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51.
简述了7-12MeV能区由于有几种低能中子成分的存在给截面测量与评价带来困难,及低能中子的扣除方法,并给出了此能区几个反应道的测量结果,以图的形式与国际同行数据作了比较。又以^58Ni(n,p)^58Co反应为例,说明低能中子对T(d,n)^4He中子源的影响,还给出了^58Ni(n,p)反应的评价曲线。 相似文献
52.
采用金刚石薄膜作为阴-阳极间绝缘介质层是一种新型的微间隙室(MGC)结构。该文详细介绍和讨论了采用常规的微细加工工艺制备基于金刚石薄膜介质层的MGC的制备技术,其典型结构为阳极微条宽20μm,微条间隔180μm,器件探测区面积为38 mm×34 mm。采用热丝CVD法制备的金刚石薄膜作为阴-阳极间绝缘介质层,厚7~8μm,具有(100)晶面结构。金刚石的刻蚀采用反应离子刻蚀,Cr作掩膜,O2和SF6为刻蚀气体,刻蚀速率为79 nm/min,与Cr的刻蚀比约为20:1。实验结果表明,采用的微加工结合自套准工艺可很好地解决金刚石薄膜的制备、图形化及金属阳极电极与金刚石薄膜的相互套准等金刚石薄膜的可加工性及兼容性问题,并制备出采用金刚石薄膜作为电极间绝缘介质层的新型MGC结构。 相似文献
53.
为了研究腐蚀性能与入射氩离子能量,离子-原子到达比和离子入射角的关系,用离子束辅助沉积方法在低碳钢上沉积纯铝涂层。根据理论对基体-涂层体系的局部化腐蚀性能的考虑,有可能估计孔隙度,涂层缺陷的相对数和这种缺陷的平均直径它们对过程参数扔依赖关系提出对膜生长的初始阶段的深入了解,并且证明在近表面区域的能量沉积是改善涂层缺陷,因而改善钢-铝体系的腐蚀性能最重要的因素。 相似文献
54.
浅地层探地雷达波测量方法的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
波速的测量在探地雷达的研究中一直是一个至关重要的课题,尤其是对地下目标进行定位和成像时;本文针对浅地层探地雷达接收信号的特征,抛弃传统的过零点检测和其他的边缘轮廓检测方法,提出用极值进行边缘轮廓检测的方法,从而对目标的提取更准确并且有较少的数据,减少了霍夫变换的计算量;通过对霍夫变换算法的分析,针对传统霍夫变换的缺点,提出了一种加FIR低能滤波器的改进霍夫变换;同时应用算法对实测数据进行了计算,证明所提算法比传统的霍夫变换方法有更高的测速准确度。 相似文献
55.
退卷积过程中的低能尾修正 总被引:1,自引:0,他引:1
本文详述了康普顿轮廓测量退卷积处理过程中,关于低能端谱形畸变(即低能尾)的修正的思路和具体方法。 相似文献
56.
本文评述了聚焦离子(FIB)技术的最新进展。这些技术包括离子植入,离子束辅助蚀刻和沉积以及就地制造,由于FIB的无掩模能力和高电流密度,发现FIB作为一种显微外科手术工具的在超大规模集成(ULSI)器件或材料分析以及就地制造方面有重要应用,最近的聚焦离子束系统能产生直径小于10nm的聚焦离子束,而且作为纳米制造工具的重要性也日益增加,使用FIB主要在GaAs/GaAlAs异质结构中制造了各种小尺寸 相似文献
57.
本文研究了在SF6,CBrF3和CHF3与氧相混合的几种氟化气体等离子体中,SiC薄膜反应离子刻蚀(RIE)的深度。通过监测射频等离子体的光发射谱及产生等离子体的直流偏压来研究刻蚀机理,为了更精确地定量分析刻蚀工艺,使用氩光能测定技术使等离子发射强度转换为相应的等离子物质浓度。为获得选择性的SiC-Si刻蚀及SiC薄膜的各向异性图形,对等离子体条件,如气体混合物的构成,压力和功率进行了研究。首次采 相似文献
58.
59.
60.
强流脉冲离子束表面再制造技术原理与应用 总被引:3,自引:0,他引:3
采用TEMP-6型强流脉冲离子束(HIPIB)装置开展了HIPIB表面再制造技术的研发.HIPIB装置主体由高压脉冲电源系统和高功率离子二极管系统组成,通过高压短脉冲在二极管中放电产生阳极等离子体并引出ns级强流离子束.HIPIB辐照材料表面,发生显著的熔融、蒸发和剧烈烧蚀,物质喷射的反冲作用在辐照表面形成由表及里的应力波,导致材料表层强烈的热-力学效应.利用HIPIB与材料表面的相互作用,应用于涡轮叶片表面的清洗维修,可有效去除涡轮叶片基体因高温氧化形成的氧化物,伴随表层的重熔将叶片基体表面微观缺陷焊合,获得了光滑、平整的涡轮叶片修复表面.实现了HIPIB辐照在涡轮叶片表面再制造方面的应用. 相似文献