磺化硬脂酸钠的制备及表征

以油酸为原料、乙醇-水作为溶剂、亚硫酸氢钠作为磺化剂制备了磺化硬脂酸钠,收率为96.57%,通过FT-IR、~1HNMR和HPLC-ELSD对其结构进行了确证。分别用吊环法、振荡法、激光分子粒度仪测定产品的表面张力、起泡性能和分子粒径,用产品的钙离子稳定性表示产品的抗硬水性能。结果表明,在25℃,产物的CMC=5×10~(-4) mol/L,γ_(cmc)=30.46 mN/m,初始泡沫高度为8.16 cm,抗硬水(CaCO_3)性能CIS=1 284.49 mg/L,分子粒径为350.3 nm,Krafft点为16.0℃。     

消解氨溶-火焰原子吸收光谱法测定胶乳中钠

用消解氨溶法处理胶乳样品 ,即先用浓硝酸消解样品 ,再用氨水溶解消解产物 ,建立了在氨性溶液中快速测定胶乳中钠的FAAS法。以硝酸钾溶液作为消电离剂 ,用工作曲线法测定。对样品处理方法、消解产物的溶解性质、线性范围、干扰及检出限进行了考察。测定结果的相对标准偏差 1.7% ,加标回收率 97.3 %～ 10 2.3 %。方法简便、快速、准确。     

含钒云母矿的钠化焙烧工艺及机理探讨

本文对含钒云母中五氧化钒的焙烧工艺进行了详细研究 ,并结合实验结果进行了钠化焙烧机理的探讨 ,特别是氧气与氯气在焙烧中的作用以及氧化气氛与氯化气氛的关系。     

人造导星技术及导星用激光系统

论述了自适应光学系统对人造导星的需要;简单介绍了两类激光导星;重点描述了销激光导星的产生机理及可用于销激光导星的一些激光系统.     

黄腐酸钠对方铅矿、黄铜矿、闪锌矿的浮选作用及机理研究

本研究在国内首次进行了用黄腐酸作抑制剂分选铜-铅、铅-锌人工混合矿的探讨。研究表明,黄腐酸钠是方铅矿的有效选择性抑制剂。黄腐酸钠用于铜-铅人工混合矿分离,可获得品位为31.44%,回收率95.0%的铜精矿和品位为83.58%、回收率95.32%的铅精矿。黄腐酸钠选择性抑制方铅矿是因为方铅矿表面的铅离子对黄腐酸钠有很强的凝聚力,黄腐酸大量吸附于方铝矿表面形成亲水性胶体薄膜而使方铅矿受到抑制。     

基于压电陶瓷动态信息的结构裂纹识别方法

利用压电陶瓷的动态特性和压电系统的动态信息,对铝梁的裂纹损伤进行了分析研究。随着梁裂纹尺寸的增加,压电陶瓷片的导钠幅值下降,且系统固有频率减小。利用导钠幅值的变化和系统的动态信息,可以对裂纹的位置和尺寸大小进行识别。实验证明该方法的有效性。     

钠信标光斑大小及回光数研究

钠信标已经成为地基大口径望远镜自适应光学系统的必要组成部分。钠信标光斑大小和回光数是影响自适应光学系统性能的关键因素,从发射角度考虑,主要由激光到达钠层时功率密度分布和耦合效率共同决定。为了准确估计钠信标光斑大小和回光数,首先建立了激光在大气中传输的模型,通过分析激光发射望远镜口径和上行路径大气湍流对激光到达钠层功率密度分布的影响,得出优化激光发射望远镜口径的普适方法;然后根据激光通过发射望远镜后到达钠层的功率密度与耦合效率的关系,计算钠信标光斑大小和回光数;最后利用探测误差和时域误差作为评价指标,计算了系统的最优采样频率。研究结果表明,针对丽江高美古天文台大气条件（大气相干长度（r0@550 nm）中值为7~9 cm）,激光发射望远镜口径最佳值为300 mm,此时产生的光斑最优;当r0为9 cm,激光器采用中国科学院理化技术研究所20 W级百微秒脉冲激光器并利用D2a+D2b双峰泵浦激发钠原子时,产生的钠信标回光数为1.3107 photonss-1m-2,光斑大小为0.6,最优的采样频率为900 Hz。     

氧化镓钠米带的制备研究

纳米带是继纳米线、纳米管之后,最新报道的又一种准一维纳米结构。文中介绍了Ga2O3纳米带制备的新方法。这种方法与首次报道的纳米带的生长方法有很大不同。用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物形貌进行了分析,纳米带宽约500nm,厚度约10nm,宽度/厚度比大于20。选区电子衍射（SAED）分析表明,产物是纯净的Ga2O3单晶。实验还发现了一些特殊形态的纳米结构,如纳米片等,证明了纳米带是一种常见并稳定存在的形态。最后,根据实验现象对纳米带的生长机制进行了初步的分析与讨论。     

硅基微结构上的聚吡咯功能薄膜均匀性研究

针对聚吡咯(PPy)功能薄膜在三维微结构上很难均匀电沉积,易出现MEMS超级电容器阴阳极黏连、接触等失效现象,通过控制吡咯(Py)单体与苯磺酸钠(BSNa)溶液的配比与循环伏安扫描速度,探索PPy功能薄膜在三维微结构上的均匀沉积方法。研究表明:当Py与BSNa摩尔比为1∶2,氧化石墨烯(GO)质量分数为0.4%时,以20 mV/s的扫描速度扫描56圈,制备出均匀致密的PPy功能薄膜。SEM测试表明:PPy功能薄膜具有良好的均匀性;恒流充放电测试表明:MEMS超级电容器具有良好的快速充放电特点。因此,本研究使三维硅基微结构上的功能薄膜均匀性得到明显改善,缓解了器件的阴阳极接触失效问题。     

(Zn_(1/3)Nb_(2/3))~(4+)取代的BNT系无铅压电陶瓷性能

采用两步合成工艺,制备了新型Bi1/2Na1/2Ti1–x(Zn1/3Nb2/3)xO3(简称BNTZN—100x)系无铅压电陶瓷。研究了B位复合离子(Zn1/3Nb2/3)4+取代量对BNT陶瓷介电及压电性能的影响。结果表明:当0.005≤x≤0.020时,该体系陶瓷具有三方、四方共存的准同型相界(MPB)结构。在MPB附近,具有较佳的压电性能:当x为0.020时,d33为97pC/N,kt为0.47。εr-t曲线显示该体系材料具有明显的弥散相变特征。具有高kt值,低kp值;kt/kp较大,具有较大的各向异性,是一种适合高频下使用的优良超声换能材料。