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101.
用扩展边界条件方法对分形粗糙良导体面及介质面的电磁散射问题进行了分析。用推广的Floquet模式,在分界面处将场分量用Fourier级数展开,根据边界条件及扩展边界条件得到了水平极化和垂直极化散射场的幅度分量的表达式。用其它近似方法(Kirchhoff和Rayleigh方法)及能量守恒准则验证了此方法的有效性。  相似文献   
102.
非自喷井解释方法一直是困扰试井界的难题之一。自1995年底应用DKS2.0软件中DST压恢分析法先后处理了大港油田200多层实测资料以来,发现一部分井与常规分析法的处理结果完全不同。这些井多出现在均质无限大油藏,且其压力及压力导数曲线开口小、导数曲线驼峰较小。通过对DST压恢分析法在大港油田应用情况的分析,认为此方法适用于均质非自喷井,尤其是处理低渗且地层受污染井的结果比较符合地层的实际地质情况,其成果的应用对地层改造有一定的指导作用。  相似文献   
103.
布里奇曼法生长碲镉汞晶体的固液界面形态研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
文中综述了布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法生工碲镉汞晶体过程中固液界面形态的研究结果,简单讨论了固液界面形态对组分分布的影响,并将两种技术所得的组分分布结果进行了比较,在分析影响固液界面形态因素的基础上,认为加速坩埚旋转技术是目前改善固液界面形态的有效方法。  相似文献   
104.
The multidomain technique for elliptic problems, that allows the fulfillment of the interface conditions by means of a suitable combination of the continuity of the solution and of its normal derivative, is considered. Some choices of this combination are investigated and, in particular, a choice that allows the solution of the multidomain problem through two solutions for each subproblem, is proposed. The scheme has been discretized with a collocation method and some numerical tests are reported. Moreover the method is compared with the more classical Dirichlet/Neumann one as well as with the capacitance matrix method.This research has been supported by a grant from M.P.I. (40%).  相似文献   
105.
徐红艳  韩军 《真空与低温》1997,3(4):207-212
介绍了二级抛物面型辐射制冷器的热物理模型及用蒙特卡罗方法数值模拟解决其热流理论和辐射热耦合表面(漫发射、镜反射)辐射热交换的处理方法。  相似文献   
106.
高温炉内的辐射传热是工业生产中常遇到的问题。过去,人们在应用热流法计算辐射传热时遇到了一定的困难,使计算结果与实际有一定的偏差。本文运用文献[1]中给出的新热流数学模型,开发出由新热流方程与能量方程相耦合的计算机程序,其中的比热流参数由线加热热源情况下计算得到。用该程序计算了实验室用马弗炉内的温度场,并且用热电偶实测了炉内的一些温度值,理论计算与实测值符合很好。  相似文献   
107.
本文提出了用一个标样进行系列试样 X 射线定量相分析的方法.它克服了一般 X 射线定量方法需要混合研磨和手续烦复的缺点以及无标样 X 射线定量方法存在病态方程不易解决的问题.该方法对常规 X 射线定量分析具有普遍的实用性.  相似文献   
108.
用于高压电容器的SrTiO3基陶瓷   总被引:3,自引:0,他引:3  
肖鸣山  王成建 《功能材料》1997,28(5):504-505
报道SrTiO3基陶瓷的制备方法和介电性质,给出了用此种陶瓷制成的高压电容器的试验结果,并对它位进行了讨论。  相似文献   
109.
通过对某型杀伤枪榴弹引信所发生的三次弹道炸的原因进行分析,提出用延期索替代延期药盘,并对有关机构进行再设计的对策。  相似文献   
110.
The alkali-metal Na adsorption on Si(100)2×1 surface and its promoted oxidation and Si oxidegrowth have been investigated by means of thermal desorption,work function,Auger electronspectroscopy and photoemission electron spectroscopy.The experimental data showed that therewas a new state,interface electron state,near the Fermi level after the deposition of Na atoms.It wasfound that the presence of Na always caused an increase of the oxygen initial uptake whereas thepromotion of Si oxide growth was observed only at the coverage of Na greater than 0.5 ML.A newmechanism of Na-promoted Si oxide growth is suggested in this paper.  相似文献   
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