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81.
基于离子束辅助镀膜技术,自主研制了一款新型霍尔无栅离子源,利用该离子源,采取离子束辅助沉积方法,在玻璃基底上镀制了多种光学薄膜,并对所镀制光学薄膜的性能进行了测试。测试结果表明:所研制的霍尔无栅离子源制备的各种光学薄膜,其膜层强度、附着性、耐腐蚀性以及光学性质都比常规热蒸发工艺所制得的薄膜有明显改善。 相似文献
82.
介绍一种以交流变频调速主轴电机驱动、串接一个3档分级变速机构,实现主轴无级变速的数控车床主运动传动系统。本系统满足主轴以最低转速切削时有足够大的功率,主轴恒功率区的变速范围较大且没有功率缺口,总降速比大,增扭倍数多,恒扭矩区的扭矩大。本分级变速机构采用背轮机构,为独立的简单变速箱,可以做成通用部件。这种分离传动布局形式比集中传动有诸多优点。 相似文献
83.
84.
主要研究无水无泥咸蛋的腌制方法.鲜蛋经浸渍液浸泡后,用天然调味料加盐包裹鲜蛋,放入泡菜坛中腌制,得到成香可口的咸蛋.调味料的最佳配方:八角3 g,桂皮8 g,豆蔻3 g,良姜 8g,茴香3 g,山楂粉12 g,食盐150 g.在此基础上对此配方做进一步的评价,包括口感评定、蛋黄色素等级评定、蛋黄指数测定、水分测定、盐分测定.结果表明,此法腌制的咸蛋,味道鲜美细嫩、蛋白晶莹、蛋黄黄润,并有特殊的馥郁的香味. 相似文献
85.
蔬菜是人们餐桌上必不可少的食物,重金属在受污染的自然环境中又无处不在,而蔬菜中的重金属含量尤其令人担忧。本文使用原子吸收分光光度法(石墨炉)和原子荧光分光光度法检测了广州市郊某垃圾填埋场附近所种植蔬菜中重金属含量。结果:抽样由2013年10月至2014年9月共持续一年,共抽样检测12次,按平均每个月一次的频率,检测结果并未发现有蔬菜超出国家规定的限量值。 相似文献
86.
S.M. Deshmukh C.K. Ghatak P.R. Arya A. Subhananda Rao 《Journal of Energetic Materials》2013,31(4):321-331
In an attempt to replace toxic ingredients like lead ferrocyanide (LFCN) in electrical squibs, experiments were conducted by using barium ferrocyanide (BFCN) as an ingredient of squib composition. Electrothermal response (ETR), functional characteristics such as no-fire current (NFC) and all-fire current (AFC), were studied and compared with lead ferrocyanide-based squibs. Threshold firing currents were determined using the Bruceton staircase method. The squibs were also subjected to accelerated ageing and performance was evaluated. The results indicate better performance of barium ferrocyanide squibs to electrothermal response and a higher threshold no fire current, making it comparatively safe to handle as compared to lead ferrocyanide–based squibs. The results of accelerated ageing indicate a reasonable shelf life. ETR technique is found to be a good diagnostic tool for quality control. 相似文献
87.
88.
氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的热、电、力、光学性能,具有广阔的应用前景,已经引起了国内外研究者的广泛关注。以无水乙醇和异丙醇为混合溶剂,研究了分散剂添加量、Y值(表示粘结剂和增塑剂质量之比)、固含量及溶剂种类对AlN浆料性能的影响。在不添加二甲苯的前提下,当分散剂添加量为1.0%(质量分数)、Y值为0.75时,制备了固含量为39.5%(体积分数)的低黏度AlN浆料,并利用流延成型制备了AlN生坯,在氮气气氛中1 825℃,保温4 h烧结后得到相对密度为99.8%、热导率为178 W·m–1·K–1的AlN陶瓷。 相似文献
89.
90.
在28 nm低功耗工艺平台开发过程中,对1.26 V测试条件下出现的SRAM双比特失效问题进行了电性能失效模式分析及物性平面和物性断面分析.指出失效比特右侧位线接触孔底部空洞为SRAM制程上的缺陷所导致.并通过元素成分分析确定接触孔底部钨(W)的缺失,接触孔底部外围粘结阻挡层的氮化钛(TiN)填充完整.结合SRAM写操作的原理从电阻分压的机理上解释了较高压下双比特失效,1.05 V常压下单比特不稳定失效,0.84 V低电压下失效比特却通过测试的原因.1.26 V电压下容易发生的双比特失效是一种很特殊的SRAM失效,其分析过程及结论在集成电路制造行业尤其是对先进工艺制程研发过程具有较好的参考价值. 相似文献