SOG—LCD

NEC液晶技术公司利用低温多晶硅技术开发了4种SOG（Systemon Glass）LCD产品。第一种8．9cm（3．5 in）透过型：分辨率为229ppi，亮度为250cd／m^2，对比度为400,1，色域为70％NTSC。第二种8．9cm（3．5 in）半透过型：分辨率为229ppi，亮度为200cd／m^2，反射率为15％。第三种6．9cm（2．7in）透过型：分辨率为302ppi，亮度为200cd／m^2，对比度为400：1，色域为70％NTSC。第四种6．9cm（2．7in）半透过型：分辨率为302ppi，亮度为180cd／m^2，反射率为15％。2007年已开始投产。     

南玻集团斥巨资打造太阳能光伏产业链

2006年10月22日,中国最大规模的硅材料项目在宜昌开发区举行了隆重的奠基仪式,这标志着中国南玻集团大举进军太阳能光伏产业进入实质性阶段。     

ASK推出两款高性能行业用投影机C180／160

ASK投影机中国唯一总代理大恒推出了ASK最新的两款产品C180／160。这2款产品是ASK为行业用户而量身定做的，其人性化设计和功能上的丰富表现令人称赞不已。与同类产品相比，无论是ASK C180还是ASK C160．色彩饱和度和产品性能都出类拔萃。这台投影机的突破性功能设计包括自动垂直梯形校正和水平梯形校正、吊顶安装监测以及与计算机图像自动同步     

2002年世界光伏电池产量

2002年世界光伏电池产量达559.3MW,比2001年的401.4MW增长39.34%。按品种分,多晶硅光伏电池占51.6%;单晶硅光伏电池占36.4%;非晶硅光伏电池占6.4%。(表1)2002年世界光伏电池产量的地区分布,日本占44.20%;欧洲占25.19%;美国占20.66%。(表2)2002年世界10家大公司的产量达467.6MW,占世界总产量的83.6%。其中:日本夏普公司为123.1MW,占世界总产量的22.01%;BPSolar公司为71.4MW,占12.77%;日本京陶公司为60.0MW,占10.73%。在产量最大的10家公司中,日本有4家。(表3)表22002年世界光伏电池产量地区分布地区日本欧洲美国其它合计产量/MW247.20…     

建设宁夏石嘴山千吨级多晶硅产业基地的有利条件及优势研究

多晶硅是重要的电子与半导体原材料,建设千吨级硅产业基地具有重要的战略意义与经济效益。通过对建设千吨级多晶硅宁夏石嘴山产业基地的基础条件与优势进行探讨,认为在宁夏石嘴山建设千吨级多晶硅产业基地具有得天独厚的优势与条件,是必要和可行的。     

大全新能源公司荣获“2011德勤—青云清洁技术20强”称号

近日,中国领先的多晶硅制造商大全新能源公司(纽约证交所股票代码:DQ)获得"德勤-青云清洁技术20强"称号。"德勤-青云清洁技术20强"是由德勤会计师事务所和青云创投联合发起的一项旨在表彰和推介在清洁技术各领域最具发展潜力、并有突出环保贡献的     

对太阳能多晶硅的生产工艺的阐述

随着第一次石油能源的危机,能源问题在短时期内成为一个非常现实的问题,而地球上的几乎所有能源都是来自太阳,所以对于太阳能的利用具有非常大的意义,并且在技术上也是可行的,而太阳能的利用最重要的是如何采集太阳光能,目前所采用最普遍的是太阳能多晶硅技术。本文对太阳能用多晶硅生产技术进行系统的阐述。     

炭/炭复合材料制造硅晶体生长坩埚初探

多晶硅用直拉法(CZ)或磁场直拉法(MCZ)拉制成单晶硅棒。晶体生长炉热场零件中的石墨发热体、坩埚等在机械应力和热应力的综合作用下发生变形或损坏造成失效,更换频繁。选用纯度高的炭纤维制成待制件的多孔坯体,经过增密、纯化处理制成炭／炭复合材料坩埚。试制的两体12″炭／炭复合材料坩埚进行了工业性试验。炭／炭复合材料机械强度高、耐热冲击性能和化学稳定性好,其使用寿命大大高于高纯石墨坩埚。两体的连接止口的氧化侵蚀限制了坩埚的使用寿命。单晶硅设备的大型化、炭／炭复合材料势必成为晶体生长炉热场零件的必选材料。     

四氯化硅的应用现状研究

综述了四氯化硅的主要处理方法和应用研究进展。详细介绍了四氯化硅在制备二氧化硅、多晶硅、三氯硅烷及其他硅烷产品方面的应用及其制备原理,并对各制备工艺技术进行了分析。     

Al金属多晶硅纳米膜欧姆接触的制作

利用低压化学气相淀积法（LPCVD）在表面有热氧化二氧化硅的（100）硅衬底上生长80nm厚多晶硅纳米膜,并对其界面进行表征.制作出单层Al金属的欧姆接触样品,在不同退火温度条件下对样片的电阻进行测量.结果表明,退火使欧姆接触的电阻率降低,接触电阻率可达到2.41×10-3Ω.cm2.