地方水电站工程测量实践总结

本文总结了昆明院地方水电站工程测量的实践经验．根据地方水电站工程测量的特点，因地制宜地布设多种形式的测图控制网和施工测量控制网．     

无线局域网安全问题研究

为了提供相当于有线局域网的数据安全,IEEE802.11定义了有线等价保密(WEP)协议。然而,最近的研究发现WEP存在严重的缺陷。介绍了无线局域网存在的安全隐患,分析了WEP的结构以及WEP协议的缺陷以及可能遭受的攻击,并探讨了改进方案。     

我国固定网本地环路分拆问题的探讨

我国电信业新的竞争格局和宽带接入需求的增长推动了固定本地网领域的竞争。本地环路分拆有助于促进竞争同时减少重复建设。本文介绍了本地环路分拆的概念，对我国实施本地环路分拆的必要性进行了论述，并借鉴其他国家的实施经验，对我国实施本地环路分拆的监管政策提出了建议。     

关于移动本地传输网建设若干问题的考虑

根据移动公司的特点对移动本地传输网建设的必要性、网络的分层、业务需求、发展策略、建设思路、设备/光缆选型等问题进行论述，以期指导移动本地传输网的建设。     

宽带VPDN技术及其在城域网中的应用研究

简单介绍了宽带VPDN业务，分析了宽带VPDN基本原理及其在宽带IP城域网上的基本应用模式，并介绍了在宽带IP城域网上进行的宽带VPDN试验情况。     

无线局域网技术及应用

无线局域网技术是目前发展迅速的技术，相对于有线局域网有许多优点。随着无线网络产品性能的提高和价格的不断下降，无线局域网技术有着广泛的应用前景。据此对无线局域网的基本概念、特点及其技术作了简单的介绍，提出了无线局域网面向应用的几种解决方案，并对发展前景作了预测。     

地方高等工科院校新办电子信息类专业建设模式与创新体系研究

针对我国地方高等工科院校新办电子信息类专业的建设模式与创新体系问题进行了研究。在分析和总结现有专业建设工作的基础上,提出新办电子信息类专业的学科定位和办学指导思想、师资队伍建设模式、学位建设模式与方法、科研水平提升的途径和方法。详细论述了其专业培养模式和课程体系建设问题。上述问题的研究结果,对于地方高等工科院校新办电子信息类专业的建设有一定的参考意义。     

基于 VCTCXO 的高稳定度时钟设计

高稳定度时钟广泛应用于广播电视播出发射系统中。基于GPS授时功能,将GPS秒脉冲信号（1 PPS）分频处理,可大大减少随机误差,时钟用分频后的1 PPS微调,可得到高稳定度时钟。利用低成本的VCTCXO和STM32F051单片机等器件设计了一个高稳定度时钟模块,介绍了设计思路及设计过程,包括电路框图、程序流程等,经测试,频率均方误差小于2×10-9。时钟模块成本低、体积小、使用灵活,具有较高的应用价值。     

WLAN无感知认证关键技术探讨

WLAN无感知认证是一种由终端自动识别的接入认证方式,为用户提供方便快捷的WLAN接入服务,极大地改变传统繁琐的接入方式,有效地提升用户感知.首先介绍WLAN业务现状及认证存在的问题,通过对IEEE 802.1x体系结构及认证方式的分析,探讨基于EAP身份认证协议的无感知认证方式的技术原理、网络结构、认证流程等关键技术,并对3种主流的无感知认证方法进行详细的分析比较,最后对其应用推广进行总结.     

20.1%‐efficient crystalline silicon solar cell with amorphous silicon rear‐surface passivation

We have developed a crystalline silicon solar cell with amorphous silicon (a‐Si:H) rear‐surface passivation based on a simple process. The a‐Si:H layer is deposited at 225°C by plasma‐enhanced chemical vapor deposition. An aluminum grid is evaporated onto the a‐Si:H‐passivated rear. The base contacts are formed by COSIMA (contact formation to a‐Si:H passivated wafers by means of annealing) when subsequently depositing the front silicon nitride layer at 325°C. The a‐Si:H underneath the aluminum fingers dissolves completely within the aluminum and an ohmic contact to the base is formed. This contacting scheme results in a very low contact resistance of 3.5 ±0.2 mΩ cm² on low‐resistivity (0.5 Ω cm) p‐type silicon, which is below that obtained for conventional Al/Si contacts. We achieve an independently confirmed energy conversion efficiency of 20.1% under one‐sun standard testing conditions for a 4 cm² large cell. Measurements of the internal quantum efficiency show an improved rear surface passivation compared with reference cells with a silicon nitride rear passivation. Copyright © 2005 John Wiley & Sons, Ltd.