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总结了HB - 3,HB - 4型钴钼触媒升温硫化过程及注意事项 ,简单介绍了使用情况 ,并针对出现的问题采取了一定措施 相似文献
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Nd3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体生长和基本特性 总被引:5,自引:0,他引:5
Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体作为一种新的激光材料,可以用中频感应加热提拉法生长。X射线粉末衍射分析表明它的结构与Nd^3 :YVO4晶体结构相同,它的晶格常数介于YVO4和NdVO4晶格常数之间。用ICP光谱法测定晶体中Nd^3 含量为0.8at%,分凝系数为0.8,与Nd^3 :GdVO4晶体中Nd^3 的分凝系数0.78相当;用称重法测定其密度为5.00g/cm^3;用稳态纵向热流法测出其室温热导率为12.5W/mK。实验表明Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体有希望作为高功率ID泵浦激光晶体材料。 相似文献
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F接头按传统方法制作,要在电缆线端头切一条口,这样不仅使得密封防雨性能差,而且破坏了电缆线的屏蔽性能,因此存在以下缺陷:①电视射频信号通过切口向外辐射,耦合在其他电缆传输干线上,产生重影干扰;②外界噪声通过切口侵入网络中,干扰有用信号;③电缆线容易进水,造成接触不良、短路、打火拉弧等故障;④F接头套筒的形状为圆锥体,头大尾小.在压环压力作用下,F接头产生向外动的趋势,受温度变化和外部拉力作用,F接头容易与铝带松动、脱离,因此我们对F-9和F-12接头的机械构造加以改进。 相似文献
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