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41.
42.
Kenji Nomura Hiromichi OhtaKazushige Ueda Toshio Kamiya Masahiro HiranoHideo Hosono 《Thin solid films》2003,445(2):322-326
We have investigated the characteristics of transparent metal-insulator-semiconductor field-effect transistors (MISFETs) fabricated using InGaO3(ZnO)m (m=integer) single-crystalline thin films as n-channel layers and amorphous alumina as gate insulator films. The MISFETs exhibit good characteristics such as insensitivity to visible light illumination, off-current as low as ∼1 nA with a positive threshold voltage of ∼3 V and on/off current ratio of 105. The field-effect mobility increased from ∼1 to ∼10 cm2 (V s)−1 as the m-value increased. Room temperature Hall mobility also increased. However, unexpectedly these values were lower than the field-effect mobility. It is explained by existence of shallow localized state in the homologous compounds. 相似文献
43.
44.
45.
46.
钇铁石榴石薄膜材料的光吸收谱及Bi,Al掺入对谱的影响研究 总被引:2,自引:1,他引:1
采用单离子晶场跃迁模型,拟合出钇铁石榴石(YIG)薄膜材料的光吸收谱,与实验谱吻合得较好。从实验和理论上分析了(BIAI)YIG 薄膜材料的光吸收谱,结果表明,Al3+离子的作用如同稀释剂一样,减小了光吸收,Bi3+离子由于其强的自旋轨道耦合作用,增大了跃迁振子强度和跃迁线宽,从而增大了光吸收损耗,在此基础上所作的(BiAl)YIG的理论谱与实验谱符合得较好。 相似文献
47.
49.
High-T
c
Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O thin films have been made on single-crystal MgO substrates using high-pressure dc sputtering technique. X-ray studies confirm the crystallinity and highly oriented structure withc-axis perpendicular to the substrate. By optimizing the annealing schedule the formation of the high-T
c
phase is stabilized. The best film exhibited superconducting transition temperature with zero-resistance temperature,T
c(0), as high as 101 K. Temperature dependence ofJ
c
indicates the presence of Josephson-type weak links. 相似文献
50.