热处理对TaN薄膜电性能的影响

采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备了TaN薄膜,研究了热处理温度和时间对TaN薄膜的方阻(R□)及电阻温度系数(TCR)的影响。研究发现,在热处理时间为2h的条件下,热处理温度在200℃到600℃变化时,R□从12?/□增加到24?/□,TCR从15×10-6/℃下降到-80×10-6/℃;在热处理温度为300℃的条件下,热处理时间对R□及TCR影响较小,随着热处理时间的增长,R□及TCR略有变化。     

人工神经网络技术在板料激光弯曲中的应用

基于人工神经网络基本理论,建立在板料激光弯曲中预测材料表面最高温度、弯曲角度的BP网络模型。借助于MATLAB仿真软件中的神经网络工具箱作为开发平台,将试验样本数据和经过试验验证的数值计算结果作为补充的样本数据用于BP网络的训练,利用训练好的BP网络对非线性的样本数据规律进行拟合,实现激光加工工艺参数的优化,为实际生产和加工提供有效的依据。     

膜厚对不锈钢基厚膜电阻电性能的影响

为提高不锈钢基厚膜电阻浆料的重烧稳定性,采用丝网印刷、高温烧成等厚膜工艺制备了不锈钢基厚膜电阻,研究和分析了烧成膜厚度对方阻、电阻温度系数和重烧稳定性的影响规律和机理。结果表明,随着膜厚的增加,厚膜的方阻减小,电阻温度系数略有增大;当烧成Ag-Pd膜厚约为12μm时,厚膜电阻的重烧稳定性最佳,其方阻重烧变化率小于3%。     

板料激光弯曲的屈曲机理的研究

介绍了激光弯曲的三种成形机理:温度梯度机理、增厚机理、屈曲机理。由于不进行预弯曲板料经激光束扫描后,仍可产生背向激光束的弯曲变形,针对这一现象,用有限元方法分析了其成形过程中温度场、应变场的变化,提出其成形机理仍属于屈曲机理,并作出了相应解释。通过实验与计算的方法,研究了反向弯曲角度与光束扫描速度的关系。     

Contamination due to process gases

A survey is given of the BOC Group technical research programs, whose purpose is to relate purity in gas processing to ULSI device parameters. Results from the following research programs are presented: how inert gas purity affects the Ti silicide for IGFET metallization; the effects of argon versus nitrogen used in silicon gate oxidation process steps; and preliminary work on a new gas analytical tool, Atmospheric Pressure Ionization Mass Spectrometry (APIMS), which allows measurement of sub ppb impurity levels in processing gases.     

溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其光电性能的研究

采用溶胶-凝胶工艺,用提拉法在玻璃基底上制备了ITO透明导电薄膜。使用四探针测试仪和紫外可见光分光光度计测量薄膜的方阻和透过率,并采用XRD、SEM等测试手段对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征。结果表明,掺锡比例和热处理温度对薄膜的导电性具有重要影响,在掺Sn量为15%(原子分数比)、450℃热处理时薄膜的方阻最小;薄膜的透过率曲线随掺锡比例的增加向紫外方向移动。随着热处理时间、镀膜层数的增加,薄膜的方阻先减小,最后趋于一稳定值,在可见光范围内薄膜的透过率变化较小。     

W 波段带状注速调管电子枪束流截面的模拟与测试 王

简要介绍了带状电子注束流截面动态测试系统,阐述了YAG：Ce 晶体发光原理,给出了W 波段带状注束流截面的模拟结果和低电压下测试结果,通过对测试注截面的分析验证了电子枪的设计,这对带状注速调管的研制具有重要的意义。     

履带车辆摩擦片使用性能影响因素分析

定性地讨论了履带车辆行星变速箱中载荷、润滑和温度对摩擦片使用性能的影响。油压特性决定了换档时摩擦片的滑摩时间长短,在不增大滑摩功的前提下,可以适当降低操纵油压;优化润滑结构可均匀分配润滑油,合成油是适宜履带车辆离合器和制动器的油品,粘度的大小是选用润滑油的重要准则;摩擦片正常工作的条件之一是其内部温度与工作环境温度差保持动态平衡。     

差动连接液压系统在冲孔生产工序中的应用

利用差动连接的液压系统原理,可以在不加大油泵流量的情况下实现大流量进油,从而实现快进、快退、快升、快降等作业。将液压差动连接原理有效利用到开小片冲孔机,相同条件下开小片工序打孔产能可以提高40%。     

Subnanometer Analysis and Modeling of MBE Grown InP Based MODFETs

InGaAs/InAlAs double-doped double-strained modulation-doped field-effect transistors OD-SMODFETs)1 were grown by solid source molecular beam epitaxy. The structures were characterized using high resolution x-ray diffraction, Hall effect, and cross-sectional scanning tunneling microscopy. A record two-dimensional electron gas (2DEG) sheet density of 8.5 × 10¹²/cm² and 8.1 × 10¹²/cm² for 300 and 77K, respectively, was achieved. The mobility was 6500 and 12000 cm²/ Vs for 300 and 77K, respectively. To the author’s knowledge,² the previous record 2DEG result was 6.58 × 10¹²/cm². The electron mobility was limited by alloy scattering and interface roughness caused by the presence of “clustering.” Using cross-sectional scanning tunneling microscopy to verify the presence of these clusters, we have the first images of the lattice matched InAlAs (spacer)-InGaAs (quantum well) interface. These images reveal clusters that have approximate spherical or cylindrical shapes with equivalent cubic dimensions ranging from 25 to 45Å.