示的色域特性和色彩实现机制,提出了一种提高微型投影系统亮度的方法。在基色子帧中引入其它基色,实现基色坐标的变换,再对微型投影系统亮场白平衡,分析并比较系统在绿色基色校正前后的性能。从理论分析了各色LED的最大工作电流、各基色色坐标和白场色坐标对通过基色校正提高亮度效果的影响。将该方法应用于实验室研发的微型投影系统,在保证系统显示性能的同时,亮度有了25.24%的提升。     

基于红外原理的微型多气体检测系统的设计

为了解决目前煤矿瓦斯事故以及大量使用天然气的家庭安全、环境污染等问题,设计并开发了一种具有集成化、微型化的红外多气体检测系统,通过实验数据的测试对比和数据分析,这种系统达到了微功耗、微体积、宽量程、高分辨率等技术要求,且能集成多气体检测的微型检测系统.重点介绍了红外检测的光学原理,以及从单气体检测引入到集成多气体检测的设计思想和方法,并介绍了有关CAN总线的数据传输方式和无线数据通信方式在系统中的应用.     

基于ARM9大功率半导体照明器智能驱动的开发

介绍了三星公司ARM9微处理器S3C2410A,并将其作为开发平台应用到大功率半导体照明器智能驱动的软硬件设计中,详细给出了系统的硬件结构和软件流程图,并利用积分分离的PID控制算法执行脉宽调制,开发出输出电流偏差小于0．9％,输出功率高达120W的高效半导体照明器的智能恒流驱动,该套驱动装置已得到应用,效果稳定。     

自源无线温度检测技术的研究与应用

基于温差模块、DS18B20和红外技术的自源无线温度检测技术,利用故障发热部位与环境的温度差发电自给,解决高压现场内难以获得低压电源的问题;利用红外线传输信号,避免在高压变电站中布线和信号受高压现场的强电磁干扰.实验结果表明,半导体温差模块输出电压与温差在一定范围内呈线性关系,温差越大,输出电压越大.采用带有超低压启动器的DC/DC电压提升电路进行电压提升,解决实际应用中由于温差过小而导致的半导体温差模块输出电压过低,不足以提供所需的电压问题.     

测试距离对LED灯具光强检测精度的影响

阐述了光强测试的重要性,分析了2种不同光源(点、面)的测试原理,根据测试原理,推导出3种不同的面光源(圆盘形面光源、长条形面光源、长方形面光源)对于不同的测量距离的误差。提出了测试空间的建议,即在满足一定的误差下,可以容许的最小测试距离,从而为室内测试节省大量空间。     

LED汽车前大灯散热与光衰研究

要实现LED作为汽车绿色节能照明的目标,必须解决LED高效率散热的问题.因此,减小LED前大灯工作温度对光衰和寿命的影响是必须解决的技术难题.着重讨论大功率LED应用在汽车大灯上解决散热和光衰的思路和方法,并且对比分析试验样件和目标产品上获得相关数据.     

准直LED光斑定位系统设计

针对准直激光在长期工作过程中很难克服的漂移问题,设计了一套准直发光二极管（LED）光斑定位系统。该系统将LED光源发出的光经透镜汇聚进光纤,再经过准直器准直输出,用CCD探测光斑图像,采用多圆拟合法定位光斑位置。将系统与定制的半导体激光器（LD）准直定位系统进行了长期稳定性对比实验。结果表明,所设计的准直的LED光斑定位系统光斑位置漂移量更小,稳定性更高,可以作为高精密光学测量的定位基准光源。     

一种基于红外被动探测的车辆制动方法研究

为了进一步提高车辆防撞装置的可靠性、有效性,提出一种新的设计方法.该设计采用红外被动探测技术检测车辆前方障碍物,并将检测到的信号输入单片机,单片机通过判断接收红外辐射信号的变化,利用定时功能按时间顺序依次触发光报警、语音报警以及启动刹车.红外被动探测器的使用改变了现有车辆防撞装置的设计思路,省去了发射部分,简化了设计;依时间先后触发报警信号避免了测距,提高了信号处理的速度,一定程度上改善了车辆防撞装置的性能.仿真结果表明,该方法具有较好的实用性.     

Formation mechanism of subtrenches on cone-shaped patterned sapphire substrate

In this paper, the cone-shaped patterned sapphire substrates (PSS) were etched by an inductively couple plasma with BCl 3 as the reacting gas. The influence of the operating pressure and the RF bias power on subtrenches of the cone-shaped PSS and the formation mechanism of subtrenches were investigated. The profiles of patterns were characterized by FESEM (field emission scanning electron microscope). It showed that the subtrench size varied with the operating pressure and the RF bias power. As the operatin...