用离子束辅助沉积对Si进行金属化

本文用ＩＢＡＤ－ＰＶＤ复合方法在单晶硅上制备了Ｃｒ／Ｎｉ复合金属化层，研究了沉积工艺条件及退火对薄膜的界面结合强度和电阻率的影响，获得了界面结合强度高、电阻率低、抗热震性能好的Ｃｒ／Ｎｉ复合金属化膜，界面结合强度可达３１ＭＰａ。     

离子束辅助沉积技术在腐蚀与防护中的应用

离子束辅助沉积技术是近年来发展很快的一种表面技术，集气相沉积和离子注入优点于一体，为改善２薄膜     

7—12MeV活化截面测量和低能中子影响的校正

简述了７－１２ＭｅＶ能区由于有几种低能中子成分的存在给截面测量与评价带来困难，及低能中子的扣除方法，并给出了此能区几个反应道的测量结果，以图的形式与国际同行数据作了比较。又以＾５８Ｎｉ（ｎ，ｐ）＾５８Ｃｏ反应为例，说明低能中子对Ｔ（ｄ，ｎ）＾４Ｈｅ中子源的影响，还给出了＾５８Ｎｉ（ｎ，ｐ）反应的评价曲线。     

基于金刚石薄膜的微间隙室制备

采用金刚石薄膜作为阴-阳极间绝缘介质层是一种新型的微间隙室(MGC)结构。该文详细介绍和讨论了采用常规的微细加工工艺制备基于金刚石薄膜介质层的MGC的制备技术,其典型结构为阳极微条宽20μm,微条间隔180μm,器件探测区面积为38 mm×34 mm。采用热丝CVD法制备的金刚石薄膜作为阴-阳极间绝缘介质层,厚7~8μm,具有(100)晶面结构。金刚石的刻蚀采用反应离子刻蚀,Cr作掩膜,O2和SF6为刻蚀气体,刻蚀速率为79 nm/min,与Cr的刻蚀比约为20:1。实验结果表明,采用的微加工结合自套准工艺可很好地解决金刚石薄膜的制备、图形化及金属阳极电极与金刚石薄膜的相互套准等金刚石薄膜的可加工性及兼容性问题,并制备出采用金刚石薄膜作为电极间绝缘介质层的新型MGC结构。     

离子束辅助沉积防腐的铝和铝合金涂层

为了研究腐蚀性能与入射氩离子能量，离子－原子到达比和离子入射角的关系，用离子束辅助沉积方法在低碳钢上沉积纯铝涂层。根据理论对基体－涂层体系的局部化腐蚀性能的考虑，有可能估计孔隙度，涂层缺陷的相对数和这种缺陷的平均直径它们对过程参数扔依赖关系提出对膜生长的初始阶段的深入了解，并且证明在近表面区域的能量沉积是改善涂层缺陷，因而改善钢－铝体系的腐蚀性能最重要的因素。     

浅地层探地雷达波测量方法的研究

波速的测量在探地雷达的研究中一直是一个至关重要的课题，尤其是对地下目标进行定位和成像时；本文针对浅地层探地雷达接收信号的特征，抛弃传统的过零点检测和其他的边缘轮廓检测方法，提出用极值进行边缘轮廓检测的方法，从而对目标的提取更准确并且有较少的数据，减少了霍夫变换的计算量；通过对霍夫变换算法的分析，针对传统霍夫变换的缺点，提出了一种加FIR低能滤波器的改进霍夫变换；同时应用算法对实测数据进行了计算，证明所提算法比传统的霍夫变换方法有更高的测速准确度。     

退卷积过程中的低能尾修正

本文详述了康普顿轮廓测量退卷积处理过程中，关于低能端谱形畸变（即低能尾）的修正的思路和具体方法。