合金化热镀锌IF钢板镀层显微组织的TEM观察

介绍了用聚焦离子束方法制备合金化热镀锌IF钢板镀层横截面TEM试样，应用透射电镜对其显微结构进行了观察。结果表明，商用合金化热镀锌IF钢板镀层显微结构由近界面的牙齿状Г相层和等轴Г1相及δ相组成，晶粒尺寸为0．5～1μm；δ相电子衍射斑点中存在明显的超点阵斑点。     

低能电子投射全息的计算机模拟和数值重现研究

点源发出的低能量电子波经过样品的散射后,带有物体原子结构信息的散射波(物波)和未被散射的电子波(参考波)在收集平面上相互干涉形成的电子全息图即为低能电子投射全息图.本文在合理的物理模型下,以石墨的晶体结构为试样,通过计算机模拟的方法,首次对低能电子投射全息进行了研究,讨论了一些关键参数对晶体结构电子全息的重现像和分辨率的影响,并且实现了晶体结构三维数值重现,讨论了三维重现的效果.     

关于辅助沉积霍尔离子源的几个问题

本文目的在于改进霍尔源的设计,实现宽能、大束流、低气耗、低污染、能自动化控制的新一代霍尔源.     

SiO2平面光波导工艺中的反应离子刻蚀研究

利用反应离子刻蚀工艺实现硅基SiO2平面光波导的刻蚀,研究了不同刻蚀条件对刻蚀速率、刻蚀选择比、刻蚀侧壁光洁度等刻蚀结果的影响,并首次研究了分别以无定形硅与多晶硅作为SiO2波导刻蚀掩膜对刻蚀垂直度的影响.利用改进的SiO2反应离子刻蚀工艺,得到了传输损耗极低的SiO2光波导.     

实时斜离子轰击对Co-Cu合金薄膜结构和磁各向异性影响

从0到接近90°改变离子束入射角度,用离子束辅助沉积制备了Co-Cu合金薄膜.当离子束入射角度为45°时,获得了强织构的面心立方相亚稳相.对于入射角15°到60°的样品,垂直于离子束入射平面的方向易磁化.斜离子束在制备过程中起到了混合效应和沟道效应的作用.     

离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究

用离子束溅射法制备了不同衬底温度的非晶硅(a-Si)薄膜,用双四探针法测量了不同温度下的电阻率,用喇曼散射及原子力显微镜表征了薄膜显微结构.结果发现随着衬底温度的升高,薄膜的电阻率逐渐增大,衬底温度为室温的a-Si薄膜质量较好且从其表面形貌可观察到少量Si晶粒的存在.     

电化学刻蚀方法制备半导体材料纳米阵列

电化学刻蚀方法是一种非常简单实用的制备规则纳米阵列结构的方法.本文简述了用电化学刻蚀方法制备InP以及Si规则纳米阵列的方法.SEM图像给出了这些规则纳米阵列的结构.     

离子束溅射淀积光学薄膜的膜厚均匀性实验

介绍了离子束溅射技术改善薄膜均匀性的两种方法。研究了修正板技术,根据工程需要将修正板技术应用于行星转动条件下的光学薄膜的均匀性修正。分别研究了靶摆动和不摆动的情况下,淀积薄膜的均匀性修正。实验结果表明,修正后的均匀性结果优于 1%,能满足实际应用的要求;靶摆动修正的均匀性结果优于修正板技术。     

本质安全电路的功率判别式

基于本质安全电路的放电电流线性衰减模型，得到最大放电功率(Wmax)与放电能量(Wg)成正比，与电路时间常数(γ)成反比的结论．建立了电路本质安全性能的功率判别式，解释了小火花能够引爆气体而大火花却不能够引爆气体的现象，这是对常用的能量判别式的补充．指出在国家标准GB3836．4-2000中给出的最小点燃能量(Wmin)下，电路本质安全性能的能量判别式公式将不成立，而功率判别式照样成立．     

高密度等离子体刻蚀系统中诊断模型的初步分析

高密度等离子体刻蚀已经广泛运用于深亚微米的微电子制造工艺中,并成为制约着产能及器件性能的关键步骤,因而有必要对等离子体刻蚀过程进行原位的实时监控.而利用传统的线性回归方法已经无法对包含有数目众多的变量的谱图数据进行实时分析了,必须采用新的数学模型,对原始数据进行压缩处理.本文结合实例讨论了目前在等离子体刻蚀系统中用到的诊断模型:主元素分析法以及神经网络法.