基本周期对一维复周期光子晶体禁带的影响

利用由传输矩阵法得到的一维光子晶体的反射率计算公式,针对具体的一维复周期全息光子晶体的周期结构,计算了光学厚度的改变以及折射率调制周期的改变对光子禁带结构的影响。结果表明,随着光学厚度对比的增大,禁带宽度增大,禁带中心的位置移向长波;随着折射率调制周期参数对比的变化,出现了两个禁带,随着折射率调制周期参数对比的增大,两个禁带之间距离增大,禁带分别移向短波和长波处,短波处禁带宽度减小。在设计光子晶体时,可以根据需要,通过改变光子晶体基本周期结构的参数来实现对光子带隙的控制。     

Anticipation of nitrided oxides electrical thickness based on XPS measurement

Plasma nitridation of thermally grown oxide films has proven to be an excellent gate dielectric in meeting the electrical requirements of the 65 nm node. As the 65 nm device performance is very sensitive to both physical thickness and nitrogen dose of these dielectric films, it is highly desirable to predict the electrical properties of such films. We present a simple physical model to forecast the capacitance-equivalent thickness (CET) of nMOS devices for 65 nm technology. The model is based on the total nitrogen dose and the dielectric physical thickness, both given by in-line X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) measurement of the plasma nitrided gate dielectric. This model uses an estimated gate oxide dielectric constant, the gate depletion capacitance and the inversion layer capacitance. A good correlation is obtained between calculated and measured CET for plasma nitrided oxides from 19 to 30 Å CET and for a large range of incorporated nitrogen doses.     

高速全晶圆薄膜厚度均匀图像在CMP工艺快速评定中的应用

应用高速度、高点密度熏覆盖全晶圆的薄膜检测仪得到的膜厚均匀图像来对CMP工艺进行快速评定。高点密度、全晶圆的膜厚均匀图像能即时显现出CMP工艺中的非对称性膜厚均匀问题并为根源分析和工艺改进提供快速反馈。对一些用常规的稀疏抽样点薄膜测量方法难以检测到但常见的CMP工艺中导致非对称性膜厚均匀问题熏例如垫片异常熏抛光机头安装不当熏空白晶圆nanotopography等进行比较分析和探讨。     

高温热氧化中SiO2层厚度的控制研究

本文介绍了Si热氧化的工艺过程和温度曲线,对热氧化生成的SiO2层厚度进行了理论计算和实际测定;并列出了７个ＳiO2样品的干,湿氧时间,理论计算值,实测值及产生的误差值,多数样件可控制在１５％左右（最优达７０％）;介绍了控制干,湿氧不相互干扰的管路系统,稳定水浴湿度９５℃的方法,分析了影响ＳiO2层厚度的石英管口径及氧气流量等因素。     

基于容抗法的瞬时液膜厚度测量系统设计

设计了一种采用容抗法测量气液两相流瞬时液膜厚度的测量系统,通过测量气液两相流瞬时液膜厚度,来反映气液两相流截面持液率大小。对容抗法测量瞬时液膜厚度的原理进行了详细分析,建立了探针电容传感器的数学模型,完成了检测电路设计。根据此数学模型,确立了瞬时液膜厚度与输出电压的线性关系。在虚拟电子工作平台上,对该测量系统做了仿真实验分析,仿真数据表明该测量系统是切实可行的。     

The influence of stamp deformation on residual layer homogeneity in thermal nanoimprint lithography

This work studies the relation between the residual layer thickness and the patterned area size, fill factor and stamp thickness for identical stamps with opposite polarity (positive and negative) made in silicon and nickel. Important and different variations in the homogeneity of the residual layer are obtained in comparison with the values predicted by the theory. This will help to optimize stamp designs and choose appropriate process setups and parameters for nanoimprint with improved pattern transfer capability.     

提高激光三角法测量精度的新方法

激光三角法是一种几何测量的重要方法,目前已广泛用于测量位移和三维面形,但这测量系统的测量精度不高,一个主要的问题就是光源光强不稳定;本文提出用光学双稳装置来稳定激光光泊的光强,并用于测量金属板材,实验结果：将光学双稳装置用于激光三角法使系统的测量精度大大提高。     

超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性

研究了高质量超薄氮化硅/氮氧化硅(N/O)叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性,制备了栅介质等效厚度小于2nm的N/O复合叠层栅介质,该栅介质具有很强的抗硼穿通能力和低的漏电流.实验表明这种N/O复合栅介质与优化溅射W/TiN金属栅相结合的技术具有良好的发展前景.     

椭偏仪的研究进展

主要介绍了椭偏仪的测量原理,比较了不同结构的椭偏仪,并根据具体应用需求介绍了椭偏光谱仪、红外椭偏光谱仪、成像椭偏仪和广义椭偏仪,分析了椭偏仪的数据处理过程,最后展望了椭偏仪的发展趋势.     

不同膜厚的NiO薄膜电致变色特性的研究

主要研究膜厚对NiO薄膜电致变色特性的影响，通过对不同膜厚的NiO薄膜在原始、着色和褪色态的透过率光谱曲线和电流时间响应曲线的分析比较，总结出通过控制膜厚来提高NiO薄膜电致变色性能的方法。