钉基厚膜应变电姐力敏模型的初始讨论

摘要：通过分析钌基厚膜应变电阻的隧道势垒模型，提出力敏模型。     

爱她，就给她!——女士用本本选购三秘诀

正如女人和美女是两回事，给女友选购笔记本和自己选购相比，更加复杂，可谓是让人欢喜让人愁。上周回了一次老家武汉，一位以前的同事立即联系到我，希望我能推荐几款时尚笔记本电脑，是为他女友选购的。     

Microchip推出全球最小的6引脚单片机

Microchip Technology(美国微芯科技公司)于2004年6月15日宣布，推出全球体积最小的单片机。新产品采用6引脚封装，把PIC单片机架构的卓越性能融入超小体积的SOT-23封装，适合空间极为有限和成本     

连续清洗——自动过滤器采用控制体积法进行流体流量分析以实现自动清洗

在Daniel Bernoulli干1738年对理想流体进行描述的250多年之后的今天．他的发现正在过滤工艺中得到应用。SAB过滤器的法兰的几何形状和位置都保证了污渣颗粒的沉积物以确定的方式从滤网端向进料口聚集：过滤器内流体的速度降低．过滤器进口的静压力升高，直到压差开关起动自动冲洗程序，而过滤工艺流程则无需中断。     

市场推广

E＋H第四届亚台地区ALN会议在上海召开市场推广;全国应变电测与传感器技术研讨会;施耐德电气在岭澳柱电站二期项目中获得1180万欧元订单;“中航”仪表走俏海外市场;     

IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步

“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

电磁发射兵器用电容器的选取

本文首先从理论上论述了膜电容器的储能密度与寿命之间的关系，对国际电容器制造水平和趋势进行了分析，提出采用干式金属化膜电容器作为储能元件。最后，根据电磁发射兵器整体寿命配合原则，提出高储能密度脉冲电容器的合理寿命指标。     

土壤冲击特性的实验研究

本文利用分离式Hopkinson压杆研究了土体在不同应变率条件下的冲击动态力学性能，发现土体有明显的应变率效应，与静载相比，冲击荷载下土的动强度和动模量均有很大的提高。     

三峡三期工程主坝大体积混凝土内部温度控制

三峡右岸三期工程施工中,为了有效控制坝体大体积混凝土内部温升,采取了高温季节使用预冷混凝土浇筑、控制混凝土出机口温度及浇筑温度、对混凝土内部人工通水进行初冷、中冷和后冷等措施。三峡三期工程大坝混凝土内部温度没有出现超标现象,混凝土温控工作取得了良好的效果。