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将等离子体刻蚀应用于非晶硅的刻蚀中,得到边缘整齐、分辩率高、重复性好、图形清晰的满意效果。通过调整工艺条件,可严格控制刻蚀速率。其特点优于湿式化学腐蚀,是一种非晶硅特性研究和器件制造中值得推广和使用的方法。 相似文献
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离子束辅助沉积(Ti,Al)N梯度薄膜的结合强度 总被引:3,自引:0,他引:3
本文采用离子束辅助沉积技术,制备了不同成分梯度的一系列(Ti1-xAlx)N膜(其中x=0.16~0.44),并利用刮剥式结合强度测量方法,对薄膜成分对结合强度、内应力、硬度等的影响进行了研究。研究工作发现,刮剥法测得的结合强度,在x=~0.31处取得最大结合强度值后,随薄膜成分梯度的增大而下降,但在重要的40%~50%Al区域内,梯度(Ti,Al)N膜的结合强度、硬度以及内应力却都维持在一个较为稳定的水平,较少受薄膜成分等的影响。梯度((Ti,Al)N膜的结合强度主要受膜中残余应力的影响。 相似文献
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本文描述用离子束透过钽金属膜进行混合和快速热处理方法来形成钽的硅化物.用溅射方法在P型硅衬底上淀积一层金属钽,然后用砷离子束透过钽金属模进行混合,采用快速热处理后形成了平整的硅化钽薄层.使用厚度为500埃的钽金属膜,得到钽的硅化物薄层电阻为5.5Ω/□.研究了砷离子能量、剂量及钽膜厚度对钽的硅化物薄层电阻的影响.用透射电镜和台阶仪对所形成的硅化钽进行了分析和厚度测量. 相似文献
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GaAs器件工艺中等离子刻蚀及计算机辅助监控技术研究 总被引:2,自引:1,他引:1
陈正明 《固体电子学研究与进展》1994,14(2):182-185
用N2气和NF3反应气体,在较低的刻蚀功率下实现了用薄正性光刻胶AZ1518作掩模,均匀、快速刻蚀SiO2,SiON,Si3N4,WN,W等材料的等离子刻蚀技术。利用到蚀过程中射频参数的变化和计算机技术,将射频参数的变化在计算机屏幕上实时显示,实现了计算机辅助监控和终点检测技术。 相似文献
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Mo/Si多层膜界面离子束处理及TEM观察薛钰芝R.Schlatmann,林纪宁A.Keppel,J.Verhoeven(大连铁道学院,大连116022)(荷兰FOM原子分子物理研究所)软X射线多层膜(MultilayersforSoftX-rayO... 相似文献