晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法

少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体晶体硅材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响。分别介绍了常用的测量晶体硅和晶体硅太阳电池少子寿命的各种方法,包括微波光电导衰减法(MW-PCD),准稳态光电导方法(QSSPC),表面光电压(SPV),IR浓度载流子浓度成像(CDI),调制自由载流子吸收(MFCA)和光束(电子束)诱导电流(LBIC,EBLC),并指出了各种方法的优点和不足。     

监控交流线路的隔离电路

图1中的电路提供一个低成本的隔离交流线路监控器,它可测量交流线路电压,并有其它独特的能力.     

IDM网络光通道开销的导频传送方案

为了实现WDM网络的操作管理维护功能，在光通道上必须具备有效传递管理信息的能力，本文主要讨论了光通道开销的导频传送方案。     

基于转动的光纤陀螺捷联系统初始对准研究

基于某型低精度光纤陀螺捷联系统,分别采用经典罗经对准、两位置卡尔曼滤波及连续旋转卡尔曼滤波三种方法进行了初始对准实验研究。结果表明,经典罗经对准方法由于未对零偏进行处理,导致其精度不高。两位置卡尔曼滤波方法可以对惯性器件的零偏进行估计并补偿,一定程度上提高了精度。连续旋转卡尔曼滤波方法通过调制抑制陀螺零偏误差影响,相比前两种对准方法,精度显著提高,该文进行了理论分析。     

微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段，本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺（刻蚀、腐蚀、硫化）中InCaAs样品的少子寿命分布，结果表明，离子刻蚀使得样品少子寿命降低，非均匀性增大，而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤，损伤区域中心的少子寿命增大，寿命分布也更加均匀，硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命，却使寿命分布均匀性变差。可见，微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布，对工艺改进具有重要的指导意义。     

PCB技术的革新与进步

文章概述了近几年来在PCB工业中生产技术的革新与进步情况,特别是直流电镀(镀层均匀性、填孔镀等)、表面涂(镀)覆(化学镀镍/钯浸金和直接浸金等)技术的革新与进步,推动了PCB工艺技术的发展。     

关于《环境影响评价技术导则:城市轨道交通》中若干问题的探讨

随着城市轨道交通的发展,车辆运行时所引起的环境振动问题日益引起人们的关注。通过研究国内外由轨道交通引起环境振动的评价方法,及所做的一些现场实测,对《环境影响评价技术导则:城市轨道交通》(征求意见稿)中的若干环境振动评价问题进行了讨论,包括监测点的布置位置、高架轨道的振动评价、本底振动的评价、预测公式中的修正项以及不同建筑物类型的划分等。     

TCSC阻抗双解现象的机理研究

TCSC是靠调整触发角来获得需要的命令阻抗，因此命令阻抗与触发角的关系尤为重要，以往对TCSC阻抗双解研究局限于讨论电抗器品质因数的影响，该文讨论了考虑晶闸管导通特性和电抗器支路品质因数影响时TCSC的阻抗特性，文中通过相量图分析发现，即使在品质因数不变的情况下，随着晶闸管导通电流的增大，电容电压过零点与线路电流过零点之间的相位差也会逐渐减小，引起晶闸管实际导通幅度和宽度的减小；指出了造成TCSC双解现象的根本原因是晶闸管的导通受阻，其受阻程度由电抗器支路的电流和等效品质因数2个因素决定：线路电流同步方式下晶闸管导通电流的幅度和宽度均受阻；而电容电压同步下，晶闸管导通电流只有幅度受阻，因此阻抗双解现象在线路电流同步方式下更容易出现。数字仿真和动模实验结果分别验证了阻抗双解现象的存在。     

12/3相双绕组异步发电机定子槽漏感的计算

为计算12/3相双绕组异步发电机多达上百的相间槽漏感，在槽比漏磁导求取和绕组与线圈边连接关系确定方面采用了新的分析方法。通过对定子圆底槽各层的分片处理，由数值方法推导了层间槽比漏磁导计算公式，并给出了相应的计算结果。仿照图论结合回路电流法分析电路网络的过程，列写了表示线圈边支路电流与一相绕组回路电流间的关联矩阵，用规范统一的编程方法计算各相绕组间的槽漏感，并对其中几个电感值进行了定性分析。所用分析方法通用性强，对绕组连接复杂多相异步电机定子槽漏感参数计算优势明显。     

惯导辅助相对导航系统在漂移坐标系中的相对定位算法

对惯导辅助相对导航系统（JTIDS／INS）组网，根据相对坐标漂移概念和理论，本文详细介绍了辅助相对位置基准的相对位置滤波、相对坐标漂移滤波和在漂移坐标系中进行相对定位的特点和算法，并进行了组网仿真，仿真结果满足系统技术性能要求。