离心渗透等离子刻蚀法制备无基底阵列式碳纳米管复合膜

介绍了一种将聚乙烯醇渗透于碳纳米管中的方法,然后采用等离子刻蚀碳纳米管薄膜制备出了无基底阵列式碳纳米管复合膜。实验发现,聚乙烯醇可以起到固定碳纳米管的作用,而且找到最佳聚乙烯醇溶液粘度,并且研究了刻蚀时间对刻蚀效果的影响。此外还研究了膜表面处理对聚乙烯醇渗入碳纳米管膜性能的影响,结果表明,膜表面处理能有效改善聚乙烯醇对碳纳米管膜的渗入性。     

低能电子束曝光的散射研究

采用Mott弹性散射截面和Monte Carlo计算方法进行模拟,将Joy和Lou的Bethe修正公式作为解决能量损失问题的非弹性散射模型。描述电子束入射固体过程,确定散射角、方位角、自由程和散射点处能量等参数。利用能量不超过5keV的低能电子束,模拟在不同厚度的抗蚀剂中进行的刻蚀过程,得到了不同能量电子束在衬底表面光刻的最佳抗蚀剂厚度。     

一种新的激光刻蚀字符的识别方法

通过对铭牌字符结构特征和字符之间相对关系的分析,提出基于神经网络和隐马尔可夫模型的激光刻蚀字符的识别方法。提取字符图像中的端点、三叉点和四叉点,对传统三叉点的提取方法进行改进,并利用神经网络的方法计算出对应每个字符的概率值,再根据隐马尔可夫模型计算出状态转移的最大似然,从而识别整个字符串。实验表明上述方法适用于激光刻蚀铭牌字符的识别。     

电化学刻蚀法制备合金微电极及其性能研究

采用电化学刻蚀法制备了合金微电极。用扫描电镜(SEM)表征了微电极的表面形貌并估计了有效半径;在室温下用电化学工作站对微电极进行循环伏安特性分析。表征结果表明:使用0.1 mol/L的KCl溶液,5 V电压条件下所制备的微电极的性能最佳,其有效半径在5 m以下;循环伏安响应曲线表明所制备电极的导电性能良好;微电极具有较好的稳定性。     

M2高速钢强脉冲离子束表面改性及其耐磨耐蚀性

针对陶瓷梯度涂层性能优良,在大气氛围下等离子喷涂制备涂层会受到空气氧化这一情况,在可控气氛（Ar气）中采用等离子喷涂的方法制取了NiCrBSi/Al₂O₃的梯度涂层,并且与大气条件下制取的NiCrBSi/Al₂O₃的梯度涂层进行对比.借助扫描电子显微镜（SEM）、x 射线衍射仪（XRD）对涂层的组织分布、相结构进行分析.结果表明：在Ar气和大气中梯度涂层的组织内部都没有明显的界面,实现了组织的连续变化;在Ar气中制取的梯度涂层的组织更加致密,被氧化的程度更低,质量更好.     

锗衬底上锥形二维亚波长结构的制备

为了在Ge衬底上制备出锥形二维亚波长结构,文章研究了紫外接触式光刻工艺和反应离子刻蚀工艺对光刻及刻蚀图形的影响。结果发现:由于紫外光的衍射效应,光刻胶图形顶部出现了凹坑,使其有效抗蚀厚度减小,提高光刻胶图形的有效抗蚀厚度,能有效增加最大刻蚀深度;在设计上适当增大掩膜版图形尺寸,即占空比f要略大于理论设定值,可以弥补后续刻蚀过程占空比的缩小;在刻蚀气体SF6中掺入一定量的O2可明显提高Ge的刻蚀深度;降低横向刻蚀速率,从而有利于制备出锥形浮雕结构。     

氧分压对TiO2薄膜光学性能的影响

为得到光学性能良好、稳定的TiO2薄膜,采用离子束溅射的方法,改变氧分压,在k9玻璃上制备出不同结晶取向不同光学常数的TiO2薄膜.采用椭圆偏振光谱仪测试、拟合得到薄膜的厚度、折射率和消光系数.薄膜通过400℃退火,利用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的成分、结晶和取向进行分析.实验结果发现,随氧分压增加折射率减低,当氧分压达到1.0×10-2Pa时,折射率在2.43附近,变化趋于稳定.氧分压对薄膜的消光系数k影响较大,氧分压高于1.0×10-2Pa时在可见光和近红外区薄膜消光系数近似为0.随氧分压降低,薄膜从(101)向(200)转变.在此氧分压下,得到的薄膜折射率稳定,消光系数相对较小.     

双等离子体离子源的工作特性

针对双等离子体离子源受气压、磁场强度和放电电流影响,产生的O-离子束亮度不稳定的问题,设计并搭建了一套用于测试离子束亮度的离子光学系统,以SHRIMP II上的双等离子体离子源为对象,通过实验和仿真模拟分别研究了气压、磁场强度和放电电流对O-离子束亮度的影响规律。结果表明:该离子源能够稳定地工作在放电电流大于50 m A,气压为110~170 m Torr(1Torr=133.322 Pa)的条件下;当气压为140 m Torr、放电电流为200 m A、磁场强度为0.25 T时,获得的O-离子束亮度能够达到52.4 A/(cm2·sr)。合理控制离子源工作参数,可以增大O-离子束亮度,提高二次离子质谱的横向分辨率和灵敏度。     

军转民推广技术

正铂薄膜热敏电阻技术开发单位中国电子科技集团公司第四十九研究所技术简介该铂薄膜热敏电阻器采用物化性能稳定且耐高低温的铂材料作为敏感材料,利用平面薄膜技术在陶瓷基片表面沉积铂薄膜敏感层,并利用等离子刻蚀技术加工形成具有优良性能的铂薄膜热敏电阻。该研究所已完成铂薄膜热敏电阻器设计、生产的国产化,突破了技术及工艺瓶颈,建立了国内唯一的铂薄膜热敏电阻生产线。该产品为《军用技术转民用推广目录(2013年度)》中电子信息领域的重点推荐项目。     

纳秒激光微刻蚀取向硅钢的形貌特征及磁性能

为有效降低取向硅钢铁损、改善其磁性能，采用红外纳秒激光对取向硅钢进行微刻蚀试验。利用3D共聚焦显微镜、扫描电镜与能谱仪研究典型工艺参数下的硅钢表面烧蚀形貌特征及表面质量，利用铁损仪测试不同刻蚀参数下取向硅钢的铁损、相对磁导率等磁性能参数及动态磁滞回线，对比分析刻痕前后磁性能的变化行为、规律及磁滞特性。结果表明：激光刻痕后，硅钢的铁损、相对磁导率、矫顽力及剩磁等性能得到明显改善，铁损的改善表现在高磁感强度下、相对磁导率的改善表现在低磁场强度下，回线特性得到优化。扫描速度为800 mm/s、脉冲能量为0.25 mJ时，刻痕边界呈近似规则的“波浪线”，且刻痕表面质量较高，铁损降低高达11.6%、剩磁降低12.8%等；刻痕后相对相对磁导率明显提高，提高约为5.7%~15.16%，最大可达2.598×10⁴。激光频率与扫描速度的耦合关系是影响刻痕边界形状与磁畴细化效果的重要因素。