VLSI用低介电常数含氟碳膜研究

用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了不同工艺条件下的含氟碳膜。测量了薄膜的厚度和介电常数,并用傅立叶红外光谱分析了薄膜化学结构,发现薄膜成分和介电性与沉积工艺密切相关,对薄膜的SEM分析表明所得薄膜均匀致密。控制适当的工艺条件,可沉积理想的超大规模集成电路(VLSI)用钝化膜。     

相对介电常数大于100的BST(钛酸锶钡)薄膜

南京电子器件研究所采用 RF磁控溅射法成功研制出室温下相对介电常数高于 1 0 0的 BST薄膜。采用具有自主知识产权的工艺技术制作了大直径 BST溅射靶材 ,用这种靶材制作 Pt/BST/Pt薄膜电容 ,在 Si/Si O2 衬底上溅射 BST,其膜厚典型值 2 80 nm。该技术采用了在 RF磁控溅射 BST时     

基于超材料等效介质理论的带通频率选择表面设计及验证

提出了一种构建超材料带通频率选择表面的新方法,该方法通过调节单元结构的等效介电常数实现.金属丝阵列在等离子频率以下等效介电常数为负,产生传输禁带,在金属丝阵列中加入介电常数符合Lorentz模型的短金属线结构,可得到一维带通频率选择表面,理论分析和仿真计算充分验证了这种方法的可行性.基于这种方法,将一维超材料频率选择表...     

基于自由空间法的液体等效电参数测试系统的研究

自由空间法是一种非限制测试环境的测量方法,它能被应用于实验室测量或室外实地测量中。本文运用自由空间法测试水溶液的介电常数并将其与使用同轴探头法的测试结果进行比较,得出同轴探头法与自由空间法的测试结果基本吻合的结论,从而验证自由空间法的准确性和此测试系统的可行性。     

左手材料的设计和研究进展

左手材料是近年来发现的某些物理特性完全不同于常规材料的新材料,在电磁波某些频段能产生负介电常数和负磁导率。详细回顾这种人工材料的背景,研究进展,介绍其应用,并对其应用前景进行展望。     

基于多孔硅的共平面波导制备及传输特性研究

多孔硅被认为是RF应用领域中较有潜力的衬底材料。文章利用多孔硅作衬底，制备了微型微波共平面波导，采用多线方法计算出该波导在多孔硅上的插入损耗和有效介电常数；提出了通过多孔硅的相对介电常数来确定多孔度的方法。实验测试结果表明，在20μm多孔硅上的波导，其插入损耗在1-30GHz范围内为1—40dB/cm；而在70μm多孔硅上制备的波导，其插入损耗在整个测试频段内不超过7dB/cm。通过有效介电常数的计算，推算出实验制备的70μm多孔硅材料的多孔度约为65％。     

HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究

为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁移率退化的原因,模型计算结果与实验结果一致。     

电子的介电常数研究

提出了电子介电常数的计算模型,从不同的角度得到了电子的非相对论散射截面,进一步得到了电子的非相对论性介电常数,发现电子是一色散介质,介电常数是波粒二象性的统一;得到了导体的等效介电常数,验证了所得电子介电常数的有效性;填补了此项研究的空白。     

用自由空间法测试介质电磁参数

提出了一种测试介质材料微波复介电常数和复磁导率的新方法;建立了测试方法的物理模型;通过理论分析,获得了求解被测材料微波电磁参数的计算表达式;研制了测试装置和测试系统,讨论了用于测试系统的校准方法和提高测试准确度的时域门技术.在8～12GHz的频带范围内,对多种介质材料进行了实测,结果表明,本文提出的测试方法和研制的测试系统是正确可靠的,具有实用价值.