氢气刻蚀法制备Pt/CNTs复合材料及其热稳定性

采用碳化硅高温热分解法制备整齐排列的直立碳纳米管阵列,并对其进行Pt金属粒子修饰,通过氢气刻蚀法可以将闭口碳纳米管阵列开口,并将Pt纳米粒子嵌入到碳纳米管中。这种新型Pt/CNTs复合材料具有独特的电子限域效应,有助于抑制金属催化剂的烧结,对提高其后续催化活性和应用性能有着重要意义。     

基于Crs系列旋转岩盘仪的酸岩非均相反应研究

为了解决油田酸液体系和措施工艺单一、作用范围有限的问题,研究对比不同酸液与储层岩石反应规律。通过Crs系列旋转岩盘仪模拟实际油田高温高压环境,对油田典型岩心开展非均相反应动力学和岩心动态刻蚀的酸岩反应研究,观察反应动力学参数、活化能及酸液中氢离子的传递规律,确定反应速率方程和反应动力学方程;同时,对比酸岩反应前后岩心端面的变化,分析不同条件下各酸液的非均匀刻蚀形态规律。     

Sn离子注入PTC陶瓷表面研制气敏陶瓷材料

用脉冲金属离子束Sn注入BaTiO3PTC陶瓷的表面，结果表明：在低温空气中退火处理，注入层对CO有敏感特性。应用薄膜XRD、XPS、RBS对注入层结构分析表明，注入层对CO的敏感特性是由于注入层形成SnO2、BaSnO3等沉淀相引起的，同时还与离子注入引起的缺陷团有关。     

利用H3PO4液层侧面红外热像研究YBCO高温超导薄膜的激光辅助刻蚀特性

利用红外热像实时监测系统，获取钇钡铜氧激光辅助化学刻蚀中H3PO4液层的侧面红外热像，研究了其溶液温度分布与热对流特性，并对红外监测数据与钇钡铜氧薄膜激光化学刻蚀特性的关系进行了分析，主要实验结论包括：红外灰度图可真实反映溶液的温度分布和热对流情况，为激光化学刻蚀的热环境分析提供有价值的红外监测数据；通过任意时刻钇钡铜氧表面生成热流所到达高度的分布情况和该时刻的红外灰度图，分析出钇钡铜氧薄膜表面各区域的腐蚀启动先后和刻蚀程度差异等重要信息，为钇钡铜氧及其它材料的激光化学刻蚀特性的实时监测提供了一种新的技术手段.     

低温离子束混合形成非晶态Pd_(0.67)B_(0.33)合金

Stritzker和Becker用离于注入法制备了PdB_(1.5)合金,证实它具有超导性。Orsay组曾系统地研究过离子注入Pd_(1-x)B_x系(0≤x≤0.54)的电学性质,表明当B的浓度达到共晶浓度(x=0.27)时,Pd_(1-x)B_x为非晶态;当B的浓度x≥0.40时,样品具有超导性。 离子束混合利用载能离子穿越不同元素薄层和固体原子碰撞,引起原子离位的输运作用,     

低能导爆索的试制

介绍了低能导爆索的设计原则、试制过程、结构及性能，认为低能导爆索是一种安全可靠的传爆、起爆器材。     

玻璃微流路芯片加工工艺研究

运用光刻、湿法刻蚀技术,通过掩膜板补偿方法在以Pyrex玻璃为材料的底基上准确刻蚀出深30μm、宽70μm的沟槽,通过热键合工艺使底基与另一同材料的玻璃盖片熔合,成功地制作出微流路芯片.在制作过程中,对湿法刻蚀工艺和热键合工艺的不足进行了改良,提高了芯片制作质量.     

等离子熔覆Ni-Cr合金强化粮油食品机械螺杆的研究

采用等离子熔覆技术在粮油食品机械螺杆基材40cr合金钢表面等离子熔覆Ni-Cr合金涂层,研究了熔覆层的组织特征和显微硬度.实验结果表明:等离子熔覆层与基体的结合面是由等轴晶构成的,熔覆层与基体呈现良好的冶金结合状态;熔覆层中部分布着沿逆热流方向生长的排列较规则的枝晶组织;熔覆层表层是细小的枝晶组织.当扫描速度一定时,较高的熔覆功率下的熔覆层内的枝晶和等轴晶得到细化.熔覆层的显微硬度呈梯度过渡到基体,熔覆层外层硬度值最高,在结合面附近硬度出现显著的变化,但熔覆功率对熔覆层硬度的影响并不显著.     

Ni纳米粒子掩膜用于提高GaN基LED出光率的研究

以无水乙醇为溶剂、柠檬酸为分散剂,用超声分散技术配制Ni纳米粒子分散液;将分散液用旋涂的方法在GaN基发光二极管(LED)的ITO电流扩展层上制备单层Ni纳米粒子掩膜,采用ICP(inductively coupledplasma)干法刻蚀技术在ITO层上制作出表面粗化的结构。在20 mA工作电流下,与普通GaN基LED相比,这种ITO表面粗化的GaN基LED芯片发光强度提高了30%,并且对器件的电性能影响很小。结果表明,该表面粗化技术是一种工艺简单、成本低和能有效提高LED发光效率的方法。     

金属基极紫外光刻胶

由于具有光源波长短（13.5 nm）、图案化分辨率高等优点,极紫外（extreme ultraviolet, EUV）光刻技术被认为是突破5 nm甚至是3 nm半导体芯片制程节点的关键技术,与之相对应的EUV光刻胶研发广受关注。但传统的基于聚合物体系的化学放大光刻胶（chemical amplified resist, CAR）因尺寸过大、对EUV吸收低,限制了其在EUV光刻技术的应用进程。部分含有d轨道电子的金属元素具有高的EUV吸收截面,在光刻胶分子中引入这些金属元素可以有效提高对EUV的灵敏度。通过分子设计制备尺寸小、EUV吸收高的金属基光刻胶材料是解决EUV光刻胶服役性能问题的有效途径,已得到了广泛的研究。本文按金属氧簇（MOCs）、金属氧化物纳米粒子（NP）、金属-有机小分子（MORE）进行分类,对目前国内外的EUV光刻胶研究进展进行总结,并对EUV光刻胶未来所面临的机遇和挑战进行了展望。