全文获取类型
| 收费全文 | 24243篇 |
| 免费 | 1254篇 |
| 国内免费 | 1571篇 |
专业分类
| 电工技术 | 2272篇 |
| 综合类 | 1226篇 |
| 化学工业 | 413篇 |
| 金属工艺 | 389篇 |
| 机械仪表 | 1573篇 |
| 建筑科学 | 223篇 |
| 矿业工程 | 257篇 |
| 能源动力 | 202篇 |
| 轻工业 | 278篇 |
| 水利工程 | 92篇 |
| 石油天然气 | 98篇 |
| 武器工业 | 571篇 |
| 无线电 | 14263篇 |
| 一般工业技术 | 1596篇 |
| 冶金工业 | 159篇 |
| 原子能技术 | 253篇 |
| 自动化技术 | 3203篇 |
出版年
| 2024年 | 124篇 |
| 2023年 | 467篇 |
| 2022年 | 477篇 |
| 2021年 | 575篇 |
| 2020年 | 369篇 |
| 2019年 | 406篇 |
| 2018年 | 233篇 |
| 2017年 | 298篇 |
| 2016年 | 361篇 |
| 2015年 | 443篇 |
| 2014年 | 1089篇 |
| 2013年 | 799篇 |
| 2012年 | 1208篇 |
| 2011年 | 1230篇 |
| 2010年 | 1144篇 |
| 2009年 | 1404篇 |
| 2008年 | 1785篇 |
| 2007年 | 1386篇 |
| 2006年 | 1465篇 |
| 2005年 | 1620篇 |
| 2004年 | 1335篇 |
| 2003年 | 1222篇 |
| 2002年 | 925篇 |
| 2001年 | 950篇 |
| 2000年 | 732篇 |
| 1999年 | 583篇 |
| 1998年 | 565篇 |
| 1997年 | 555篇 |
| 1996年 | 556篇 |
| 1995年 | 488篇 |
| 1994年 | 446篇 |
| 1993年 | 328篇 |
| 1992年 | 367篇 |
| 1991年 | 371篇 |
| 1990年 | 334篇 |
| 1989年 | 286篇 |
| 1988年 | 54篇 |
| 1987年 | 29篇 |
| 1986年 | 13篇 |
| 1985年 | 8篇 |
| 1984年 | 7篇 |
| 1983年 | 3篇 |
| 1982年 | 1篇 |
| 1981年 | 17篇 |
| 1980年 | 6篇 |
| 1979年 | 2篇 |
| 1973年 | 1篇 |
| 1951年 | 1篇 |
排序方式： 共有10000条查询结果，搜索用时 15 毫秒
81.
82.
硅/硅键合是硅功率器件,功率集成电路以及集成传感器衬底制备新技术之一。键合界面的缺陷直接影响器件性能。我们采用正电子湮没技术对N/N~+硅键合片界面缺陷进行了研究。由正电子湮没谱可知:键合引入了界面缺陷,但其缺陷密度小于热扩散形成的N~-/N~+片而引入的缺陷。界面缺陷主要是一些复杂的空位团和微型空洞组成。而且在不同的退火温度下,缺陷状态不同,在高于键合温度下退火。可使键合片具有与原始硅片相近的特性。 相似文献
83.
84.
85.
扼要地分析了现代信号处理器件ＣＣＤ的基本原理、技术特点和电学特性，并在此基础上提出了ＣＣＤ器件的电路模型，为ＣＣＤ器件设计、应用提供了一种较为简便的分析计算方法。 相似文献
86.
低噪声ＧａＡｓ ＦＥＴ和功率ＧａＡｓ ＦＥＴ经中子辐射都未发生致命性的通或断失效，直流偏置伏态下，其失效模式仅仅表现为源漏饱和电流ＩＤＳＳ的退化降低，据此提出了ＩＤＳＳ退化失效与快中子注量φｎ之间的解析关键式ｌｎｙ＝ａ＋ｂｌｎφ。 相似文献
87.
评术字制备纳米级掺杂结超晶格材料的ＭＢＥ技术，给出了材料性能和器件研制结果，从微结构设计出发，研究了平面掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ（Ｇａ）Ａｓ超晶格结构二维电子气有关性质，实验研究取得了重要的进展。 相似文献
88.
89.
90.