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显卡芯片霸主nVIDIA在GeForce3推出之后就一直没有再为它的后继产品提供进一步的消息,直到ATI的Radeon8500逼到家门口也只是拿出超频后的GeForce3 Ti500版本应付了事,反而愈发增添了一份神秘色彩。不过nVIDIA不可能永远将它的宝贝藏着不放,在新年之后,代号为GeForce4的系列芯片终于揭开了盖头出现在我们的眼前,那么GeForce4会给我们带来些什么新的刺激呢? 相似文献
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有水气藏是天然气藏中的一个基本气藏类型,其采收率受多种因素的影响,如地面集输压力、井筒混合气水流动的液柱压力和储层物性等,目前普遍采用经验取值、物质平衡和气藏数值模拟等方法进行研究,但由于受开发评价阶段试采资料偏少和气藏数值模拟无法模拟井筒流动等因素的影响,早期采收率计算往往偏差较大,针对这些问题,从气田开发一体化的特点出发,提出了一种全面考虑地层→井筒→地面流动条件下,有水气藏(含凝析有水气藏)发废弃压力的计算方法,发展了利用物质平衡早期预测有水气藏采收率的理论,方法可靠、适用性强,能够推广应用。 相似文献
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显卡市场上产品种类繁多,所属的档次也不尽相同,我们这次的评测就将产品分为了三个档次,高端和低端各向您推荐了一款产品,鉴于中档次的产品较多,我们就选择了两款,因为这也是最为适合普通消费者的产品。 相似文献
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钨酸根抑制不绣刚局部腐蚀的机理 总被引:1,自引:0,他引:1
用X射线光电子能谱(XPS)研究了AISI304不锈钢在含WO2-4+Cl-的模拟闭塞电池中形成钝化膜的组成与结构及WO2-4抑制其局部腐蚀的机理.研究表明,闭塞区内AISI304不锈钢表面的钝化膜的外层主要为WO2-4、CrO3、CrCl3、FeCl2和FeCl3,此外,还有少量的Ni2O3、Fe2O3、CrO2-4、γ-FeOOH以及Fe(OH)3;溅射5 min时膜内层主要为Cr2O3、CrOOH、Cr(OH)3、FeCl2、FeCl3和WO3,还有少量的WO2和WO2-4.WO2-4对钝化膜的影响在于WO2-4迁入闭塞区后吸附在金属表面,可全部或部分取代吸附在钢表面的Cl-,并与腐蚀产物Fe2+发生氧化还原反应生成Fe3+和WO2,WO2-4与Fe2+、Fe3+反应生成难溶化合物FeWO4和Fe2(WO4)3覆盖在阳极上,形成较耐蚀的保护膜,降低闭塞区内自催化效应速度,从而抑制局部腐蚀的进一步发展. 相似文献
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介绍了为新疆哈得4油田设计的一种强适应性高效分离脱水器。该设备具有结构合理,内部空间利用率高,分离效果好和投资较少等特点,利用这种分离器对含水原油一次处理后,净化原油含水小于1%,污水含油小于1000mg/L,使传统原油处理工艺流程得到简化。作为关键处理设备,适合哈得4油田不同开发时期的多种工况的分离脱水要求,取得了理想的使用效果。 相似文献