基于晶闸管的无触点线路调压装置的低电压治理

为解决农村电网中普遍存在的低电压问题,提出了采用基于晶闸管无触点线路调压装置的治理措施。晶闸管无触点线路调压器将两个晶闸管反并联处理后连接到一台串联变压器的一次侧抽头上,通过设计相对应的单片机控制系统发出相应的触发信号来控制这组晶闸管开关的通断从而调整变压器一次侧绕组接入的多少达到稳定输入电压的作用。在具体控制中,为了防止出现两组晶闸管开关器件之间形成环流,需要找到相应的措施来开通晶闸管开关。经过试验验证,晶闸管无触点线路调压器完全可以起到稳定电压的作用。     

反向恢复电荷分散性对直流换流阀的影响

直流换流阀是直流输电的核心设备,它的设计性能直接影响整个直流系统的优劣。而晶闸管的反向恢复特性是阀设计时考虑的重要因素之一。为满足耐压要求,换流阀需多只晶闸管串联,但每只晶闸管的反向恢复电荷均不同,这种电荷分散性将引起晶闸管级端电压的不同。首先分析直流换流阀关断时刻反向恢复电荷差异对晶闸管级端电压的影响。在此基础上,分别分析反向恢复电荷分散性对阀最小触发电压和最小关断角的影响,推导其理论公式,并通过仿真验证公式的准确性。最后,得出在系统条件一定的情况下,阀设计时对所选用晶闸管的反向恢复电荷分散性的一般要求。     

基于晶闸管的直流可控避雷器关键技术

电网换相换流器(LCC)与模块化多电平换流器(MMC)级联系统具备诸多独特优势,但其低压端模块化多电平换流器(MMC)由多个电压源换流器(VSC)换流器并联组成,当发生交流侧故障时会引起低压端直流母线过电压。为抑制MMC过电压问题,提出在直流母线侧安装直流可控避雷器。对交流侧故障时MMC过电压机理进行了理论分析,提出了直流可控避雷器拓扑结构。在深入分析直流可控避雷器不同运行方式的基础上,给出了直流可控避雷器的直流混合可控开关所需的极限电流耐受能力。为实现开关触发的快速性,提出在直流混合可控开关中采用串联晶闸管阀组方案。通过晶闸管Cauer计算模型仿真研究了极限电流下晶闸管阀组瞬态结温,验证了设计方案的合理性。基于某规划直流工程进行直流可控避雷器设计,并给出了主设备布置方案。基于PSCAD/EMTDC平台搭建了系统的仿真模型,验证了所提出的直流可控避雷器拓扑抑制系统MMC过电压的有效性。     

晶闸管控制的串联电容补偿技术

在介绍晶闸管控制的串联电容补偿的基本概念和工作原理的基础上,对ＴＣＳＣ的基本运行模式、特性曲线、主要参数和额定值等作了综合论述。对现有的ＴＣＳＣ动态行为研究方法也作了定性的讨论和归纳。     

浅谈提高漏电断路器性能的试验及措施

针对市场反馈存在的DZ47LE系列漏电断路器的误动作问题,提出了解决方案。通过晶闸管和电磁脱扣线圈的合理组合、增加抗干扰电路解决了漏电断路器的工作可靠性及电磁兼容问题。该解决方案提高了产品质量,使用户满意度上升。     

用于高压直流输电的晶闸管换流阀运行试验回路等价性比较

现代晶闸管阀的大容量使得难以采用传统的背靠背试验回路对其进行运行试验。替代型等效试验回路的应用显著地降低了运行试验所需的设备容量,但其试验等价性是一个值得讨论的问题。对替代型试验回路等价性进行考核的核心在于其是否正确再现作用在晶闸管阀上的负荷。笔者基于EMTP/ATP对现有的三种等效试验回路进行周期性触发和关断试验的仿真,仿真结果表明ABB合成试验回路具有更好的试验灵活性和试验等价性。     

高压软起动装置中可控硅额定电流的选择

通过对高压可控硅调压型软起动装置中可控硅发热功耗及热量传递的研究,推导出散热器温升以及可控硅管芯结温的实用计算方法,并用实例进行了计算。同时讨论了影响可控硅管芯结温的各个方面,指出为了充分利用可控硅的潜力,并确保可控硅安全,应该在设计时计算可控硅管芯的温度,然后才能进行可控硅的设计选型。     

PIM晶闸管功率组件的应用

介绍了PIM晶闸管功率组件的原理结构,它把功率元件散热系统的各结构部件有机地组合成一体化,其电气系统集合了晶闸管和续流二极管、控制接口、过压吸收保护电路、电流取样（分流器）、温度监视报警等。实践表明,该产品在性能、性价比、易用性、互换性、先进性、可靠性等各方面都优于传统技术工艺的产品。     

Preparation of diamondlike carbon films using nanopulse generator employing SI thyristor

Diamondlike carbon (DLC) films show high hardness, high electric resistivity, and the self‐lubricant characteristic, and many applications and synthesis methods have been reported. Pulse plasma chemical vapor deposition (CVD) is one of the synthesis methods suitable for DLC films on complicated form work, such as molding and extruding die. Ordinary, microsecond‐order pulse is used in this method. This paper describes the development of the synthesis method using nanosecond‐order pulse plasma CVD for DLC films. To realize this process, a static induction (SI) thyristor with an inductive energy storage (IES) circuit was used. Compared with microsecond, nanosecond‐order pulse plasma CVD method shows the characteristics of high electron temperature and exponential relationship between pulse frequency and growth rate. The characteristics of the thus‐obtained DLC films show two broad peaks of the disordered band at 1360 cm^?1 and the graphitic band at 1580 cm^?1 by Raman spectroscopy and hardness of 16.0 GPa and elastic modulus of 170 GPa. © 2007 Wiley Periodicals, Inc. Electr Eng Jpn, 159(4): 1–7, 2007; Published online in Wiley InterScience ( www.interscience.wiley.com ). DOI 10.1002/eej.20341     

提高晶闸管di/dt能力的研究

从di／dt损坏机制，定量公式入手，分析了国内外有关di／dt的著作、文章，研究了提高晶闸管器件di／dt能力的各种有效方法，给出了一个常规新设计及其研究成果。