基于等效磁表面的层叠型介质谐振器天线

提出了一种基于等效磁表面的层叠型介质天线,同时具有宽带和高增益等特点。设计采用两片高介电常数的薄介质片,构造出两个等效磁表面,结合金属地的等效电表面,可以在“电-磁"以及“磁-磁"的边界条件中获得两个独立的TE^y₁₁₁ 模式。通过合并这两个模式可以有效拓展天线的工作带宽,同时,等效磁表面的引入还可以提高天线的增益。天线的仿真和测试结果一致性良好,其|S11|<-10 dB 的相对带宽约为36%,最大增益在6.3 GHz 处达到8.4 dBi。另外,该天线的辐射单元均由低损耗的介质构成,辐射效率高,使其在未来无线通信系统中具备一定的应用前景。     

ULSI低介电常数材料制备中的CVD技术

综述了制备ULSI低介电常数材料的各种CVD技术。详细介绍了PCVD技术淀积含氟氧化硅薄膜、含氟无定型碳膜与聚酰亚胺类薄膜的工艺,简要介绍了APCVD技术淀积聚对二甲苯类有机薄膜及RTCVD技术淀积SiOF薄膜的工艺。     

硼硅对BST薄膜结构和性能的影响

用sol-gel法制备0.5mol/L钛酸锶钡(Ba0.7Sr0.3TiO3)前驱溶液,并在其中加入硼、硅成功地制备了室温下具有优良铁电性质的BSTS薄膜。XRD及DSC分析显示,BSTS薄膜呈现钙钛矿结构。测试结果表明,随着硼、硅的加入量增加,其εr和tgδ明显降低。当硼、硅的加入量小于10mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的低,当硼、硅的加入量大于15mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的高。     

三通关节的小型化设计

该文介绍了根据某雷达的任务要求，经多方论证，采用计算机仿真、做实体模型检验，采用特殊的结构方式，实现了三通关节的小型化设计。     

低介电常数含氟氧化硅薄膜的红外光谱分析

用等离子体化学气相淀积 (PECVD)制备了含氟氧化硅薄膜 (Si OF薄膜 )。通过傅里叶变换红外光谱 (FTIR)分析 ,研究了氟掺入后薄膜结构的变化 ,并进一步讨论了氟对薄膜介电常数及吸水性的影响。研究表明氟掺入后改变了 Si- O键上的电荷分布 ,降低了薄膜中 Si- O键的极性 ,导致 Si- O键伸缩振动吸收峰发生蓝移。同时氟的掺入抑制了强极性 Si- OH键的形成。这些变化有利于薄膜中离子极化和偶极子转向极化的降低 ,因而使薄膜介电常数减小。对 Si- F吸收峰的高斯拟合表明 ,在氟含量较高时 ,薄膜中掺入的氟一部分会以 Si F2 结构存在。由于 Si F2 结构稳定性较差 ,易与水汽发生作用 ,因而高氟掺杂的 Si OF薄膜易吸水 ,并使薄膜性能变差     

退火温度对高介电常数Ta2O5薄膜电学性能的影响

利用磁控溅射法在硅(Si)衬底上沉积了Ta2O5薄膜,对薄膜进行了不同温度的退火处理,并利用X射线衍射仪对薄膜的微观结构进行了分析.然后在Si的背面和介电薄膜的上面沉积Pt电极,组成了金属—氧化物—半导体( MOS)电容器,对不同温度下退火得到的薄膜制备的MOS电容器的电学性能进行了研究.结果表明,薄膜在700℃开始结...     

环氧树脂及其增强材料回顾

本文回顾了PCB制造常用的环氧树脂及其增强材料的性能和用途。同时,还介绍了代用树脂材料和代用增强材料的最新进展,如改性环氧树脂、无卤树脂、Thermount、PTFE、氰酸酯等,并就其性能进行了探讨。     

超大规模集成电路中低介电常数薄膜的制备与检测技术

近年来,低介电常数材料在IC工业中日益受到人们广泛关注,为了降低信号传输延迟和串扰以及由于介电损失而导致的功耗增加,采用低介电常数材料做层间介质是必要的。本文介绍了有关低介电常数材料薄膜的制备方法和基本特性的检测技术。     

HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析

采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO中Ti的含量及表面预处理工艺有望改善HfTiO/Ge界面质量。     

业界快讯

<正>应用材料公司推出新Carina系统克服高k介电常数/金属栅极刻蚀难题应用材料公司推出Centura(r)Carina(tm)Etch系统用于世界上最先进晶体管的刻蚀。该系统能提供45nm及更小技术节点上采用高k介电常数/金属栅极的逻辑和存储器件工艺扩展所必需的材料刻蚀轮廓,是目前唯一具有上述能力并可以用于生产的解决方案。这套系统高性能的关键之处在于其拥有知识产权的高温阴极。高温工艺可以提供平坦垂直的轮廓,不会产生传统温度工艺下带来困扰的高k介质材料残留和硅材料凹陷。