大长径比高刚性碳纤维杆缠绕成型工艺研究

作为应用于浮空器领域的雷达结构杆件,长达12 m,直径为30 mm,长径比为400∶1。为达到其高刚性、轻质、快速组装的要求,在研制过程中采用了分段杆套管连接方式;分段杆端头变厚度缠绕加强;多角度缠绕角交叉缠绕;干法缠绕碳纤维预浸丝等工艺手段,研制出大长径比高刚性轻质碳纤维结构杆。     

一种高温度性能的带隙基准源

基于OKI 0.5μm BiCMOS工艺,设计了一种低温漂的带隙基准电压源。对传统基准源的电压模式输出级进行了改进,使之形成同时包含电压模式和电流模式的混合模式输出级,提高了温度补偿的灵活性。同时设计了一种基于分段线性补偿技术的高精度曲率校正电路,精确地对基准电压的高阶温度分量进行修调。 HSPICE仿真结果表明,在5 V的电源电压下,基准输出电压为1.2156 V,在-40℃~125℃温度范围内,基准电压的温度系数为0.43×10-6/℃,低频时电路电源抑制比低于-83 dB。电源电压在3.8 V~10 V范围内变化时,基准源的线性调整率为9.2μV/V。     

基于链路优先的快速协同虚拟网络映射算法

在网络虚拟化环境中,为了减少链路映射成本和提高收益,提出了一种链路优先的协同映射算法。该算法交替映射链路和节点,并使用贪心思想优先将带宽资源需求较大的虚拟链路映射到跳数较少的物理路径上,最终达到降低虚拟网络平均消耗和提高虚拟网络接受率的目的。仿真结果表明,与已有算法相比,所提算法节约了链路映射的成本,提高了虚拟网络接受率和物理网络收益,算法运行时间也有效缩短。     

90nm工艺及其相关技术

ITRS2001规划2004年实现90nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90nm工艺量产微处理器和逻辑器件。这样使ITRS2001整整提前了一年。90nm工艺包括193nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变硅技术和电压隔离技术等新技术。193nm光刻技术是实现90nm工艺达量产的最关键技术,为此,必须采用193nmArFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。讨论了90nm工艺达量产的难点,如掩模版成本较高、成品率较低和应用面暂时不宽等。     

激光直写设备超精密平稳驱动技术的研究

在二元光学激光直写设备中，主轴的速度稳定性是影响光刻精度的主要原因之一。提出采用机电混合滤波器消除电机的轴向振动和径向振动对系统的影响，提高主轴系统瞬时运动的平稳性。利用鉴相器输出的频差与相差和主轴电机的速度对锁相调速系统的结构进行优化。同时，利用神经网络改善锁相环系统的非线性特性，并采用模糊参数自调整方法调节控制器的参数。结果表明使用机电混合滤波器可使主轴的轴向与径向振动小于20nm，采用改进的锁相环控制可大大提高主轴的调速范围，并改善其动态性能。     

OFDM技术及其应用

首先对OFDM的发展以及应用做了简要的介绍,然后讨论了当前OFDM研究过程中的两个关键技术问题,最后展望了OFDM的未来发展。     

夜视图像的彩色融合技术及其进展

介绍了夜视彩色图像融合算法的研究进展,着重分析了以接近自然色彩为目的的MIT法以及我们提出的线性组合法、基于视觉拮抗模型的非线性图像增强与线性组合法结合的混合结构法,给出了若干组场景下各方法的微光与热成像的彩色融合图像以及微光彩色融合图像,显示出良好的目视观察效果,提出了需要进一步研究的问题和关键技术.     

影响低电压电泳芯片分离的主要因素

运用简化的低电压电泳芯片的运动梯度场的分离和控制模型 ,对低电压芯片的各参数与分离度、分离效率的关系进行了讨论     

连续小波变换VLSI实现综述

小波变换是信号处理、图像压缩和模式识别等诸多领域中一个非常有效的数学分析工具。然而，实时小波变换计算量大，需要专用硬件来实现。连续小波变换的VLSI实现在处理速度、功耗及适用频率范围方面部具有较明显的优势，且实现方法灵活。本文对近年来有关该领域的研究情况作了综合评述，讨论了其中存在的问题，并指出了今后的若干发展方向，特别是瞬时缩展电路技术是实现低电压低功耗小波变换芯片的重要途经之一。     

一种低载噪比突发扩频信号的快速捕获方法实现

针对突发扩频信号用户资源扩大、 终端功率降低、 系统容量提升等需求,提出了一种低载噪比突发扩频信号的快速捕获硬件实现方法.采用分段匹配滤波器加多普勒并行相干积累的方法,基于硬件实现从算法到工程进行全流程优化设计,最终实现最优的捕获性能.应用结果表明,该硬件设计实现方案的快速捕获性能优越,设计方案正确、 可行,已成功应用...