换流站支柱绝缘子在高海拔地区的污秽外绝缘特性

支柱绝缘子作为换流站必不可少的绝缘配件,研究其外绝缘性能有重要意义。为此,总结了国内外关于换流站支柱绝缘子的污秽外绝缘特性研究工作,并结合我国特高压直流输电工程面临的特有技术问题,在实际高海拔地区对特高压直流全尺寸支柱绝缘子试品进行了人工污秽试验研究。试验分别得到了瓷和复合2种材质的换流站支柱绝缘子在不同污秽度条件下的50%污耐受电压曲线,并与相同污秽度条件下的污雨闪电压进行了对比,最后将该试验结果与不同单位的研究成果进行了比较。研究表明:直径及伞形结构对支柱瓷绝缘子的污闪特性有明显影响;支柱绝缘子的污闪电压与串长近似呈线性关系;支柱绝缘子的污雨闪电压高于其相同污秽条件下的污闪电压,因此支柱绝缘子的外绝缘设计应以污闪电压为主。     

骨质瓷生产经验浅谈

从骨质瓷的生产实际出发，并结合作者的生产经验概述了骨质瓷生产工艺中应着重了解和解决的问题。     

绝缘子用常温固化硅橡胶防污闪涂料的应用

文章结合我国硅橡胶防污闪涂料(RTV)的发展历程、制造水平、技术发展、关键技术要求、运行经验及输变电设备污秽外绝缘强度的现状,在综合分析的基础上,提出了硅橡胶防污闪涂料的发展方向、应用前景及应研究和注意的问题。同时指出了RTV和高质量防污闪涂料(PRTV)是同类常温固化硅橡胶防污闪涂料,但PRTV的技术参数明显高于RTV,二者应统称为RTV。     

SiGe MOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究

为了获得电学性能良好的 Si Ge PMOS Si O2 栅介质薄膜 ,采用等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)工艺 ,对低温 30 0°C下薄膜制备技术进行了研究。实验表明 ,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度。该技术用于 Si Ge PMOS研制 ,在30 0 K常温和 77K低温下 ,其跨导分别达到 45m S/mm和 92 .5m S/mm(W/L=2 0 μm/2 μm)     

故障高压绝缘子在线检测系统的设计

在高压输电线路上,故障绝缘子特别是零值绝缘子将大大降低高压线路的绝缘水平,直接威胁到电力系统的安全运行。为了可以实现在地面上检测不良绝缘子,本文利用电流传感器套入杆塔接地引线,通过感应采集极其微弱的漏电脉冲电流信号,并用漏电脉冲FFT频谱分析法和电晕脉冲相位比较法两种方法可对所采集信号进行分析。通过对实验室及现场采集的数据的分析,该检测仪可以明显看出故障绝缘子的存在。     

光纤Bragg光栅温度传感器在硅橡胶绝缘子温度特性研究中的应用

当硅橡胶绝缘子长期工作在恶劣的环境中时,会导致硅橡胶绝缘子产生发热现象.为了检测硅橡胶绝缘子的工作温度,将光纤Bragg光栅分别粘贴于硅橡胶绝缘子的上、下两端和伞群部分.温度特性实验结果表明:在15 kV电压作用下,硅橡胶绝缘子温度发生变化,从而使得光纤Bragg光栅中心波长产生相应的移位.金属棒上、下两端和伞群部分在无污染情况下温升分别为1.8℃、2.1℃和0.5℃;在凝露情况下温升分别为2.3℃、2.7℃和0.7 ℃;在Ⅱ级污秽等级情况下温升分别为3.5℃、4.1℃和0.9℃;破坏后的伞群部分在三种情况下的温升分别为4.9℃、5.5℃和7.1℃.光纤Bragg光栅温度传感器可有效的检测硅橡胶绝缘子的工作温度,反映硅橡胶绝缘子的工作状态.     

轮式耐漏电起痕和电蚀损试验

介绍了不同配方、不同生产工艺的复合绝缘子试样在轮式耐漏电起痕和电蚀损试验装置上连续经过101250个干、湿循环试验中和试验后表面状态与电气、机械性能的变化情况,试验比较真实地模拟了大气污染条件下凝露、阵雨及雨晴相间的天气对在线运行复合绝缘子的影响.     

TLS估计的小波自适应零值绝缘子红外热像去噪

为了弥补传统Bayes估计的小波去噪方法依赖于小波系数先验分布模型的不足,针对零值绝缘子红外图像具有低信噪比特点,提出了基于总体最小二乘(TLS)估计的小波自适应零值绝缘子红外热像去噪方法。受噪声污染的零值绝缘子红外图像经小波变换后,不处理低频小波系数,获取各尺度、各方向的高频小波系数进行总体最小二乘估计,对估计后的小波系数进行逆变换得到去噪后的图像。实验结果表明,该方法与软阈值法和Bayes估计法相比,能够有效去除噪声,保留了图像的细节信息,去噪效果良好。