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提出了基于空间虚拟墙的行人越界异常行为自动识 别方法。基于人头刚体不变性及其个体类Haar特征的差异性,融合级联分类器与粒子滤波动 态跟 踪链,实现视频场景下的人头 目标跟踪与定位。进而基于人体身高不变性,建立基于行人头顶的三维平面方程及 其视频监控场景下的空间虚拟墙, 从而将行人跨越二维场景警戒线问题,转化为行人穿越三维空间虚拟警戒墙,实现行人是否 越界的有效判断。通过在不同视 频场景的实验验证与对比,结果表明,所提方法有效、可行,无需特定的硬件支持以及场景 条件约束。 相似文献
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本文提出了一种测量波导窄壁上单缝天线导纳的新方法——归一化S参数法,这种方法可消除波导段引入的损耗及附加相移,不仅可精确测出单缝的电导值,而且还可测出电纳值。S波段缝隙天线导纳的测量结果与理论值吻合,证明了该方法的正确性。最后分析了主要误差源及减小测试误差的措施。 相似文献
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The quest for improved energy savings is driving research into power converter high-efficiency operation under extremely light-load conditions. The use of multiple output converters to satisfy circuit needs and cost requirements adds additional complication to the standby mode power-consumption problem. This is due to the difficulty of satisfying both good cross-regulation under various load conditions as well as high efficiency in the standby mode simultaneously; because topologies that exhibit a good cross-regulation performance, such as resonant converters, generally have a poor efficiency problem under extremely light-loads. A secondary side post regulator (SSPR) is proposed to reduce the standby power consumption and to improve the cross-regulation performance of single- controller multiple-output channel power converters. It is capable of reducing the power consumption of the power converter as well as the SSPR. The SSPR is analysed using its operational principles and small signal models. A 110?W experimental prototype was built to verify the standby power consumption and cross-regulation performance using the proposed SSPR. 相似文献
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无氧溅射方法制备OLED的ITO透明电极 总被引:1,自引:1,他引:1
采用氧化铟锡(ITO)合金材料作为靶材,通过射频磁控溅射制备ITO膜.将获得的ITO膜应用于结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/Alq3(50 nm)LiF(0.8 nm)/Al(100 nm)的有机电致发光器件(OLED),得到了最大亮度为11560 cd/m2(电压为25V)、最大效率为2.52 cd/A(电压为14 V)的结果.为了获得双面发光,制作了结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/Alq3(50 nm)LiF(0.8 nm)/Al(20 nm)/ITO(50 nm)的器件,其阳极出光的最大亮度为14460 cd/m2(电压为18V)、最大效率为2.16 cd/A(电压为12V),阴极出光的最大亮度为1 263 cd/m2(电压为19 V)、最大效率为0.26 cd/A(电压为16V). 相似文献
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We report high performance solution processed conductive inks used as contact electrodes for printed organic field effect transistors (OFETs). Poly(3,4-ethylenedioxythiophene): polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) electrodes show highly improved very low sheet resistance of 65.8 ± 6.5 Ω/square (Ω/□) by addition of dimethyl sulfoxide (DMSO) and post treatment with methanol (MeOH) solvent. Sheet resistance was further improved to 33.8 ± 8.6 Ω/□ by blending silver nanowire (AgNW) with DMSO doped PEDOT:PSS. Printed OFETs with state of the art diketopyrrolopyrrole-thieno[3,2-b]thiophene (DPPT-TT) semiconducting polymer were demonstrated with various solution processable conductive inks, including bare, MeOH treated PEDOT:PSS, single wall carbon nanotubes, and hybrid PEDOT:PSS-AgNW, as the source and drain (S/D) electrode by spray printing using a metal shadow mask. The highest field effect mobility, 0.49 ± 0.03 cm2 V−1 s−1 for DPPT-TT OFETs, was obtained using blended AgNW with DMSO doped PEDOT:PSS S/D electrode. 相似文献
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