GaAlAs激光器腔面减反射涂层

通过对波长９１０ｎｍ ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ激光器谐振腔面蒸镀ＺｒＯ２膜的工艺过程，从理论和实验上分析了涂层特性，透射率由无膜时６２％提高到蒸镀膜后的９４％以上，提高了激光器的激光输出功率和工作寿命，对器件端面起到了保护作用。     

一氧化硅减反射涂层的理论分析和蒸镀

本文在理论上,用角谱法分析了1.3μm InGaAsP/InP 半导体激光器腔面镀膜后的剩余反射率,并对 TE 波算出了单层近似结果。在实验上,较详细地讨论了 SiO 减反射膜的蒸镀。并通过对1.3μm 激光器前后腔面蒸镀 SiO 减反射膜而制成了超发光二极管。     

蓝宝石镀MgF2减反射膜在微米划擦过程中的失效与变形分析

为了研究蓝宝石镀MgF2减反射膜在划擦时的失效过程,通过微米划痕试验研究了薄膜的失效形式及其在划擦过程中的弹-塑性变形。结果表明：MgF₂薄膜失效的临界载荷为1.36 N,失效形式为划痕边缘和内部都出现剥落;在到达临界载荷前,MgF₂薄膜持续发生塑性变形,蓝宝石基体的弹性变形则逐渐增大,展现出较强的薄膜塑性变形和基体弹性变形能力。提高薄膜的塑性变形量是提高抗划擦能力的有效途径。     

等离子体增强化学气相沉积端面减反膜的研究

利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制作半导体有源器件端面减反膜的方法简单易行,且适合进行大规模在片制作.采用1/4波长匹配法对减反膜的折射率、膜厚及其容差进行了理论设计,并在选定折射率下,对PECVD的沉积速率进行了测量.在此基础上,制作了1.31 μm InGaAsP氧化膜条形结构超辐射发光二极管,通过测定输出光谱调制系数的方法确定出减反射膜的反射率为6.8×10-4,并且具有很好的可重复性.     

有机金属配合物蓝紫光倍频晶体——CMTC和ZCTC晶体表面减反射膜研究

简要报道了在硫氰酸镉汞晶体和硫氰酸锌镉晶体表面镀减反射膜的研究。实验结果显示，镀膜后在808nm处，硫氰酸镉汞和硫氰酸锌镉晶体的透过率分别提高了7.2%,13.6%；在404nm处硫氰酸镉汞和硫氰酸锌镉晶体的透过率分别提高了9.2%,24.7%。     

沃拉斯顿棱镜可见光区减反射膜研制

为了提高镀膜材料和冰洲石基底的附着力以及提高棱镜的透过比,拓宽有效使用带宽,借助于计算机辅助设计方法,设计了高性能多层减反射膜系;选用合适的光学薄膜材料,利用电子束蒸镀,借助于离子源辅助蒸镀,制作了高性能的宽带减反射膜.测试结果表明:e光,o光的平均剩余反射率小于0.5%,有效使用带宽覆盖可见光区;为了改善薄膜和基底间的附着力,采用Al2O3做过渡层.     

色散效应对GaAs太阳电池双层减反射膜的影响

考虑双层减反射膜材料的折射率色散效应,采用光学干涉矩阵法计算了SiO2/ZnSe和SiO2/ZnS两种GaAs太阳电池双层减反射膜的反射率与波长的函数曲线,以及加权平均反射率随着顶层减反射膜SiO2厚度变化的函数曲线,并与未考虑色散效应的情况进行了对比.计算结果表明,色散效应对双层减反射膜的反射率有较大的影响,特别是对300～500nm波长范围的影响更大,且对不同材料的减反射膜的影响也是不同的.与未考虑色散效应的情况相比,考虑色散效应后,SiO2/ZnSe双层减反射膜的最小加权平均反射率从1.14%增加到1.55%,而SiO2/ZnS双层减反射膜的最小加权平均反射率却从1.49%减小到1.46%.     

荷能离子束沉积的氧化物膜光学性质

报道在不加热的基底上,由双离子束溅射或离子辅助的电子束蒸发技术制的ＺｒＯ２和ＴｉＯ２单摹光学性质,并提供卫工艺参数和离子束设备的说情。这两种荷 能离子束工艺已被用于光学多层膜,如减反射膜和短波通滤光片的制备     

Wollaston棱镜宽带减反射膜的研制及测试

针对Wollaston棱镜中o、e光对应的基底折射率相差较大以及制作该晶体的冰洲石和许多薄膜材料间附着力较差的特点,为了提高镀膜材料和冰洲石基底的附着力以及提高棱镜的透过比,拓宽有效使用带宽,借助于计算机辅助设计方法,设计了高性能多层减反射膜系。选用合适的光学薄膜材料,利用电子束蒸镀,借助于离子源辅助蒸镀,制作了高性能的宽带减反射膜。测试结果表明：o光的平均剩余反射率小于1．0％,e光的平均剩余反射率小于0．5％,有效使用带宽在近红外大于200nm;薄膜和基底结合牢固,达到了设计要求,提升了棱镜的品质。     

光照区域结构参数对硅光电晶体管性能的影响

利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件,全面系统地分析了光照区域结构参数对硅NPN型红外光电晶体管光电转换特性的影响.仿真结果表明:厚度为240 nm/130 nm的SiO2/Si3 N4双层减反射膜在特征波长(λ =0.88μm)处具有最优的光吸收效果和峰值光响应度(RM);为满足器件对红外波段的有效吸收和响应,外延层厚度应选择为55 ～ 60 μm;提高外延层电阻率虽可增大集-射击穿电压(BVCEO),但较高的外延层电阻率同时会降低红外波段光谱响应度;为了获得较高的红外光谱响应度,同时抑制可见光波段的响应,光照区域基区表面浓度应选择为5×1019 cm-3,结深应选择为2.5μm.