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941.
提出了一种特殊米波雷达体制下的多目标检测方法。该方法借助数字波束形成(DBF)、脉冲多普勒(PD)和单脉冲技术在空域、时域、频域内完成目标测量。文中给出了系统框图、检测算法和仿真结果 相似文献
942.
943.
报道了液氮温度下激光束诱导电流(LBIC)和I-V测试两种在HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法.通过LBIC和I-V测试,发现了p型HgCdTe材料中由B+离子注入成结和干法刻蚀成结对材料造成的损伤使得有效结区范围大于注入和刻蚀面积,并获得n区横向扩展.同时,通过对比,相互印证两种方法得到的测试结果一致. 相似文献
944.
孤子效应脉冲压缩中的三阶色散抑制 总被引:4,自引:2,他引:4
提出并通过数值计算证明,若周期性地改变光纤的三阶色散系数,则可有效地抑制三阶色散对色散位移光纤中孤子效应脉冲压缩的影响 相似文献
945.
光缆线路的雷击故障概率计算 总被引:2,自引:0,他引:2
给出了光缆第一类和第二类雷击故障概率的计算方法,确定了计算中各参数的取值。 相似文献
946.
激光划片是半导体工业中一种有效的划片方法。目前在半导体材料划片中多采用调 Q Nd: Y A G 激光器。脉冲重复频率是这种激光器的一个重要参数,它影响着激光器的平均输出功率、脉冲峰值功率以及脉冲宽度等特性。因此,脉冲重复频率对激光划片效果有重要影响。研究了利用调 Q Nd: Y A G 激光对 In Sb 的激光划片,得出了刻槽深度和宽度与脉冲重复频率之间的关系。还从理论上探讨了划片时激光束和材料的相互作用过程,分析了各种刻槽形成的原因。 相似文献
947.
948.
A two-electrode multi-quantum-well semiconductor optical amplifier is designed and fabricated.The amplified spontaneous emission(ASE)spectrum and gain were measured and analyzed.It is shown that the ASE spectrum and gain characteristic are greatly influenced by the distribution of the injection current density.By changing the injection current density of two electrodes,the full width at half maximum,peak wavelength,peak power of the ASE spectrum and the gain characteristic can be easily controlled. 相似文献
949.
提出了一种滑模软起动装置,构建了斜坡起动、限流起动、转矩控制起动和分级变频起动四种软起动模型.通过滑模控制,使软起动装置能够满足在不同工作场合下电动机的起动要求,进而扩大软起动装置的使用范围.在Matlab/Simulink环境下对该软起动控制装置进行建模仿真. 相似文献
950.
该文主要设计了一种用于AC-DC电源管理芯片中的频率为100khz的可修条高精度振荡器,它以比较器为核心电路,并利用系统内部产生的恒流源对电容进行充放电,经过控制电路的作用后,使输出波形为线性度很好的三角波。通过HSPICE的仿真结果表明,三角波具有较好的线性度,其信号振荡频率随电源电压和温度的波动变化较小,性能良好,... 相似文献