电子束、离子束与蓝宝石相互作用的研究

研究了电子束、离子束作用于Al2O3表面时成分的变化，表明无论电子束或离子束都能使Al2O3发生分解，产生导电的元素Al。实验在PHI610·SAM上进行，电子束轰击下（3keV，O．5μA，入射角60°）10s就有元素Al分解出来，2min以后就达到饱和，分解析出量随时间成a（1－e－bt）的关系。离子束轰击下同样发生元素Al的分解，但当Ei＞3keV时，由于剥离速率加大，溅射5min时表面Al峰反而比1min时要弱。这时表面Al含量处于分解析出与溅射剥离的动态平衡中。实验还发现了Al2O3的解析与表面成分有关（如碳的含量）。最后讨论电子束与离子束的解析机理。     

光刻伺服盘媒体微细加工技术

阐述了光刻伺服盘媒体微细加工实验过程，分析了刻蚀工艺影响磁盘光刻图形的不利因素，实践证明利用半导体微细加工技术光刻伺服盘，能大幅度提高磁道密度，增加磁盘驱动器的容量，是一种先进的可行方法。     

轰击能量对离子束增强沉积Cr—N薄膜微观结构和硬度的影响

采用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）技术，在不同能量氮离子的轴助轰击下制备了Ｃｒ－Ｎ薄膜，通过ＳＥＭ观察、ＸＲＤ分析和显微硬度测定，发现离子轰击能量对Ｃｒ－Ｎ薄膜的表面形貌、相组成和硬度有显著的影响；随着能量的升高，膜表明形貌由岛形颗粒状转变成蜂窝状；一定能量轰击下获得的Ｃｒ２Ｎ和ＣｒＮ混相结合有最高的薄膜硬度；高达１６ｋｅＶ的氮离子轰击可诱发非晶化的出现，并对膜有一定的强化作用。在此基础上探讨了离子轰     

离子束辅助沉积技术及其进展

本文介绍了离子束辅助沉积技术的基本原理，主要工作特点，设备及主要影响因素，综 利用该技术在制备各种新膜层方面研究的新进展，并指出该技术的不足及未来发展方向。     

国外离子束系统（IBS）发展概况

综述了国外离子束刻蚀和沉积系统的研究进展，指出了离子束系统在半导体技术研究，开发和生产中的重要性。     

双离子束沉积氮化钛技术在模具上的应用

采用双离子束动态混合技术，对模具材料的表面进行改性处理。经测试发现，材料 表面经该技术改性处理后，显微硬度和抗磨损性能均有很大提高。现场使用表明，经该 技术处理后的模具，其使用寿命较未经处理模具的使用寿命，提高２—４倍．使用俄歇 （ＡＥＳ）、Ｘ射线（Ｘ－ｒａｙ）和透射电镜（ＴＥＭ）技术对改性层的主要元素分布，含量及 其成份和结构进行了分析，并讨论了该双离子束混合技术对材料表面改性的机理．     

磁增强反应离子刻蚀系统中的发射光谱诊断技术

利用发射光谱诊断技术研究了磁增强反应离子刻蚀系统中ＣＦ４＋Ｏ２的辐射谱、谱线成分及强度，分析了谱线强度与射频福射功率、氧气含量的关系，并与没有磁场存在时的情况作了比较。     

^103Pd放射性支架的研制

放射性核素钯^103Pd的半衰期为17d，发射低能X射线，能量为21-23keV，衰变后转为稳定态的^103Rh。^103Pd能量低，0．06mm的铅可防止97％以上的射线。在组织中的半减弱层为1．0cm，对肿瘤细胞杀伤力强，对正常组织损伤小，防护简便，具有对病人和医务人员伤害小的优点，电镀在不锈钢支架上，适于永久性植入治疗。     

低能强流离子束装置计算机控制系统

低能强流离子束装置的远端控制采用计算机控制。控制系统由100kV电位台架前端控制、60kV电位台架前端控制以及地电位控制台架构成。结构框图如图1所示。100kV电位台架上被控制设备有微波电源、励磁磁场电源和进气控制组成；60kv电位台架上有螺线管电源、开关磁铁电源、前抑制电源、分子泵电源、     

刻蚀铜薄膜的新技术

日本三井金属公司开发了刻蚀铜薄膜的新技术。此技术采用新型铜薄膜的刻蚀液，保证垂直刻蚀。因而铜线宽度可设计成比以前宽度窄1／3，即20μm。采用此技术可将TFT-LCD电视更轻量化，并降低了成本。