ULSI中的铜互连线RC延迟

随着ULSI向深亚微米特征尺寸发展，互连引线成为ULSI向更高性能发展的主要限制因素。由互连引线引起的串扰噪音及RC延迟限制了ULSI的频率性能的提高，同时考虑到电迁移和功率损耗，人们开始寻找新的互连材料；低电阻率的铜互连材料和低介电常数介质的结合可以有效地发送互连线的性能，主要讨论了互连延迟的重要性以及发送和计算延迟的方法。     

低k氟化非晶碳层间介质对芯片性能的影响

讨论了通过合理设计的工艺流程将低k氟化非晶碳材料应用到制造工艺中作为互连介质对集成电路性能的影响。基于一个互连结构简化模型计算出采用低k氟化非晶碳材料作为互连介质后RC延迟、功率耗散和线间串扰的变化情况。采用低k氟化非晶碳介质后,RC延迟和功率耗散随着互连长度的增大而减小,线间串扰也得到显著抑制。     

业界快讯

<正>应用材料公司推出新Carina系统克服高k介电常数/金属栅极刻蚀难题应用材料公司推出Centura(r)Carina(tm)Etch系统用于世界上最先进晶体管的刻蚀。该系统能提供45nm及更小技术节点上采用高k介电常数/金属栅极的逻辑和存储器件工艺扩展所必需的材料刻蚀轮廓,是目前唯一具有上述能力并可以用于生产的解决方案。这套系统高性能的关键之处在于其拥有知识产权的高温阴极。高温工艺可以提供平坦垂直的轮廓,不会产生传统温度工艺下带来困扰的高k介质材料残留和硅材料凹陷。     

电性能技术在高分子材料中的应用

简要叙述了绝缘材料电性能技术常规测试的基本原理．并从宏观上介绍电性能技术在高分子材料方面的几种新的应用，展望了电性能技术的发展前景。     

微波腔传感器在工家业生产中的应用

本文主要介绍微波腔体传感器用于工家业生产过程中对物质的湿度、温度、厚度和材料的电磁参数测量的基本原理，综述半个世纪以来，微波测量湿度、温度、厚度以及材料电磁特性等的应用概况。     

Synthesis and microwave characterization of Co-SiC core-shell powders by electroless plating

Co-SiC core-shell powders were prepared by electroless plating. Scanning electron microscopy （SEM） revealed that Co-SiC core-shell powders were of nearly sphere-like shape and were about 0.3 pan. X-ray powder diffraction （XRD） patterns showed that the cobalt powder was hexagonal crystallite. The complex dielectric constant and the complex permeability of Co-SiC core-shell powders-paraffin wax composite were measured by the rectangle wavegnide method. It showed that the dielectric loss was less than 0.1 and the magnetic loss was about 0.2 in 8.2-12.4 GHz for prepared Co-SiC core-shell comoosite oowders.     

聚酰亚胺薄膜的介电性能调控研究进展

聚酰亚胺作为一种特种工程塑料,因其优异的介电性能、力学性能及耐热稳定性而广泛应用在电工绝缘、电子等领域.通过分子结构设计和优选单体,可以调控聚酰亚胺的分子链结构,从而获得具有优异热稳定性和介电性能的聚酰亚胺薄膜.本文综述了调控聚酰亚胺介电性能的分子结构设计策略及聚酰亚胺结构对其介电性能的影响机制,并对介电性能调控的研究方向进行了展望.     

日使用超临界CO2消除残留的光刻胶

日本索尼公司最新开发成功使用超临界CO2消除在制备超大规模集成电路过程（VLSIs）中的干燥-蚀刻残留的光刻胶。据这家电子设备制造商称：上述技术能使VLSIs的低介电常数层间薄膜和底板不受损伤。