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通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间. 相似文献
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介绍了七九四矿铀堆浸场氡释放率测量方法和结果。按堆浸进行阶段 ,氡释放率分别为 :新堆35.15Bq/m2· s,补液后的运行堆 1.33Bq/m2· s,浸出结束后待出渣堆为 8.52 Bq/m2· s。该矿山堆浸全过程的氡释放率加权平均值为 4 .4 8Bq/m2· s 相似文献
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TDA1170N的OTL场输出级电路的功耗主要由四部分组成,一是正程前半段场输出管、Q_1的导通功耗(约1.9W),二是正程后半段输出管Q_2的导通功耗(约1.3W),三是逆程期间Q_1的导通功耗(约0.2W),四是正程期间偏转线圈的电阻功耗(约0.9W)。 相似文献
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高陡松动山坡地质情况复杂,勘察工作难度大,施工条件困难。本文就福州华能电厂贮灰场引水渠道陡松动山坡的勘察,论述了采用物探手段,合理的稳定性分析方法,解决了该高陡松动山坡的稳定性问题,为工程节省投资500多万元。 相似文献
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宁远至道县高速公路所经地区属低山、中低山地貌,路基施工,高填深切路段较多,施工过程中若防治不当容易造成较大的水土流失。文章根据沿线不同地形地貌结合不同施工单元,对丘陵地区公路施工过程中的水土流失进行了预测并进行了分析,确定了水土流失产生的主要施工单元、水土流失强度产生的较大时段等,对工程施工过程中水土流失防治、水土流失监测起到了一定的作用。 相似文献