Quantum Computer Development with Single Ion Implantation

Spins of single donor atoms are attractive candidates for large scale quantum information processing in silicon. Formation of devices with a few qubits is crucial for validation of basic ideas and development of a scalable architecture. We describe our development of a single ion implantation technique for placement of single atoms into device structures. Collimated highly charged ion beams are aligned with a scanning probe microscope. Enhanced secondary electron emission due tohigh ion charge states (e.g., ³¹P¹³⁺, or ¹²⁶Te³³⁺)allows efficient detection of single ion impacts. Studies of electrical activation of low dose, low energy implants of ³¹P in silicon show a drastic effect of dopant segregation to the SiO₂/Si interface,while Si₃N₄/Si retards ³¹P segregation. We discuss resolution limiting factors in ion placement, and process challenges forintegration of single atom arrays with control gates and single electron transistors. PACS: 03.67.Lx, 34.50.Dy, 85.35.Gv, 73.23, 61.72, 86.40.py, 07.79.-v     

二氧化钛直接制取金属钛工艺简介

阐述了各种二氧化钛直接电解制取金属钛的工艺及其原理，指出了熔盐电解TiO2法在工业应用上存在的问题。     

拉萨河水环境现状分析

在参考拉萨河近几年来的监测材料基础上，用气相色谱、离子色谱和等离子体发射质谱对所取水样进行了分析，确定了拉萨河水为重碳酸盐型水，通过对测定结果的讨论，认为人类活动已经影响了拉萨河的水质，提出了开发利用拉萨河应注意的问题，指出了保护拉萨河水环境的重要性。     

稀土离子交换和萃淋树脂色层法分离中的配位化合物问题

从树脂吸附、淋洗、萃取剂几个方面,对稀土离子交换和萃淋树脂色层法分离过程中有关稀土配位化合物问题进行了简要的综述。     

PIII技术在制备c-BN硬化层中的应用

采用一种新型的等离子体浸没式离子注入技术 (PIII)在渗硼后的 5 0Mn钢试样上制备出了厚度为 0 .15～ 0 .2mm的立方氮化硼 (c BN)表面硬化层。经X射线电子能谱 (XPS)和X射线衍射分析 (XRD) ,发现硬化层中的组织有立方氮化硼 (c BN)、六方氮化硼 (h BN)、B2 O3,FeB和Fe2 B。在表层 60nm的深度范围内 ,c BN的含量较高。采用球盘式无润滑滑动摩擦实验和维氏显微硬度实验分别对渗硼 PIII复合处理以及单独渗硼的 5 0Mn钢试样的性能进行了对比实验。结果表明 :与单独渗硼的试样相比 ,经渗硼 PIII复合处理的试样具有高得多的硬度 (高达HV0 .1N44GPa)和耐磨性     

攀枝花钛精矿制取高品位氯化渣探讨

探讨了从攀枝花钛精矿制取高品位氯化钛渣的几条途径的可行性和适应性。     

海绵钛生产过程中氯含量的控制

分析了海绵钛生产过程中影响氯含量的几个主要因素，即原料、还原料速、蒸馏周期、产品包装等，结合生产实践阐述了在生产过程中对海绵钛产品氯含量的控制措施。     

硫酸法生产钛白粉水洗工艺真空系统设计改造方案与思路

讨论了水洗真空度对水洗工艺的影响，提出水洗真空系统的改造原则，并对真空系统改造设计思路和方案进行了详细的探讨。通过改进和优化能够提高设备的使用率，最终达到缩短水洗时间，提高本工序产能的目的。     

全钒液流电池隔膜在钒溶液中的性能

考察了Nafion、日-160、日-80、FYM(日本产Nafion膜)和均相膜5种离子交换膜的两个关键性能(渗透性和面电阻)及其影响因素,对均相膜的化学稳定性进行了初步研究,并对两种膜进行了改性。实验发现:均相膜的钒扩散系数最小,但面电阻较大,化学稳定性不好;用二乙烯苯(DVB)对均相膜改性,综合性能较好;减小电场可降低钒离子扩散,提高钒溶液中氢离子浓度可减小面电阻。     

结合清洁生产谈目前氯化法钛白生产的污染治理

结合实例说明,搞好清洁生产对氯化法钛白企业治理环境污染,提高企业的经济效益和今后长远发展起着举足轻重的作用和重要的指导意义.