保护环境及指标在某公路改扩建工程中的应用

对保护环境及指标的运用进行了分析,对其在凯里—雷山（大塘）公路改扩建工程中的应用进行了论述,提出了保护环境及指标运用相结合,充分利用道路现有的景观,在合适的路段灵活运用指标,保护好原生态的环境。     

架空线路覆冰闪络跳闸特性分析与风险建模

极端冰灾天气下线路覆冰闪络跳闸是激发大电网脆弱性、导致大面积停电的重要因素。覆冰闪络跳闸等现象的风险评估是建立冰灾防御体系的基础。基于电网层面,进行了冰灾天气下线路覆冰闪络跳闸的风险状态识别与风险建模。根据覆冰闪络跳闸特性分析,界定了输电网绝缘系统的脆弱点,即覆冰期绝缘系统冰凌桥接、融冰期冰凌断流等临界点。进一步建立了覆冰闪络状态的划分原则与风险等级,并对预测冰况进行了模糊模式识别和风险评级,为运行人员提供了动态风险信息。针对数据的小样本、多输入等特点,采用统计学习理论结构风险最小化方法,构建了最小二乘支持向量机（least squares support vector machine,LSSVM）冰闪跳闸风险评估模型,依据贝叶斯（Bayesian）证据推理优化模型参数。通过与误差反向传播人工神经网络（artificial neural networkwith error back propagation,BP-ANN）算法对比,验证了该模型的有效性。最后通过脆弱性指标分析了网架结构破坏的严重性与电网绝缘系统的脆弱性。     

兼顾稳定性与经济性的交直流系统直流落点选择方法

直流电系统落入受端交流电网的落点选择需要考虑交直流系统的相互作用,主要包括有效短路比、静态电压稳定指标和受端系统的有功功率损耗。文中提出一种兼顾稳定性与经济性的直流落点选择方法。基于数学上解决多目标决策问题的线性加权和法,首先设置各指标的门槛值,然后对其进行归一化处理,采用组合赋权法合理确定权系数,建立目标函数,选出最...     

基于SE-DEA的电网企业资源配置效率评价

资源配置效率是衡量企业各要素之间,以及企业内部与外部环境之间的和谐程度的核心指标。有效提高资源配置效率是增强电网企业竞争力的重要途径之一。结合电网企业的实际情况,构建了基于超效率数据包络分析（SE-DEA）的电网企业资源配置效率评价模型,以9家电网企业为例,对其资源配置效率进行比较分析。实例结果表明,此方法实现了对所有决策单元的充分评价与排序,可对电网企业的资源配置效率进行有效的评价。     

大干扰概率电压稳定评估方法的研究

在调研国内外电压稳定可靠性评估研究的基础上,基于电压稳定的定义和分类,并结合电力系统可靠性评估方法,提出大干扰概率电压稳定性的概念,基于该概念构造能够综合考虑暂态和长期电压稳定性的大干扰电压稳定的可靠性指标,制定概率电压稳定的综合评价原则,在此基础上,提出基于电力系统可靠性评估的大干扰概率电压稳定的评估方法及相应的算法流程。实际电网算例结果表明,所提方法能以定量评估指标直观地表达系统电压稳定的安全特性,有助于提高电力系统运行的可靠性。     

多量子阱波导场的等效折射率近似分析

当多量子阱周期与芯区厚度之比趋于零时,利用转移矩阵技术,证明了任意折射率分布多量子阱波导的场分布与其等效折射率波导的场分布近似相等,为利用等效折射率方法分析多量子阱波导特性充实了理论基础,文中的数值实例表明了理论的正确性。     

一种面向RDSM系统的基于遗传算法优化色散矩阵的方法

矩形差分空间调制（rectangular differential spatial modulation,RDSM）是一种多天线非相干调制技术,该技术频谱效率高,低功耗且无信道估计开销,特别适用于信道快速变化的车联网、物联网、6G蜂窝网络等未来通信系统。然而发射端的稀疏酉矩形空时色散矩阵（dispersion matrix,DM）的构造问题一直是个难点,而当前使用的随机搜索优化方法具有极高的计算复杂度,对此,提出了一种低复杂度遗传算法（genetic algorithm, GA）。根据秩与行列式标准最大化准则（rank and determinant criterion,RDC）的方法计算适应度值,可避免差分系统中所需的分类讨论。根据星座旋转对称性的特点,降低 GA 单次迭代的计算复杂度。仿真结果表明,优化得到的DMs（DM set）显著改善了RDSM系统误比特率（bit error rate,BER）性能,对比随机搜索,低复杂度遗传算法有效提高了RDSMS的DMs优化效率,优化DMs所需的计算复杂度约为随机搜索的0.1%。     

含负折射率介质光子晶体的斜角禁带

研究了由正负折射率介质交替排列构成的光子晶体的传输特性,负折射率材料(NIM)是有损耗的Drude色散媒质。研究发现,这类光子晶体具有零折射率带和传统的Bragg带,此外在NIM的折射率接近于零的频域还出现了一个新型的禁带——斜角带。该斜角带的位置与晶格参数无关,其带宽较小;在电磁波垂直入射时禁带消失,但随着入射角的增大禁带逐渐展宽,且TM模的带宽大于TE模。