a-Si∶H TFT的寄生效应

a-Si∶H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容,实验研究表明它并不能完全表征TFT的寄生效应,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在.从LCD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发,依据交迭电力线建立了物理寄生效应模型并对其进行了详细的分析和计算,实验结果表明该方法是有效可行的,从而使LCD寄生效应有了一个较完美的理论表征和分析计算方法.     

利用反射纵波评价裂缝倾角的模拟实验研究

声波全波列测井中的反射纵波可以用来评价高角度裂缝和对井周附近地质结构进行成像。目前的研究主要侧重于直接从波形资料处理出发计算裂缝的位置和倾角 ,其可靠性和准确性无从评价和校验。文中采用模拟实验的方法记录了倾角为 6 0°～80°范围内的 8种倾角裂缝的反射脉冲纵波波形 ,自行推导了反演裂缝倾角的公式 ,结合波场分离技术对实验测量波形数据进行了处理 ,计算出的裂缝倾角与实际值具有良好的一致性。本文结果表明 ,利用至少 2个深度点的纵波反射波波形资料就可以准确地反演裂缝的倾角     

氧化钨物理特征的测量

对铵钨青铜（ATB）、氢钨青铜（HTB），紫色氧化钨（TVO）和蓝色氧化钨（TBO）四种氧化钨粉的氮气吸附/脱附等温线数据的分析。可以得出其表面积，微孔体积，微孔分布，中孔体积，平均孔径和分数维数。吸附/脱附等温线数据的分析表明，TVO粉末具有最大的中孔体积，最小的微孔体积，最窄的孔径分布，最小的分数维数和最大的平均孔径，其有利于氢还原制取超细钨粉，而不利于掺杂工艺，HTB粉末具有最大的微孔体积，最宽的孔径分布，最高的分数维数和最小的平均孔径，对于掺杂工艺来说是有利的，ATB和ABO的上述参数界于TVO和HTB之间。结果表明，利用吸附/脱附等温线来研究氧化物的物理特征是一个很好的方法；在氧化钨用于氢还原工艺和掺杂工艺之前必须研究其物理特征。