多指版图结构对纳米MOSFET阈值特性的影响分析

针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。     

下坂地水利枢纽导流隧洞洞挖施工技术

下坂地水利枢纽导流隧洞工程是大坝截流的关键项目，洞身开挖的质量和工期制约着后续工程的施工。采用超前锚杆临时支护提前挂网进洞，对造孔的间距、孔深、装药量以及出渣方式进行优化，提高了单循环的时间，从而保证了导流洞的洞挖按期完成。     

新型高K栅介质ZrO2薄膜材料的制备及表征

采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.     

伊朗卡尔黑水利枢纽

伊朗卡尔黑多目标水利枢纽，首台机组于2002年9月投运。介绍了工程历史，并从导流系统遂洪道、渗漏控制和惟幕灌浆等方面介绍了工程的技术要求。     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

小湾水电站导流隧洞设计简介

本文简要介绍了小湾水电站大型导流隧洞的设计特点，特别是运用风险分析法选定导流隧洞洪水设计标准，对导流洞布置进行了多方案技术经济比选，并针对导流隧洞不同洞段的地质情况进行支护设计，使导流隧洞的设计达到了经济，合理的目的。     

谐振腔帘栅打火引起的故障及处理

随着广电事业的飞速发展,广播电视正成为人们生活中重要的一部分.保证广播电视设备的优质运行是每个广播电视工程技术人员的首责.在日常的维护与检修过程中有许许多多的宝贵经验值得加以总结.下面本人以北京广播器材厂生产的CSD-IV/V-1A型分米波1kW彩色电视发射机的一次故障为实例加以分析并解决.以供同行作为参考.     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。