基于单纵模布里渊激光器的微波信号产生的研究

为了获得高精度的可调谐微波信号,利用掺铒光 纤作为饱和吸收体构成Sagnac环作为 激光单纵模选择元件,该选择元件与环形腔布里渊激光器构成双环结构的单纵模布里渊激光 器,设计一种串联结构双PID高精度温度控制系统,通过串联PID算法,利用闭环负反馈结构 实现温度的高精度、高稳定控制,当温度从26 ℃上升到目标温度40 ℃时,建立稳态的时间为 35 s,超调量仅为0.1%。利用该温度控制系统 控制布里渊激光器,当温度从25 ℃到85 ℃变 化 时,获得了11.04到 11.106 GHz的微波信号输 出,信号频率和温度的斜率为1.1 MHz/℃,当 泵浦波长从1528 nm到1565 nm变化时,获得了11.04到10. 77 GHz的可调谐微波信号输出。     

Li2O-B2O3复合掺杂对BaAl2Si2O8陶瓷结构与介电性能的影响

采用传统固相反应工艺,按质量分数合成BaO-Al2O3-SiO2-5%(xLi2O-yB2O3)(x=0. 2~0. 6,y=0. 8~0. 4)陶瓷。研究xL-yB烧结助剂对BAS系微波介质陶瓷的结构和介电性能的影响。通过Clausius-Mossotti公式计算讨论了BAS理论与实验介电常数的差异。研究结果表明:xL-yB烧结助剂中Li+进入钡长石Ba2+位,并产生了O2-空位,促进BAS六方相向单斜相转变。添加适当比例的xL-yB烧结助剂后,BAS陶瓷的烧结温度从1400℃降低到925℃,同时BAS陶瓷样品密度、品质因数(Q×f)值以及谐振频率温度系数(τf)得到改善。当烧结助剂为0. 5L-0. 5B,烧结温度为925℃时,可获得综合性能相对较好的BAS陶瓷,其介电性能:εr=6. 74,Q×f=26670 GHz,τf=-21. 09×10-6℃-1。     

La0．8Sr0．2Mn0．98-xFexNi0.02O3吸波性能研究

用溶胶-凝胶法制备了La0．8Sr0.2Mn0．98s-xFexNi0.02O3（x=0．08,0．10,0．12,0．14）粉晶,用矢量网络分析仪测量了样品在2～18GH：频段内的微波吸收特性曲线。研究结果表明,样品都有一个吸收峰,峰高及位置随x不同而异。其中,x=0．10,厚度1．80mm,吸收峰高达23dB,在2～18GHz频段吸收带宽6GHz（〉10dB）。掺杂Mn位,可以改变材料的电磁参数,改善材料的微波吸收性能。     

基于光注入半导体激光器的超宽带信号产生

提出一种基于光脉冲注入条件下半导体激光器腔 内交叉增益调制(XGM)效应的超宽带(UWB)信号产生方案,通过一个增益开关激光器(ML)、 一个半导体激光器(SL)和一个光带通滤波器(OBPF),在平衡探 测器(BPD)端口直接检测输出重复频率为2.5GHz的UWB一阶微分(Mo nocycle)和二阶微分(Doublet)信号, 而且通过引入马赫-曾德尔调制器(MZM),还可对产生的UWB信号实现开关键控(OOK)。 对所提系统 进行了全面的系统仿真分析,并进行了实验验证,实现了上述各种条件的UWB信号产生,并 实现了UWB信 号的40km光纤传输实验。实验结果表明:该方案获得的UWB信号的频 谱与美国联邦通信委员会(FCC)定制的EIRP标准吻合,同时经过调制的 UWB信号的波形经40km光纤传输之后基本保持不变。为了证明本文方 法产生的UWB信号的重复变化特点,还产生了频率为3.75GHz的UWB信 号。     

微波辐射计对月面特征参数的遥感理论模拟

根据现有的多通道被动辐射计技术，讨论微波辐射遥感月壤月岩特征参数的几个问题。由半空间非均匀温度、介电廓线分布的耗散介质的月壤模型与WKB方法，计算了月壤的多通道微波辐射传输的权重函数与相应的穿透深度。提出模拟多层月壤月岩的多层密集粒子介质辐射传输的一种建模，在各有关参数条件下计算了各通道的多层月壤月岩辐射亮度温度。并以此结果为理论观测，讨论了月壤厚度等参数反演可予以实施的方法。     

基于Windows平台的微波折射率仪数据采集系统

给出了在Windows98下折射率仪数据采集系统的软件实现方案，介绍了在Windows98操作系统平台下如何通过虚拟设备驱动程序去控制折射率仪信号采集卡，并对本系统的应用进行了简单的描述。     

回旋速调管群聚腔研究

本文采用场匹配法对回旋速调管群聚腔进行了理论分析和数值模拟,讨论了两端开孔对腔谐振特性的影响及引入损耗介质层降低Q值方法,给出了一种工作频率为34GHz,工作模式为TE 01的回旋速调管低Q群聚腔的计算结果,结果表明,开孔大小明显影响腔内的谐振特性及驻波分布,损耗介质层的厚度增加将使群聚腔Q值迅速降低,选择适当的腔体结构,损耗介质及其厚度能有效地降低Q值,满足设计要求.     

性能优良的RCA微波功率晶体管

首次采用多晶硅发射区 RCA技术制备出微波功率晶体管。在工作频率为 3 .1 GHz时 ,该器件输出功率达到 6W,功率增益达到 1 0 d B。与普通多晶硅发射区 HF晶体管相比 ,此种晶体管具有电流增益 h FE随温度变化小、并且在一定温度下达到饱和的优点 ,从而可以在一定程度上抑制微波双极功率晶体管由于温度分布不均匀导致的电流集中。文中还讨论了不同的杂质激活条件对 RCA器件直流增益的温度特性的影响及对微波性能的影响     

一种K波段GaAs MESFET压控振荡器的设计

利用微波晶体管的负阻特性,基于Agilent ADS软件,设计出一种K波段微带结构、变容管调谐的MESFET压控振荡器(VCO)。对VCO进行实测．结果表明,VCO的中心频率为20.56GHz,调频带宽大于100MHz,带内输出功率大于2mW,相位噪声大于-90dBc／Hz@100kHz,满足实际应用。     

高功率微波作用机理及影响条件分析

高功率微波武器在战场上的应用日趋广泛 ,并且日益成为战场上各种武器设备中的电子系统和作战人员的重要威胁。列举高功率微波的常用破坏阈值 ,并试图从其杀伤机理 ,大气对其传输的影响等方面作一些探讨