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71.
为了扩展电流卡钳的频率测试范围,根据其等效电路模型,分析并测试了传输阻抗特性,发现了传输阻抗在频率范围内的非线性现象,进而提出了基于放大器的线性补偿方法.通过测试结果表明,在1-50kHz的被测信号情况下,匹配了放大器的电流探头的传输阻抗的波动范围≤±1dB.因而,利用这一补偿方法,可以给单片机信号采集转换成被测电流值带来方便. 相似文献
72.
This paper introduces a new inductor series-peaking technique for bandwidth enhancement of low-voltage CMOS current-mode circuits. The peaking inductor is in series with the capacitor constituting the dominant pole. It boosts the bandwidth by utilizing the resonance characteristics of LC networks. To reduce the value of the peaking inductor, a new negative current-current feedback mechanism is proposed. The employment of both inductive peaking and current feedback further increases the bandwidth. Both the inductor series-peaking and the current-current feedback do not affect the supply voltage and DC biasing conditions. Theoretical analysis and simulation results show that a significant bandwidth enhancement is achieved. 相似文献
73.
针对目前电流互感器和电压互感器的现场误差测试工作,简要分析了所存在的安全薄弱点及产生的原因,指出这些危险点大都是由一些习惯违章和思想松懈所致。最后提出了一些改进和防范措施。 相似文献
74.
75.
采用双色激光在气体介质中诱导产生太赫兹波的数值模拟方法,深入分析了各种激光参数对双色激光场产生太赫兹波的影响,目的是优化参数以实现太赫兹波辐射能量的最大化。模拟计算表明,双色激光的波长、相对相位、激光脉冲宽度等对瞬态电流和太赫兹能量都有调控作用,并且具有不同的规律性。此外,还通过分析激光电场、电子密度、光电流等相关因素,对双色激光场产生太赫兹波的物理机理进行了解释。该研究为在不同激光激发条件下提高太赫兹波辐射强度,提供了详尽的参数优化分析和理论支持,对后续大幅增强太赫兹辐射效率具有重要意义。 相似文献
76.
77.
78.
碲镉汞红外探测器的表面钝化处理对器件暗电流有较大影响,决定了器件的探测性能。为了研究表面钝化层不同生长方式对暗电流的抑制效果,使用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)系统在Si基衬底上生长碲镉汞材料,分别通过磁控溅射和原位钝化方法生长CdTe/ZnS钝化膜层。采用半导体工艺在碲镉汞材料上制备了变面积光伏探测器。通过测试不同钝化膜层器件的暗电流,分析零偏电阻和面积乘积(R0A)与周长面积之比(p/A)的关系。结果表明,磁控溅射生长钝化层的Si基碲镉汞器件存在较大的隧穿电流,而原位钝化生长钝化层的Si基碲镉汞器件能更有效地抑制表面漏电流。拟合器件R0A因子随PN结面积的变化,得出原位生长钝化层的器件具有更好的钝化效果。变面积器件的制备和测试能够有效且直观地反映器件性能。 相似文献
79.
本文根据交流耐压测试的实际需求提出了向量测量的概念,其中介绍的测量真实电流的基本原理和电路对当前提高耐压测量仪器的设计水平具有非常实际的意义。 相似文献
80.
本文对项目管理的意义和现状进行了分析,对我国项目管理中存在的问题进行了探讨,并提出了针对性的建议。 相似文献