市场推广

E＋H第四届亚台地区ALN会议在上海召开市场推广;全国应变电测与传感器技术研讨会;施耐德电气在岭澳柱电站二期项目中获得1180万欧元订单;“中航”仪表走俏海外市场;     

X80焊管H_2S环境应力腐蚀开裂行为研究

采用三点弯曲加载法和微电极扫描测试技术,研究了X80高强度级管线钢及其焊缝区的抗H2S环境应力腐蚀开裂(SSCC)行为。测定了焊接接头的显微硬度分布,分析了显微组织结构、力学性能及抗腐蚀性能之间的相关性。研究表明,热影响区(HAZ)对应力腐蚀开裂最为敏感,母材的纵向和横向取样对应力腐蚀敏感性影响不显著,薄壁管材比厚壁管材有较好的抗H2S环境应力腐蚀性能。HAZ晶粒粗大、硬度高,局部腐蚀倾向大,由此导致该区SSCC敏感性高。     

SDZ3000测井软件作业管理系统

文章介绍了SDZ3000数控测井软件作业管理系统程序设计过程和操作方法，介绍了设计中控制参数、曲线参数的自动生成方法和曲线零长的自动计算方法，说明了将测井作业划分为作业库和仪器库进行两级管理的优点和在临时改变仪器串组合和配接扩充项目方面的灵活性。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

数字电视用中分辨率74cm纯平彩色显像管BC配列不良的分析与对策

通过对74cm中分辨率纯平彩色显像管BC配列局部严重群散不良的调查分析,确定荫罩受力塌陷是主要原因,通过改良设计、工艺优化及其它方面的综合对策,使以上技术难题得到满意的解决,整管不良率由4.78%下降到0.172%。     

前磁曲线数据数字化预处理

本文结合前磁曲线的特点，提出了一种结合空间分布信息的大津阈值方法，克服了传统预处理过程中的缺陷，很好地解决了那些类似于照片纸张扫描的灰度图中背景与目标曲线的灰度非常接近的问题，并在实际应用中取得了良好的效果。     

蒸发加热器换热管开裂失效分析

对某装置蒸发加热器316L材质的加热管使用15 d即发生了开裂和腐蚀减薄的原因进行了分析,认为在酸性的含有HAc、HBr、Cl-和硫酸盐等有害杂质的介质环境中,换热管不仅发生了应力腐蚀开裂,同时也发生了全面腐蚀和晶间腐蚀。     

微桥法镍膜的弹性模量和残余应力测量

利用MEMS技术制作了不同尺寸的镍(Ni)膜微桥结构样品。采用纳米压痕仪XP系统测量了微桥载荷与位移的关系,并结合微桥力学理论模型得到了两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量和残余应力。结果表明,两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量结果一致,为190 GPa左右,但是残余应力变化较大。与采用纳米压痕仪直接测得的带有硅(Si)基底的Ni膜弹性模量186.8 7.5 GPa相比较,两者符合较好。     

凸轮轮廓曲线曲率半径的确定

滚子从动件凸轮机构在选取半径时，为保证运动不失真，其取值不大于轮廓曲线上最小曲率半径，文中介绍一种利用图解法求解曲率半径及曲率中心的方法。