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一种新型器件的诞生往往使整个装置系统面貌发生巨大改观,促进电力电子技术向前发展。自1957年第一个晶闸管问世以来,经过40多年的开发和研究,已推出可关断晶闸管(GTO),绝缘栅双极晶体管(IGBT)等40多种电力半导体器件,目前正沿着高频化、大功率化、智能化和模块化的方向发展。 相似文献
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《电子工业专用设备》2006,35(4):7-8
全球石墨巨头德国西格里碳素集团特种石墨业务部在3月21号开幕的国际半导体设备与材料协会(SEMICON CHINA 2006)上宣布,西格里碳素特种石墨业务部正大力进军亚洲电子半导体应用材料市场,中国即将成为西格里特种石墨全球战略发展的主战场之一。 相似文献
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GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线,X射线衍射以及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响,提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。 相似文献
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第三节 常见氧化物膜目前研究最多的氧化物膜可谓二氧化硅和二氧化钛膜 ,这两种薄膜也是接受呈色离子、制备彩色镀膜常用的基体膜 ,所以 ,有必要将它们单独列出 ,加以讨论。1 二氧化钛膜在所有高折射率材料中 ,由钛的化合物制备的氧化物膜具有特殊的实际意义。因此 ,对二氧化 相似文献
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介绍了当前国际上流行的用半导体可饱和吸收镜来对固体激光器、光纤激光器和半导体激光器进行被动锁模的方法,阐述了半导体可饱和吸收镜用来作为被动锁模吸收体的原理,并介绍了如何利用金属有机气相淀积(MOCVD)技术生长各种波长激光器所需要的半导体可饱和吸收镜。 相似文献
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