刻蚀铜薄膜的新技术

日本三井金属公司开发了刻蚀铜薄膜的新技术。此技术采用新型铜薄膜的刻蚀液，保证垂直刻蚀。因而铜线宽度可设计成比以前宽度窄1／3，即20μm。采用此技术可将TFT-LCD电视更轻量化，并降低了成本。     

刻蚀电子线路板废液制取混凝剂研究

电子工业刻蚀电子线路板广泛使用氯化铁溶液 ,其排出液中含有大量铜、镍离子 ,采用铁粉还原的方法能有效地去除镍离子 ,处理后的溶液符合饮用水混凝剂要求 ,可作为水处理混凝剂使用 ,为该类废液提供了综合利用的方法。     

强脉冲离子束在金属中引起的应力波效应

金属在强脉冲离子束辐照及其后的快速冷却过程中所经历的应力过程是强脉冲离子束金属材料改性的最重要的机制之一。对应于这种过程 ,金属材料的微观结构和微硬度发生了改变。本文以 4 5 #钢和纯铝为样品将实验中测量到的不同强度的强脉冲辐照后样品微硬度和微观结构的变化与热力学计算所描述的热力学过程相对照 ,解释了出现微硬度双峰是由于应力波的形成和传播使然 ,并预言了由于应力波的在样品背面的反射 ,在较强能通量的强脉冲离子束辐照下 ,样品背表面一定深度处也会出现微硬度增加的现象 ,该现象已被实验所证实。     

香港多功能智能身份证简介

香港入境事务处发言人今年5月表示:从2003年6月23日起,凡在五间人事登记处其中一间申领身份证的人士,均会获发智能身份证,而非现时过胶的纸质身份证。 香港市民换领身份证计划将于2003年8月18日展开。届时,现时全港690万名身份证持有人会获通知在指明限期内,按出生年份分批前往任何一间智能身份证中心换领身份证。整个计划预期在四年内完成。     

Bioeffects of Low Energy Ion-Beam Implantation and Vacuum Treatment on M1 Arabidopsis Thaliana

Vacuum treatment and ion-beam bombardment are two major processes in the low energy ion-beam implantation. To accurately study the contributions of these two major factors to the bioeffects separately, the M1 generation variation of Arabidopsis thaliana with ion-beam implantation and vacuum treatment were compared through a series of key plant development parameters including morphological observation, biochemical assay and RAPD （random amplified polymorphic DNA） analysis. The results showed that ion-beam implantation had obvious effect on almost all of these parameters, and the vacuum treatment had some impacts on several morphological parameters such as the bolting time and the length of the primary stem. Taking the results together, the indication is that vacuum treatment has some slight contributions to the bioeffects of ion-beam implantation while ion-beam bombardment itself is the major creator of the bioeffects.     

离子束混合工艺对材料抗蚀性能的影响

本文介绍了离子束混合工艺方法。与直接注入相比较,离子束混合所使用的设备造价低1/4—1/2,而生产效率可提高1—2个数量级,因而使生产成本大幅度降低,这无疑对离子束工艺的实际应用将产生巨大的促进作用。 通过对轴承材料(GCr15和Cr4Mo4V)经Cr、N、Ta不同元素的混合处理后,在0.5M H_2SO_4和0.1M NaCl的缓冲溶液中的阳极极化曲线表明经混合处理后的两种材料试样,其抗蚀能力和抗点蚀能力均大大提高,这与直接注入的试样效果是一致的。 通过俄歇谱仪和透射电镜的分析结果表明混合是成功的,且在一定的条件下,形成非晶组织。 本文的结论是,无论是离子的直接注入还是离子束混合,对提高轴承材料的抗腐蚀性能都是有效的方法,特别是离子束混合技术具有更大的应用前景。     

1μm宽硅深槽刻蚀技术

介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。     

低能重离子及其碰撞产生的级联原子在生物材料中的直接作用范围

用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ法模拟计算了３０ｋｅＶ和２００ｋｅＶ的Ｎ＾＋与１１０ｋｅＶ的Ｆｅ＾＋在模拟细胞中的射程分布和径迹结构，并将１１０ｋｅＶＦｅ＾＋模拟计算的结果与ＲＳＢ测量的结果相比较，发现计算与测量的结果吻合较好，离子的作用范围小于１μｍ。计算和实验的结果都说明能量相当低的重离子不大可能直接作用引起麦胚深层生物效应。     

非晶硅基薄膜的等离子体刻蚀光发射谱检测

本文研究了采用锁定放大相干检测技术的等离子体光发射谱检测系统。用该系统检测了仅用CF4作为刻蚀气体刻蚀非晶硅基薄膜的等离子体光发射谱。分析了检测结果和刻蚀机理。     

薄膜磁头磁轭制备工艺研究

本文重点讨论了用不同的工艺方法来制备薄膜磁头中的关键元件-磁轭。采用多次光刻的方法克服湿法工艺中磁性膜NiFe层的侧向钻蚀问题，从而实现对磁轭几何尺寸的精确控制，并对几种工艺方法的优缺点作了比较详细的分析。