PECVD SiO_2-SiN_X叠层钝化膜的研究

首先使用正交设计法对SiN_X和SiO_2膜的PECVD(等离子体增强化学气相沉积)特性进行了研究,分别得到了两种膜的最佳沉积条件。然后使用PECVD在P型多晶硅片发射极上沉积了SiO_2-SiN_X叠层钝化膜,并与SiN_X单层钝化膜进行比较。通过测试硅片在退火前后少子寿命的变化,考察了两种钝化膜对太阳电池发射极的钝化效果,结果表明SiO_2-SiN_X叠层膜具有更好的钝化效果。利用反射率测试仪测试了两种膜的反射率,其反射率曲线基本相同。最后,测量了采用该叠层膜制作的太阳电池的量子效率和电性能,其短路电流和开路电压均比采用SiN_X单层膜的电池要好,转换效率提高了0.25%。     

我国多晶硅将不再依赖进口

日前，河南省迅天宇科技有限公司建设的太阳能电池等级多晶硅项目一期工程建成竣工。该工程是目前国内利用自主知识产权技术兴建的最大多晶硅生产项目之一。它的建成预示着我国将打破多晶硅长期依赖高价进口的被动局面，有利于提升我国多晶硅太阳能电池、半导体材料行业的整体水平．     

中国光伏产业现状与前景分析

在经历了国外"双反"裁定和大规模债务危机后,在国家政策的指引下,我国光伏产业开始走出困境,产业规模稳步攀升。2013年,我国(大陆地区)多晶硅产量达到8.46×104t,硅片产量为29.5GW,光伏电池产量为25.1GW,组件产量为27.4GW,均居世界榜首;同时,新增光伏装机容量12.92GW,新增装机容量首次跃居世界第一位,累计装机容量近20GW,成为全球发展最快的光伏应用市场;随着国内光伏装机的大规模拓展,光伏逆变器出货量也达到13GW,占全球市场的26%。然而,仍有一些问题在影响和制约着产业的后续发展,如外销市场将进一步收紧、产能阶段性过剩、融资难等瓶颈问题。当前,应积极调整出口方式和方向,加快分布式光伏布局,优化产业结构,多方位拓展融资渠道,从根本上排除我国光伏产业后续发展阻力。     

多晶硅及有机硅工业副产物综合利用技术

介绍了我国多晶硅、三氯氢硅、有机硅单体工业的发展现状及其面临的问题--氯硅烷副产物的综合利用问题,提出利用氯硅烷在氢氧焰中进行高温水解缩聚反应,制备纳米级气相二氧化硅,这是既环保又经济的方法.它既解决氯硅烷副产物的出路问题,又能够真正实现节能减排,资源相互利用,对社会、经济和环保具有重大意义.     

多晶硅锭中硬质点分析及控制研究

以多晶硅锭中硬质点为研究对象,通过实验研究和数值模拟的方法,对多晶硅锭中硬质点进行形貌和成分分析,并提出改善控制方法。研究结果表明硅锭中部的硬质点较细小,主要由SiC组成;硅锭头部的硬质点较粗大,主要由SiC和Si₃N₄组成,还有少量O的存在。进一步研究发现多晶硅定向凝固铸锭炉的热场结构对于多晶硅锭硬质点形成有直接影响,通过改进热场结构,优化晶体生长界面,显著减少了铸锭中硬质点的数量。     

江苏阳光多晶硅一期预计10月投产

上市公司江苏阳光大举进军太阳能领域以来,公司多晶硅项目进展情况受到市场的广泛关注。江苏阳光表示,控股65％的宁夏阳光硅业有限公司首期年产1500吨多晶硅项目目前进展顺利。该项目被列为宁夏自治区重点项目,于2007年4月20日正式开工奠基,预计土建将于2008年6月底前全部竣工。首期多晶硅生产线将于今年8月安装调试,并于10月投产。     

CCD多晶硅刻蚀技术研究

CCD晶硅刻蚀相比于传统CMOS工艺的多晶硅刻蚀需要多晶硅对氮化硅更高的刻蚀选择比,更长的过刻蚀时间.采用Cl2+He,Cl2+He+O2,Cl2+He+O2+HBr三种工艺气体组分在Lam4420机台进行了多晶硅刻蚀实验,研究了不同气体配比、不同射频功率对刻蚀速率、选择比、条宽、侧壁形貌等参数的影响.通过优化工艺参数,比较刻蚀结果,最终获得了适合于CCD多层多晶硅刻蚀的工艺条件.     

高速BiCMOS工艺研究

研究开发了一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，采用自对准双埋双阱及外延结构．外延层厚度为２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管．利用此工艺已试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振电路，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｐｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力为０．６２ｎｓ／ｐＦ．明显优于ＣＭＯＳ门．     

用SiH2Cl2沉积MEMS中的多晶硅薄膜研究

用SiH2Cl2在3种温度下进行了多晶硅薄膜的沉积,根据膜厚计算出了沉积速率,用SEM、XRD和薄膜应力测试仪对薄膜进行测试分析.证明用SiH2Cl2在950℃时可以快速沉积用于MEMS的多晶硅.