光纤-五类线分布系统在城中村深度覆盖优化的应用

文章基于光纤-五类线分布系统的基本原理,再结合城中村无线环境特点、传播模型及链路损耗,重点阐述了光纤五-类线分布系统在城中村深度覆盖优化的应用方案及工程实践。     

星载SAR广义聚束模式天线波束控制研究

该文介绍了广义聚束概念并建立了星载SAR广义聚束模式简化空间几何模型。在此基础上研究了天线波束指向角的控制方法,得出了在合成孔径时间内实时控制天线波束指向角的理论依据。最后结合一组系统参数给出了波束指向控制的实验结果,验证了理论公式。     

自动选择工作模式的宽范围稳压器

图1所示电路可在外部DAC（未示出）控制下为EEPROM提供编程电压。您可以用一个电位器来代替该DAC，以建立从12V电源上工作并能提供OV～32V可变输出电压的通用电源。如图1所示，凌特科技公司（Linear Technology）的LT1072HV型可变升压开关稳压器IC1，驱动一个由运放IC2、升压级Q3及发射极跟随器达灵顿晶体管Q2组成的A类放大器。电阻器R9和R10将放大器的正相环路增益设定为1＋（R9／R10）。     

超高压变质岩中辉石类矿物的超微结构特征

高压超高压变质岩中保存的各种矿物形变痕迹的缺陷构造，展现了主本岩石俯冲、超高压变质作用、冷却以及剥露过程中的复杂地质环境、退变质作用和形变效应等方面的超微范围信息。本工作利用透射电镜（TEM）和参量色散X-射线谱仪（EDS）观察并分析了辉石类矿物微结构及其缺陷构造，其中硬玉、绿辉石为高压超高压特征矿物，透辉石、单斜辉石为则变质阶段听形成的退变质矿物。     

微接触印刷术--制备纳米器件的新技术

介绍了纳米结构制作的一种新方法——微接触印刷术的工艺流程和关键技术,并简要分析了影响微印刷技术的几个因素。它克服了传统光刻技术的缺陷,能在金、银、硅片等多种基材上制作平面和曲面上的纳米–微米量级的精细结构。精确重复,工艺简单,对实验室条件要求不高,加工成本低,生产效率高。     

聚吡咯衍生物的合成及其三阶非线性光学性能

以吡咯为原料,通过逐步分子设计合成了聚3 丁酰基吡咯(PBPY)和聚[(3 丁酰基吡咯 2,5 二)对二甲氨基苯甲烯](PBPDMABE)。通过氢核磁(1 H NMR)、傅里叶 红外(FT IR)、和紫外 可见(UV Vis)光谱对反应中间体和目标产物的结构进行了详细表征。对 PBPY和 PBPDMABE粉末进行了 I掺杂处理,采用四探针法对本征态和掺杂后的聚合物电导率进行了测量,测试结果表明,经过 I掺杂处理后PBPY和PBPDMABE具有较高的电导率,分别为1.3×10-1 S/cm和3.8×10-6 S/cm。根据光学禁带宽度与入射光子能量的关系,计算了PBPY和PBPDMABE薄膜的光学禁带宽度,分别为 2.06 eV和1.79 eV。利用后向简并四波混频(DFWM)技术测量了 2 种聚合物薄膜的三阶非线性极化率。结果表明,在波长为532 nm的激光作用下,PBPY和PBPDMABE的三阶非线性极化率分别为8.75×10-10 esu和4.65×10-8 esu。     

片上扬声器（SPoC）解决方案

CX20562将数字音频／语音处理器、音频编解码器及D类放大器集成到单个高性价比封装。其主要功能包括先进声音处理、旧声消除和实现卓越音质的降噪技术。     

一种高温合金1 100 K下表面偏聚行为的AES动态原位分析

本文在改造的俄歇电子能谱仪(AES)上对一种Ni基高温合金的界面偏聚行为进行了高温下的动态原位分析实验研究.在1 100 K保温条件下,获得了S和La向材料表面偏聚的动力学数据,结果表明保温过程中S和La均向表面扩散,偏聚动力学曲线具有平衡偏聚特征.运用Ar 离子剥离技术获得成分偏聚的深度分布结果显示,S和La都只在表面的几个原子层富集.     

FET驱动300B合并式单端功放的设计与制作

该单端A类功放设计独特．性能卓越，音质清澄，胆韵浓郁，外形见图1。     

新品发布——消费电子

数字芯片提供高品质无线音频流，D类放大器提供高保真音质，HDMI数字和模拟接口，高清电视HDMI接收器